达林顿晶体管阵列选型参数,结构原理,工艺与注意问题总结

达林顿晶体管阵列是一种提高电流放大能力的特殊电路结构,常用于高电压大电流应用。本文详细介绍了其工作原理、结构特点、工艺流程、选型参数及设计注意事项,包括电压、电流、功率、增益等关键参数的选择,以及热设计和兼容性等设计考虑。
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1,概述

    达林顿晶体管阵列(Darlington Transistor Array)是一种特殊的晶体管电路结构,由两个或多个晶体管级联而成。这种结构的主要目的是提高电路的增益和电流放大能力。达林顿晶体管阵列通常用于高电压、大电流的开关和控制应用,例如电动机控制、电源开关和继电器驱动等。本文对达林顿晶体管阵列的工作原理,结构特点,工艺流程,选型参数及设计注意事项进行总结。


1,工作原理

    达林顿晶体管阵列的工作原理基于达林顿管的基本工作原理,即将两个晶体管级联起来形成共射放大器。
    在达林顿晶体管阵列中,第一个晶体管作为电流放大器,负责放大输入信号并驱动第二个晶体管。第二个晶体管则作为电压放大器,将电流信号转换为输出电压信号。两个晶体管的发射极i/p连接到晶体管基极的o/p,晶体管的集电极连接在一起。这种连接方式使得晶体管i/p放大了电流&

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