SRAM与DRAM区别

随机存储器是指能够在存储器指定的存储单元随时写入或读取信息，断电时信息随之消失的存储器。

SRAM(静态RAM):由存储矩阵、地址译码器和R/W控制电路组成。存储矩阵是由若干个存储单元组成的二维矩阵，每个存储单元可以存放一位二进制信息。

DRAM(动态RAM):静态RAM的存储单元用的晶体管数目多、功耗大，为克服这个缺点，人们研制出DRAM。DRAM的存储单元是利用MOS管栅极电容具有暂存电荷的作用来存储信息。由于栅极电容的容量很小（大概只有几pf），且栅极有漏电流的存在，电容上的存储信息不能长期保存，需要周期的对电容充放电，称之为刷新。