STM32芯片片内FLASH模拟EEPROM实验

STM32本身没有自带EEPROM,但是STM32具有IAP(在应用编程)功能,所以我们可以把它的FLASH当成EEPROM来使用。本章,我们将利用STM32内部的FLASH来实现第二十八章类似的效果,不过这次我们是将数据直接存放在STM32内部,而不是存放在W25Q64。本章分为如下几个部分:

39.1 STM32 FLASH简介

39.2 硬件设计

39.3 软件设计

39.4 下载验证

39.1 STM32 FLASH简介

不同型号的STM32,其FLASH容量也有所不同,最小的只有16K字节,最大的则达到了1024K字节。战舰STM32开发板选择的STM32F103ZET6FLASH容量为512K字节,属于大容量产品(另外还有中容量和小容量产品),大容量产品的闪存模块组织如图39.1.1所示:


39.1.1 大容量产品闪存模块组织

STM32的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。

主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如const类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为256页,每页2K字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000 B0B1都接GND的时候,就是从0X08000000开始运行代码的。

信息块,该部分分为2个小部分,其中启动程序代码,是用来存储ST自带的启动程序,用于串口下载代码,当B0V3.3B1GND的时候,运行的就是这部分代码。用户选择字节,则一般用于配置写保护、读保护等功能,本章不作介绍。

闪存存储器接口寄存器,该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。

对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理;编程与擦除的高电压由内部产生。

在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作。

       闪存的读取

内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址,任何32位数据的读操作都能访问闪存模块的内容并得到相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器,还包含一个AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工作是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块,预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指操作,数据常量是通过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块,访问D-Code将比预取指令优先级高。

这里要特别留意一个闪存等待时间,因为CPU运行速度比FLASH快得多,STM32F103FLASH最快访问速度≤24Mhz,如果CPU频率超过这个速度,那么必须加入等待时间,比如我们一般使用72Mhz的主频,那么FLASH等待周期就必须设置为2,该设置通过FLASH_ACR寄存器设置。

例如,我们要从地址addr,读取一个半字(半字为16为,字为32位),可以通过如下的语句读取:

                    data=*(vu16*)addr;

addr强制转换为vu16指针,然后取该指针所指向的地址的值,即得到了addr地址的值。类似的,将上面的vu16该位vu8,即可读取指定地址的一个字节。相对FLASH读取来说,STM32 FLASH的写就复杂一点了,下面我们介绍STM32闪存的编程和擦除。

       闪存的编程和擦除

STM32的闪存编程是由FPEC(闪存编程和擦除控制器)模块处理的,这个模块包含732位寄存器,他们分别是:

l  FPEC键寄存器(FLASH_KEYR)

l  选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)

l  闪存控制寄存器(FLASH_CR)

l  闪存状态寄存器(FLASH_SR)

l  闪存地址寄存器(FLASH_AR)

l  选择字节寄存器(FLASH_OBR)

l  写保护寄存器(FLASH_WRPR)

其中FPEC键寄存器总共有3个键值:

RDPRT=0X000000A5

KEY1=0X45670123

KEY2=0XCDEF89AB

STM32复位后,FPEC模块是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器;通过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块(即写入KEY1KEY2),只有在写保护被解除后,我们才能操作相关寄存器。

STM32闪存的编程每次必须写入16位(不能单纯的写入8位数据哦!),当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时,在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程;写入任何非半字的数据,FPEC都会产生总线错误。在编程过程中(BSY位为’1),任何读写闪存的操作都会使CPU暂停,直到此次闪存编程结束。

同样,STM32FLASH在编程的时候,也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的(也就是其值必须是0XFFFF),否则无法写入,在FLASH_SR寄存器的PGERR位将得到一个警告。

STM23FLASH编程过程如图39.1.2所示:


39.1.2 STM32闪存编程过程

       从上图可以得到闪存的编程顺序如下:

l  检查FLASH_CRLOCK是否解锁,如果没有则先解锁

l  检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作

l  设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1

l  在指定的地址写入要编程的半字

l  等待BSY位变为’0

l  读出写入的地址并验证数据

前面提到,我们在STM32FLASH编程的时候,要先判断缩写地址是否被擦除了,所以,我们有必要再绍一下STM32的闪存擦除,STM32的闪存擦除分为两种:页擦除和整片擦除。页擦除过程如图39.1.3所示


