1000W LLC谐振电源设计说明书

1000W LLC谐振电源设计说明书

本设计采用半桥LLC谐电路设计一款输出额定电压24V ，额定电流42A的开关电源。

我们采用TI的两相交错式PFC芯片UCC28063做主动式PFC控制。采用TI的UCC256601DDBR做LLC控制芯片。用UCC24624DIR做同步整流控制。原因是工作温度宽，性能稳定，保护措施齐全，电路间单。有利于生产，适应工业级电源应用。

一：方案框架：

EMI电路+主动PFC+LLC+同步整流+辅助电源

1.1方框图：

二：主要器件设计与选型：

2.0：输入参数：

输入电压范围	AC180-265V
输入电压频率	47HZ-60HZ
输出电压	DC24V
输出电流	DC42A
LLC转换效率	92%
PFC输出电压	DC390V
PFC转换效率	95%
PFC	>0.95
PFC最小开关频率	45KHZ
PFC输出电流	2.8A

2.1：PFC参数计算：

输入最小峰值电压：Vpeak_min:

VINpeak_min=AC180V*1.414

VINpeak_min=254.2V

VINpeak_min≈254V

最大导通占空比Dpfc_max:

Dpfc_max:=(VOpfc- VINpeak_min)/ VOpfc

Dpfc_max=(390V-254V)/390

Dpfc_max=0.348

式中VOpfc是PFC输出电压，这里设置为DC390V

Dpfc_max:是最大占空比：

PFC输出最大功率：Pout_pfc:

Pout_pfc=VOpfc*Iout_pfc

Pout_pfc=390*2.8

Pout_pfc=1092W

式中：Iout_pfc为PFC输出电流。

PFC输入最大功率：Pin_pfc:

Pin_pfc= Pout_pfc/η

Pin_pfc=1092/0.95

Pin_pfc≈1149W

输入最大电流：Iin_max:

Iin_max= Pin_pfc /Vin

Iin_max=1149/180

Iin_max≈6.38A

式中：Vin为PFC输入有效电压。

开关周期；T_pfc:

T_pfc=1/F_pfc

T_pfc=1/45000

T_pfc=0.000022(s)

式中：F_pfc是PFC开关频率

导通时间：Ton_pfc:

Ton_pfc= Dpfc_max* T_pfc

Ton_pfc=0.348*0.000022

Ton_pfc=0.000007656(S)

电感量：L_pfc:

两相交错PFC电路，两个PFC电感相同：

L_pfc=VIN*Ton_pfc/ Iin_max

L_pfc=180*0.000007656/6.38

L_pfc=216uH

为了方便生产，这里取整数210uH

电感峰值电流：ILpeak_pfc:

ILpeak_pfc=1.414* Iin_max

ILpeak_pfc=1.414*6.38

ILpeak_pfc≈9A

电感有效电流：IL_rms_pfc:

IL_rms_pfc= ILpeak_pfc/2.449

IL_rms_pfc=3.674A

ZCD挠组与原边匝比：n_pfc:

根据UCC28063规格书ZCD最小电压为2V，所以下面公式成立：

n_pfc =NPpfc/NSpfc=(VOpfc-1.414Vin_max)/2V

n_pfc=(390-1.414*265)/2

n_pfc =7.95

为了方便生产，我们取n_pfc =8。

式中：NPpfc为PFC电感器的原边挠组：

NSpfc是PFC电感器的幅边挠组，也就是ZCD挠组。

Vin_max是输入最大电压值：

输入电源周期：T_line:

T_line=1/Fline

T_line:=1/47

T_line=0.0213(s)

式中：Fline是输入电源的频率。

PFC输出电容器Cout_pfc:

PFC输出电容需要保持输入线两个周期的跌落。

Cout_pfc≧2 Pin_pfc* T_line/( VOpfc* VOpfc-VOmin_pfc* VOmin_pfc)

Cout_pfc≧2*1149*0.0213/(390*390-350*350)

