场效应管MOSFET选型参数,结构原理,工艺与注意问题总结

本文详细介绍了MOSFET的工作原理,包括初始状态和栅极电压的影响,以及其结构特点如厚氧化层和大尺寸结构。此外,还涵盖了MOSFET的工艺流程,选型参数如漏极电流、导通电阻和开关速度,并强调了设计中需要注意的问题,如热管理、开关速度和ESD保护等。
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1,概述

    场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它与双极结型晶体管(BJT)在构造和工作原理上有所不同。FET是通过电场效应来控制电流的大小,而BJT则是通过电流来控制电流。本文对MOSFET的工作原理,结构特点,工艺流程,选型参数及设计注意事项进行总结。


2,工作原理

    MOSFET的工作原理可以归纳为以下几点。
    MOSFET的基本结构由源极、漏极和栅极组成。源极和漏极是电流的主要通道,而栅极则用于控制这个通道的开启和关闭。


2.1,初始状态

    在MOSFET的初始状态,即栅极电压为零时,MOSFET处于截

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