39.1.3 STM32闪存页擦除过程

 

从上图可以看出,STM32的页擦除顺序为:

l  检查FLASH_CRLOCK是否解锁,如果没有则先解锁

l  检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作

l  设置FLASH_CR寄存器的PER位为’1

l  FLASH_AR寄存器选择要擦除的页

l  设置FLASH_CR寄存器的STRT位为’1

l  等待BSY位变为’0

l  读出被擦除的页并做验证

本章,我们只用到了STM32的页擦除功能,整片擦除功能我们在这里就不介绍了。通过以上了解,我们基本上知道了STM32闪存的读写所要执行的步骤了,接下来,我们看看与读写相关的寄存器说明。

第一个介绍的是FPEC键寄存器:FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图39.1.4所示:


39.1.4 寄存器 FLASH_KEYR各位描述

该寄存器主要用来解锁FPEC,必须在该寄存器写入特定的序列(KEY1KEY2)解锁后,才能对FLASH_CR寄存器进行写操作。

第二个要介绍的是闪存控制寄存器:FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图39.1.5所示:


39.1.5 寄存器 FLASH_CR各位描述

       该寄存器我们本章只用到了它的LOCKSTRTPERPG4个位。

       LOCK位,该位用于指示FLASH_CR寄存器是否被锁住,该位在检测到正确的解锁序列后,硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后,在下次系统复位之前,该位将不再改变。

       STRT位,该位用于开始一次擦除操作。在该位写入,将执行一次擦除操作。

       PER位,该位用于选择页擦除操作,在页擦除的时候,需要将该位置1

       PG位,该位用于选择编程操作,在往FLASH写数据的时候,该位需要置1

       FLASH_CR的其他位,我们就不在这里介绍了,请大家参考《STM32F10xxx闪存编程参考手册》第18页。

       第三个要介绍的是闪存状态寄存器:FLASH_SR。该寄存器各位描述如图39.1.6所示:

 


39.1.6 寄存器 FLASH_SR各位描述

       该寄存器主要用来指示当前FPEC的操作编程状态。

       最后,我们再来看看闪存地址寄存器:FLASH_AR。该寄存器各位描述如图39.1.7所示:


39.1.7 寄存器 FLASH_AR各位描述

       该寄存器在本章,我们主要用来设置要擦除的页。

       关于STM32 FLASH的介绍,我们就介绍到这。更详细的介绍,请参考《STM32F10xxx闪存编程参考手册》。

39.2 硬件设计

本章实验功能简介:开机的时候先显示一些提示信息,然后在主循环里面检测两个按键,其中1个按键(WK_UP)用来执行写入FLASH的操作,另外一个按键(KEY1)用来执行读出操作,在TFTLCD模块上显示相关信息。同时用DS0提示程序正在运行。

所要用到的硬件资源如下:

1)  指示灯DS0

2)  WK_UPKEY1按键

3)  TFTLCD模块

4)  STM32内部FLASH

本章需要用到的资源和电路连接,在之前已经全部有介绍过了,接下来我们直接开始软件设计。

39.3 软件设计

打开上一章的工程,首先在HARDWARE文件夹下新建一个STMFLASH的文件夹。然后新建一个stmflash.cstmflash.h的文件保存在STMFLASH文件夹下,并将这个文件夹加入头文件包含路径。

       打开stmflash.c文件,输入如下代码:

#include "stmflash.h"

#include "delay.h"

#include "usart.h"

//解锁STM32FLASH

void STMFLASH_Unlock(void)

{

  FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;//写入解锁序列.

  FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;

}

//flash上锁

void STMFLASH_Lock(void)

{

  FLASH->CR|=1<<7;//上锁

}

//得到FLASH状态

u8 STMFLASH_GetStatus(void)

{    

       u32 res;         

       res=FLASH->SR;

       if(res&(1<<0))return 1;            //

       else if(res&(1<<2))return 2;  //编程错误

       else if(res&(1<<4))return 3;  //写保护错误

       return 0;                                     //操作完成

}

//等待操作完成

//time:要延时的长短

//返回值:状态.

u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time)

{

       u8 res;

       do

       {

              res=STMFLASH_GetStatus();

              if(res!=1)break;//非忙,无需等待了,直接退出.

              delay_us(1); time--;             

        }while(time);

        if(time==0)res=0xff;//TIMEOUT

        return res;

}

//擦除页

//paddr:页地址

//返回值:执行情况

u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr)

{

       u8 res=0;

       res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待上次操作结束,>20ms   

       if(res==0)

       {

              FLASH->CR|=1<<1;//页擦除

              FLASH->AR=paddr;//设置页地址

              FLASH->CR|=1<<6;//开始擦除           

              res=STMFLASH_WaitDone(0X5FFF);//等待操作结束,>20ms 

              if(res!=1)//非忙

              {

                     FLASH->CR&=~(1<<1);//清除页擦除标志.

              }

       }

       return res;

}

//FLASH指定地址写入半字

//faddr:指定地址(此地址必须为2的倍数!!)

//dat:要写入的数据

//返回值:写入的情况

u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat)

{

       u8 res;              

       res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);    

       if(res==0)//OK

       {

              FLASH->CR|=1<<0;//编程使能

              *(vu16*)faddr=dat;//写入数据

              res=STMFLASH_WaitDone(0XFF);//等待操作完成

              if(res!=1)//操作成功

              {

                     FLASH->CR&=~(1<<0);//清除PG.

              }

       }

       return res;

}

//读取指定地址的半字(16位数据)

//faddr:读地址

//返回值:对应数据.

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)

{

       return *(vu16*)faddr;

}

#if STM32_FLASH_WREN  //如果使能了写  

//不检查的写入

//WriteAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16)  

void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)  

{                                 

       u16 i;

       for(i=0;i<NumToWrite;i++)

       {

              STMFLASH_WriteHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);

           WriteAddr+=2;//地址增加2.

       } 

}

//从指定地址开始写入指定长度的数据

//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16)(就是要写入的16位数据的个数.)

#if STM32_FLASH_SIZE<256

#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节

#else

#define STM_SECTOR_SIZE      2048

#endif           

u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) 

{

       u32 secpos;        //扇区地址

       u16 secoff;        //扇区内偏移地址(16位字计算)

       u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)   

      u16 i;   

       u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址

       if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*

STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址

       STMFLASH_Unlock();                                            //解锁

       offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;             //实际偏移地址.

       secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6

       secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;  //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)

       secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小  

       if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围

       while(1)

       {    

              STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,

STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容

              for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据

              {

                     if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除      

              }

              if(i<secremain)//需要擦除

              {

                     STMFLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+

STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区

                     for(i=0;i<secremain;i++) STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];//复制                            STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+

STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);

//写入整个扇区 

              }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);

//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                              

              if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了

              else//写入未结束

              {

                     secpos++;                            //扇区地址增1

                     secoff=0;                      //偏移位置为0      

                   pBuffer+=secremain;    //指针偏移

                     WriteAddr+=secremain; //写地址偏移    

                   NumToWrite-=secremain;      //字节(16)数递减

                     if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;

//下一个扇区还是写不完

                     else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了

              }    

       };   

       STMFLASH_Lock();//上锁

}

#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16)

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)        

{

       u16 i;

       for(i=0;i<NumToRead;i++)

       {

              pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.

              ReadAddr+=2;//偏移2个字节.   

       }

}

该部分代码,我们重点介绍一下STMFLASH_Write函数,该函数用于在STM32的指定地址写入指定长度的数据,该函数的实现基本类似第28章的SPI_Flash_Write函数,不过该函数对写入地址是有要求的,必须保证以下两点:

1,  该地址必须是用户代码区以外的地址。

2,  该地址必须是2的倍数。

条件1比较好理解,如果把用户代码给卡擦了,可想而知你运行的程序可能就被废了,从而很可能出现死机的情况。条件2则是STM32 FLASH的要求,每次必须写入16位,如果你写的地址不是2的倍数,那么写入的数据,可能就不是写在你要写的地址了。