Cout_pfc≧48.9474/(152100-122500)

Cout_pfc≧48.9474/29600

Cout_pfc≧0.0016536(F)

Cout_pfc≧1653Uf

式中的VOmin_pfc是PFC输出最低电压。

我们选两个红宝石450V 1000uF ±20的电解电容可以满足。

预估PFC输出纹波电流：Vripple_pfc

Vripple_pfc=2 Pin_pfc/( VOpfc*4*3.14*Fline* Cout_pfc)

Vripple_pfc=2*1149/(390*4*3.14*47*2000)

Vripple_pfc=2298/460449600

Vripple_pfc=4.99V

4.99V纹波电压非常好。

PFC输出电容器低频保持电流:ICout_low_pfc@100HZ:

ICout_low_pfc= Pout_pfc/ VOpfc*η*1.414

ICout_low_pfc=1092/(390*0.95*1.414)

ICout_low_pfc=2.08A

PFC输出电容器高频保持电流:ICout_high_pfc:

ICout_high_pfc={{0.5 Iin_max*2*1.414*[（4*1.414* Vin）/9*3.14* VOpfc]^0.5}^2- ICout_low_pfc^2 }^0.5

ICout_high_pfc={{0.5*6.38*2*1.414*[(4*1.414*180)/9*3.14*390]^0.5}^2-2.08^2}^0.5

ICout_high_pfc={{9.02*[1018.08/11021.4]^0.5}^2-2.08^2}^0.5

ICout_high_pfc={{9.02*0.303}^2-2.08^2}^0.5

ICout_high_pfc={7.47-4.33}^0.5

ICout_high_pfc=1.77A

总的峰值电流Ipeak_pfc

Ipeak_pfc=2* Iin_max*1.414*1.2

Ipeak_pfc=2*6.38*1.414*1.2

Ipeak_pfc=21.65A

电流感应电阻阻值：RS_pfc

根据UCC28063规格数可知感应电压是0.2V

RS_pfc=0.2V/Ipeak_pfc

RS_pfc=0.2/21.65

RS_pfc=0.0092R

电流感应电阻功率：Prs_pfc

Prs_pfc= Iin_max* Iin_max* RS_pfc

Prs_pfc=6.38*6.38*0.0092

Prs_pfc=0.37W

我们可选贴片型9mR ±1% 2512 2W的电阻。

PFC开关MOSFET管的选择：

MOSFET管均方根电流:IDS_mosfet_rms:

IDS_mosfet_rms=0.5Ipeak_pfc*（1/6-4*1.414*Vin/(9*3.14* VOpfc) ）^0.5

IDS_mosfet_rms=0.5*21.65*(1/6-4*1.414*180/(9*3.14*390))^0.5

IDS_mosfet_rms=10.825*(0.166-1018.08/11021.4)^0.5

IDS_mosfet_rms=10.825*(0.166-0.0923)^0.5

IDS_mosfet_rms=10.825*0.0737^0.5

IDS_mosfet_rms=10.825*0.2714

IDS_mosfet_rms=2.93A

可选用士兰微电子的碳化硅MOSFET SCDP120R040NP4B TO247B-4L封装，耐压1200V,Ids电流66A@25度，46A@100度,Idm=132A。Rdson=0.04R,Qg=101nc.

开关MOSFET管导通损耗：Pd_on:

Pd_on= Ipeak_pfc ^2*Rdson* Dpfc_max

Pd_on=21.65^2*0.04*0.348

Pd_on=6.5W

开关MOSFET管开关损耗Psw_mosfet:

为了EMI,EMC高频段指标容易通过，我们将开通上升时间与关闭下降时间分别设定350ns. 假设开通过程与关闭过程一样。

Psw_mosfet=0.5*Vds_pfc* Ipeak_pfc*(tr+tf)*Fsw

Psw_mosfet=(0.5*180V*21.65)*(350+350)*45*10^3*10^-9

Psw_mosfet=1948*700*45*10^-6

Psw_mosfet=61.36W

开关MOSFET管驱动损耗Pq_mosfet:

为了降低导通电阻Rdson, 按MOSFET规格书，我们设置Vgs为15V

Pq_mosfet=Vgs_max *Qg* Fsw

Pq_mosfet=15*101*45*10^3*10^-9

Pq_mosfet=0.068W

开关MOSFET管关闭损耗Poff_mosfet:

MOSFET关闭后，在Vds的电压下有漏电流产生。这个按规格书IDSS最大是50uA

Poff_mosfet= VIN_max*IDSS*(1- Dpfc_max)

Poff_mosfet=265V*50*10^-6*(1-0.348)

Poff_mosfet=13250*0.652*10^-6

Poff_mosfet=0.0087W

开关MOSFET管总的损耗P_tol_mosfet_pfc:

P_tol_mosfet_pfc= Pd_on+ Psw_mosfet+ Pq_mosfet+ Poff_mosfet

P_tol_mosfet_pfc=6.5W+61.36W+0.068W+0.0087W

P_tol_mosfet_pfc=67.93W

PFC升压二极管的选择：

升压二极管均方根电流 ID_diode_rms:

ID_diode_rms=0.5*Ipeak_pfc*[4*1.414*vin/(9*3.14*VOpfc)]^0.5

ID_diode_rms=0.5*21.65*[4*1.414*180/(9*3.14*390)]^0.5

ID_diode_rms=10.825*[1018.08/11021.4]^0.5

ID_diode_rms=10.825*0.09237^0.5

ID_diode_rms=10.825*0.304

ID_diode_rms=3.29A

可选ON安森美的碳化硅二极管 FFSH1665ADN-F155  TO247 电流16A，VF=1.6V@125度。没有Qrr. 这个型号是两个二极管组成。两路PFC用这一个管子。

升压二极管导通损耗：PD_dide:

PD_dide= IO_AV*VF+Rd* ID_diode_rms^2

因二极管通态内阻非常小，也很少有规格书给你这个数据，所以这里忽略：最后变成这样：

PD_dide= IO_AV*VF

PD_dide=2.8*1.6

PD_dide=4.48W

升压二极管开通损耗：PD_on_sw:

二极管开通损耗是指从截止到导通时产生过渡时间的损耗。

PD_on_sw=VF*Qc_diode*Fsw

Qc_diode是二极管内部总电霍。规格书显示27nc.

PD_on_sw=1.6*27*45*10^-9*10^3

PD_on_sw=0.0019W

升压二极管关断损耗：PD_off_sw:

二极管关断承受的电压是输出电压390V.

PD_off_sw=1/4*VR_DIODE*Qc_diode*Fsw

PD_off_sw=1/4*390*27*45*10^-9*10^3

PD_off_sw=0.118W

升压二极管的总损耗：PD_tol:

PD_tol= PD_dide+PD_on_sw+PD_off_sw

PD_tol=4.48W+0.0019W+0.118W

PD_tol=4.6W

升压二极管散热面积的计算：

散热面积决定了选多大散热器，以及散热器的类型：

根据散热器基本公式：

Q=h*A*(T_h-T_c)

式中Q是散热量,单位W，

H是换热系数。自然空气冷却是5W/m^2 ,120MM以下空强迫风冷，30W/M^2, 120MM以上强迫风冷是45W/M^2, 大型轴流离心风扇强迫风冷60W/M^2

  散热器不做表面处理时，热幅射是自然对流的25%。

  散热器镀成黑色是，热幅射是自然对流的40%。

Th是散热器的平均温度，我们这里定义90度。

Tc是空气温度。定义50度。

根据以上理论散热面积A就很容易了，

A=Q/(h(Th-Tc)

A=4.6/5*(90-50)

A=0.023M^2

A=23000mm.

我们选择散热面积要大于23000mm.