pax270 nand驱动

今天看了对几个对nandflash操作的例子程序。对nand的工作过程有了更清除的了解。另外看了一下2K页面和512页面的芯片手册。发现发送命令的有区别，另外在写地址时也有区别，读写时，512页面写地址时需4个周期，而2k页面需5个周期。块擦除时都是3个周期。在nand_base.c文件中也体现出了这个区别，512页面的命令函数是nand_command,2K页面的命令函数是nand_command_lp。
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今天看nand驱动，发现pax270_nand.c中的函数smc_hwcontrol只是在初始化时被调用了以后再不会调用到此函数。在初始化时所调用的两次分别是：
this->cmd_ctrl(s3c2410_mtd, 0, NAND_CTL_SETNCE);实际执行GPCR0 = 1<<10;
this->cmd_ctrl(s3c2410_mtd, 0, NAND_CTL_CLRNCE);实际执行GPSR1 = 1<<10;
所以最主要的函数是smc_command，它完成了命令的发送，以及ALE和CLE的控制。
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修改pax270_nand.c文件中的smc_command函数，使其可支持512页面和2k页面的nandflash。其中smc_command是512调用的命令函数，smc_command_lp是2k页面调用的命令函数，这两个函数之一在初始化时赋给this->cmdfunc：如果是512页面this->cmdfunc = smc_command;如果是2k页面this->cmdfunc = smc_command_lp;
另外还要注意在定义分区时partition_info指明了nandflash的大小。

对代码又进行了修改，利用mtd自带的nand_command和nand_command_lp这两个函数，修改pxa270_nand.c中的smc_hwcontrol函数，实现了512页面和2k页面nandflash驱动。另外在partition_info中指明大小为MTDPART_SIZ_FULL，初始化时对nandflash单独做一次复位处理。

对ARRAY_SIZE进行解释如下：
static struct mtd_partition partition_info[] = {
              { name:                "Nand",
                  offset:            0,
                  size:                MTDPART_SIZ_FULL }
};
#define NUM_PARTITIONS (ARRAY_SIZE(partition_info))
此时NUM_PARTITIONS等于1，也就是说Nand有一个分区。

static struct mtd_partition partition_info[] = {
              { name:                "Nand",
                  offset:            0,
                  size:                MTDPART_SIZ_FULL }，
              {}
};
#define NUM_PARTITIONS (ARRAY_SIZE(partition_info))
此时NUM_PARTITIONS等于2，也就是说Nand有两个分区。
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