另外,该函数的STMFLASH_BUF数组,也是根据所用STM32FLASH容量来确定的,战舰STM32开发板的FLASH512K字节,所以STM_SECTOR_SIZE的值为512,故该数组大小为2K字节。其他函数我们就不做介绍了,保存stmflash.c文件,并加入到HARDWARE组下,然后打开stmflash.h,在该文件里面输入如下代码:

#ifndef __STMFLASH_H__

#define __STMFLASH_H__

#include "sys.h" 

//

//用户根据自己的需要设置

#define STM32_FLASH_SIZE    512        //所选STM32FLASH容量大小(单位为K)

#define STM32_FLASH_WREN 1       //使能FLASH写入(0,不是能;1,使能)

//

//FLASH起始地址

#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000     //STM32 FLASH的起始地址

//FLASH解锁键值

#define FLASH_KEY1               0X45670123

#define FLASH_KEY2               0XCDEF89AB

void STMFLASH_Unlock(void);                       //FLASH解锁

void STMFLASH_Lock(void);                          //FLASH上锁

u8 STMFLASH_GetStatus(void);                       //获得状态

u8 STMFLASH_WaitDone(u16 time);                //等待操作结束

u8 STMFLASH_ErasePage(u32 paddr);              //擦除页

u8 STMFLASH_WriteHalfWord(u32 faddr, u16 dat);//写入半字

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr);      //读出半字 

void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len);

//指定地址开始写入指定长度的数据

u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len);                                     

//指定地址开始读取指定长度数据

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);       

//从指定地址开始写入指定长度的数据

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);              

//从指定地址开始读出指定长度的数据                                          

#endif

保存此部分代码。最后,打开test.c文件,修改main函数如下:

//要写入到STM32 FLASH的字符串数组

const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH TEST"};

#define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)                  ///数组长度

#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000   //设置FLASH 保存地址(必须为偶数,

//且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

int main(void)

{           

       u8 key;

       u16 i=0;

       u8 datatemp[SIZE];

      Stm32_Clock_Init(9);    //系统时钟设置

       uart_init(72,9600);      //串口初始化为9600

       delay_init(72);                  //延时初始化

       LED_Init();                 //初始化与LED连接的硬件接口

       LCD_Init();                  //初始化LCD

       usmart_dev.init(72);      //初始化USMART       

      KEY_Init();                  //按键初始化

      NRF24L01_Init();      //初始化NRF24L01

      POINT_COLOR=RED;//设置字体为红色

       LCD_ShowString(60,50,200,16,16,"WarShip STM32");   

       LCD_ShowString(60,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");      

       LCD_ShowString(60,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");

       LCD_ShowString(60,110,200,16,16,"2012/9/13"); 

       LCD_ShowString(60,130,200,16,16,"WK_UP:Write KEY1:Read");

       POINT_COLOR=BLUE;

       //显示提示信息

       POINT_COLOR=BLUE;//设置字体为蓝色  

       while(1)

       {

              key=KEY_Scan(0);

              if(key==KEY_UP)//WK_UP按下,写入STM32 FLASH

              {

                     LCD_Fill(0,150,239,319,WHITE);//清除半屏   

                    LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"Start Write FLASH....");

                     STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)TEXT_Buffer,SIZE);

                     LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成

              }

              if(key==KEY_DOWN)//KEY1按下,读取字符串并显示

              {

                    LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");

                     STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)datatemp,SIZE);

                     LCD_ShowString(60,150,200,16,16,"The Data Readed Is:  ");//提示传送完成

                     LCD_ShowString(60,170,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串

              }

              i++;

              delay_ms(10); 

              if(i==20)

              {

                     LED0=!LED0;//提示系统正在运行    

                     i=0;

              }              

       }             

}

至此,我们的软件设计部分就结束了。

39.4 下载验证

在代码编译成功之后,我们通过下载代码到ALIENTEK战舰STM32开发板上,通过先按WK_UP按键写入数据,然后按KEY1读取数据,得到如图39.4.1所示:


39.4.1 程序运行效果图

伴随DS0的不停闪烁,提示程序在运行。本章的测试,我们还可以借助USMART,在USMART里面添加STMFLASH_ReadHalfWord函数,既可以读取任意地址的数据。当然,你也可以将STMFLASH_Write稍微改造下,这样就可以在USMART里面验证STM32 FLASH的读写了。



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