GD32F103RET6待机模式功耗过高

1：测试休眠功耗的时候，发现待机电流过高，达到15mA；对比STM32,待机状态下，功耗只有1mA；
2：删减 U3—SYS_5V转3.8V电路，不给 外设1 供电，发现GD32待机功耗仍然有15mA;
3：使用J-link擦除GD32程序，上电之后，功耗有20mA; 对比STM32，擦除芯片程序之后，上电功耗只有5mA;
4：多次测试发现，D40在待机一瞬间，GD32功耗会降低至3mA，然后又返回至15mA；
5：通过拆卸外部电路，发现15mA电流为 外设2 消耗
对比两版电路原理图,发现GD32和STM32待机之后，GPIO处于高阻态的状态不一致；
D40_V1.4(最新版硬件)将 外设2_EN引脚 添加了下拉电阻，进入待机模式之后，保持在低电平，处于可控状态，测试待机模式电流为1mA；
6：发现GD32的数据手册不如STM32完整，有问题还是要多参考STM32的数据手册；
7：下图为STM32参考手册，GD32参考手册无该说明；