LDO的探索之旅
1.线性稳压器
1.1 工作原理
LDO是线性稳压器的一种,先来介绍线性稳压器。
线性稳压器,顾名思义,开关管工作在线性区的输出电压稳定的电路。与开关电源是相对应的,开关电源的开关管工作在开关状态。
以下面的线性稳压器原理图为例来说明工作原理。
工作原理:若输入电压增加,输出电压增加,Vbe减小,ib减小,Uce增加,Uo减小,从而维持输出电压稳定。若负载增加,输出电压增加,同上分析。
三极管和稳压管之间的电阻作用是限制流过稳压管的电流,避免稳压管过电流击穿。
线性稳压器的特点:
- 开关管工作在线性区 ,噪声问题小,也没有电压电流交叉损耗
- 导通损耗大
- 体积小,后级不需要电感
- 降压电路
2. LDO
LDO:Low dropout 低压差稳压器
LDO是线性稳压器的一种,只不过压差比较小,一般把压差小于200mV的线性稳压器叫LDO.
2.1 LDO分类
LDO的最大优点是实现输出很好的跟随输入.
LDO分类:主要有NPN LDO(严格讲叫NPN线性调节器),PNP LDO,NMOS LDO,PMOS LDO
2.1.1 NPN LDO
工作原理:当输出分压低于Vref时,PNP饱和导通,而Q2的NPN由于Vc>Vb所以放大状态,同理Q1 NPN也成放大状态。当分压高于Vref时,Q1导通程度减小,输出得不到足够的电压供给,电压降低。
此电路有如下特点:
- PNP给NPN提供偏置
- 工作电流小
- dropout电压2Vbe(0.7+0.7)+Vcesat(0.3V) ,所以输入输出电压差大
- 静态电流随负载电流的变化而变化,主要是影响NPN,PNP的导通程度
2.1.2 PNP LDO
工作原理:将NPN换为PNP,其他原理类似。
- PNP比NPN drop out电压低
- 饱和导通电流大,输入电流大
- PNP导通压降小
- 负载调整率差,因为是饱和导通
- 需要加输出电容,因为阻抗比较大,这会增加零极点。
2.1.3 NMOS LDO
将NPN换为NMOS,即变成NMOS LDO.
特点如下:
- 需偏置电压以上拉 N-FET
- 接地引脚电流不随输出负载电流而变化;
- 不需要任何的输出电容器(但为了动态响应更好还是使用一个)
2.1.4 PMOS LDO
将NMOS换为PMOS,即为PMOS LDO。
特点如下:
- 要求输出电压高于传输元件的 VGS 需求;
- 要求谨慎地选择输出电容数值和 ESR 额定值;
- 为了实现相似的 RDS(on) 性能, PMOS 晶体管所需的晶片面积将大于 NMOS 晶体管;
- 较大的晶片面积将影响定价,并有可能对性能产生影响
2.2 LDO 相关参数
由于最近要进心LDO芯片测试,以TI的技术文档为参考,进行详细剖析。
1.Dropout压差
压差电压是保持输出稳定的输入输出最小压差值。压差值越小,性能越好。
dropout的变化跟器件本身有关。
2.负载调整率
负载变化,输出电压变化。变化的电压除以变化的电流即为负载调整率。负载调整率越小,输出电压受负载变化的影响越小。从0到满载变化最worse。
3.线性调整率
输入变化,输出电压变化。变化的输出电压除以变化的输入电压即为输入调整率。线性调整率越小,输出电压受输入电压变化的影响越小。
4.效率
输入功率包括负载和静态功率
一般静态电流Iq远小于Iload,所以其效率一般为Vo/Vin,所以输入输出电压差越大,损耗越小,效率越高,跟负载关系不大。
5.静态电流
LDO无载时维持稳压器工作电流,主要是流经GND的电流。静态工作电流为输入电流与输出电流之差。
静态电流来源于各种偏置电流如误差放大器电流 ,采样电阻电流,门极驱动电流这些都是对功率输出没有意义的,只会降低效率。
BJT型LDO的静态电流跟负载有关,负载越大,静态电流越大,因为三极管是电流驱动型,而mos型的LDO静态电流跟负载几乎没有关系,因为是电压控制器。
6.PSRR
PSRR(power supply rejection ratio)电源抑制比.
