记一次“粗暴”的Flash模拟EEPROM法（用的STM32F030C6芯片，没找到模拟EEPROM库函数）

记一次“粗暴”的Flash模拟EEPROM法

         有个项目用的STM32F030的芯片，有2个参数需要存储，但是画板子的时候没有外加FLASH或24C02芯片。像平时用的多的STM32F1芯片，有专门的flash模拟eeprom库函数，直接调用库函数用用就好了。我在网上找了许久，也没找到STM32F0对应的库函数，而且我还是用的HAL库。

         单片机内部是NORflash，擦除只能整页擦除，当然写可以按“字”写。这款芯片flash一共32k，分成32页，每页1k的大小；程序编译完一共要占用11k的空间，还有后面的21kflash是空闲的。

         我灵机一动，我干嘛费力气去找flash模拟EEPROM的库函数，或者自己模仿写一个库函数呢。我一共两个参数，我直接每一页只存一个参数好了（当然，我这两个参数不需要频繁写，基本上只要出厂写一次，以后只要读取就好了）。这样写的时候整页擦除又不影响其他参数，读的时候就正常读就好了。虽然2个参数占用了3k的flash，但是反正内存够用，哈哈。

这是往flash写参数的函数。

至于设备上电时读取数据么，就更加简单粗暴了，反正我知道内存地址，直接读咯

只不过这里要注意加volatile关键字，不然被编译器优化掉就悲剧了。