12、电容相关知识详解

电容相关知识详解

1. 电容的基本参数

• 损耗因子或损耗角正切（Dissipation Factor or Loss Tangent）
  • 电容的损耗因子（DF）定义为电容的串联电阻与其容抗之比，即 $DF = \omega CR_s = \frac{1}{Q} = \tan\delta$ 。其中 $Q$ 为品质因数。损耗因子表示电容中损耗并转化为热量的功率的大致百分比。例如，$DF = \tan\delta = 0.01$ 意味着电容将吸收总功率的 1%。为了使功率损耗可忽略不计，需要品质因数 $Q$ 非常高（约 1000 到 10000）的电容。
• 时间常数（Time Constant）
  • 当理想电容 $C$ 与电阻 $R$ 串联，施加直流电压时，电容充电到施加电压需要有限的时间 $t$ ，这个时间称为时间常数，计算公式为 $t = RC$ ，其中 $t$、$R$ 和 $C$ 的单位分别为秒、欧姆和法拉。
• 额定电压（Rated Voltage）
  • 能安全施加在电容端子之间而不影响其可靠性或损坏它的最大电压，称为额定电压或工作电压。片式电容的额定电压值在 50V 到 500V 之间，而单片电容的额定电压小于 100V。$Si_3N_4$ 电容的典型额定电压约为 50V。
• 额定电流（Rated Current） <