表征稳压器对输入电压纹波噪声的抑制。是输入与输出交流分量的比值,越大,抑制噪声效果越好,受负载,pcb布局,频率电压等的影响
噪声来源于带隙(band gap)参考电压源和误差放大器,加一个低通滤波器可减小噪声。
PSRR的测试可以把LDO当作滤波器,注入纹波不能太小,否则精度不高,输入电容会衰减高频纹波,需减小输入电容.
测试方法:在LDO的输入电压中加入一定频率和峰值的交流电压,测量LDO中峰峰值,
7.精度
输出电压与实际电压的差。
8.噪声
LDO噪声非常小,一般只有几百个uV。可以在输出加上0.01uF和4.7uF的电容滤除。
LDO噪声来源:
LDO 的噪声分为 LDO 内部的噪声和 LDO 外部的噪声。LDO 内部的噪声来自于内部电路的带隙基准源,放大器以及晶体管。LDO 外部的噪声来自于输入,其中带隙基准源产生的噪声为主要噪声。
LDO 噪声抑制方法:
- 降低误差放大器的带宽,但是降低带宽会使 LDO 的动态性能
降低。 - 在带隙基准源和误差放大器之间加低通滤波。
- 在反馈电阻 R1 上增加前馈电容CFF。CFF 越大,输出噪声就越小。频率越高,输出噪声越小。一般选择几十pF,按厂家的手册来。
2021.5.18
PS:最近好几次都碰到芯片测试时,LDO有纹波或者振荡的情况。并且有稳定的频率,但是LDO又不是DCDC,所以纹波到底来自于哪里呢?
1)来自参考电压源
为了减小参考电压上的噪声,有的LDO会加入一路 noise-reduction (NR) 引脚。如下图所示。
加入RC后,噪声幅值减小。电容的值一般为pF级。
2)来自反馈环路各种噪声
2.3 LDO 设计
2.3.1 LDO的设计要点
- 确定dropout电压
- 选择合适的拓扑 根据PSRR,静态功耗等设计参数
- 确定封装以满足散热
需要避免Vin<Vo+Vdrop,否则会产生如下影响 - 动态性能差
- 负载调整率差
3.环路补偿
3.0 LDO的小信号模型
以PNP型LDO为例说明。下面是PNP LDO 等效电路图。
LDO的传递函数可以分为三个部分考虑:
1)误差放大器带来的传递函数
里面的组成部分主要是运放,将其当作单级跨导运放来分析。
传递函数为
2)驱动电路带来的传递函数
驱动管的小信号模型如下:
传递函数为
3)反馈带来的传递函数
传递函数为
总结如下
Z1,P3比较大,可以忽略。
P1中C1为运放输出点的等效电容,P2中等效电阻为PMOS管电阻,反馈电阻和负载电阻的并联。负载电阻变化时,输出极点就会变化。
总的来说,LDO自身有两个极点,一个是误差放大器输出电阻电容带来的,一个是输出电阻电容带来的。
3.1 NPN调节器补偿
NPN调节器的输出阻抗很小,所以极点频率高。
- 环路增加一个主极点补偿
P1是环路中加补偿电容产生的,主极点一般为100Hz - P2为功率极点,电路固有
- 相位裕量比较大
3.2 PNP LDO补偿
1.PNP需要加输出电容,所以会与负载形成一个极点。极点频率如下:
2.内部补偿极点为P1
3.PNP驱动带来的功率极点为P2
4.为了有足够的相位裕量需要增加零点,
零点是电容ESR带来的,零点频率为:
从上面可知输出电容及其ESR的选择极为重要,会影响PNP LDO的稳定性。
典型的ESR范围如下:
太大不稳定,一般>10Ω。
假设ESR太大,导致零点频率为P1或者PL,相当于没改变,相位裕量还是很小。如下图所示:
太小 ,也不稳定
假设ESR太小,一般<50mΩ,零点频率到达功率极点,那对穿越频率的相位裕量一点帮助都没有,所以也不稳定。
对于输出电容的选择,一般选择4.7uF的钽电容,ESR只有1Ω左右。
3.3 LDO环路测试
有两种方法:一是变压器注入,二是高精度注入
变压器注入如下:
注入纹波测试时,不能太小,否则测不准,不能采用大的输入电容,否则衰减高频纹波。
参考资料:
《Understanding the Terms and Definitions of LDO Voltage Regulators》----TI
《AN-1148 Linear Regulators: Theory of Operation and
Compensation》----TI
《Understanding noise in linear regulators》-TI