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摘要
集成量子存储器在大规模量子网络建设中将扮演核心作用。近年来,人们致力于实现高性能集成光量子存储器件,其中基于稀土掺杂固体材料的集成固态光量子存储器件具有显著优势。此类量子存储器有望支持长时间、高效率、高保真、大带宽和多模式的光量子存储,还易与其他量子功能器件直接集成,发展全集成的量子信息器件。回顾了不同集成固态光量子存储器件的研究进展,包括掺铒石英光纤、钛扩散掺杂铌酸锂波导、飞秒激光直写掺杂波导和聚焦离子束刻蚀掺杂器件等,比较分析了各自的特点、潜力和挑战。
关键词: 量子网络; 量子存储; 稀土掺杂固体材料; 可集成性
0 引言
量子网络[1⇓-3]将实现许多革命性的应用,包括量子通信、量子计算和量子精密测量[4⇓⇓⇓-8]等。为了实现远距离量子网络节点间的量子互联,光子被认为是最适合的量子信息载源,它不仅有利于实现远距离传输,还便于进行量子信息编码。尽管通过光纤直接传输光子并完成量子信息应用的最长距离已经达到1 000 km[9],但是光子损耗随量子通道距离呈指数增加,进一步增加光子的传输距离仍然具有挑战性。克服距离限制的有效方法之一是量子中继方案[10],它将传输通道划分为多个短距离链路,即基础链路,并通过量子纠缠交换在基础链路之间建立量子纠缠联接[11-12]。量子中继方案的实现依赖于使用光量子存储器实现不同基础链路间的时间同步。因此,发展大规模量子网络的主要挑战之一是研制高性能的光量子存储器件[13]。
近年来,人们致力于在各种量子材料中实现高性能的量子存储,包括单粒子[14]、原子气体[15]和稀土离子掺杂固态(Rare-Earth Ions Doped Solid-State,REIDS)材料[16-17]等。每个材料体系在某些指标上具备一些性能优势,然而考虑到实际应用中对器件的可扩展性要求,可集成的光量子存储器件对大规模量子网络的建设至关重要。在发展集成光量子存储器件方面,使用REIDS材料的技术路线具有以下显著特点:一方面,大部分光量子存储协议都可以在REIDS材料的器件中实现;另一方面,RIEDS材料制备的器件可以实现长时间、高效率、高保真、大带宽和多模式的光量子存储,还可以直接实现片上制备,甚至能与其他片上功能器件直接结合[18],例如可以将片上光量子存储与量子光源、单光子探测集成构成功能全面的量子信息器件。目前,已经有多种方法来制备集成固态光量子存储器件,包括掺铒石英光纤方案、钛扩散掺杂铌酸锂波导方案、激光直写掺杂波导方案和聚焦离子束刻蚀掺杂器件方案。本文在介绍常用固态量子存储协议的基础上,总结集成固态光量子存储器件最新研究进展,并对集成固态光量子存储件的特点、潜力和未来挑战进行分析。
1 固态量子存储协议简介
光量子存储的本质是通过光与物质相互作用来实现光子波包相干性的输入、存储和读取。在过去二十年,光量子存储器已经在多种物理体系中得到实现,包括REIDS材料、NV色心(Nitrogen-Vacancy Center)、半导体量子点、单原子、光机械振子、热原子系综、冷原子系综等。所采用的光量子存储协议包括电磁诱导透明协议(Electromagnetically Induced Transparency,EIT)、原子频率梳协议(Atomic Frequency Combs,AFC)、光子回波协议(Photon Echo,PE)等。
1.1 电磁诱导透明协议(EIT)
EIT最早由美国斯坦福大学S.Harris等[19]在1991年观测到的物理现象,即在控制光的作用下,原子对光的吸收变得透明或者吸收大幅减小。随后,这一现象被广泛应用于光量子存储中。EIT存储的一个必要条件是原子系综存在Λ型的能级结构。探测光,即信号光与基态到激发态跃迁共振,在进入介质之前用控制光将原子系综初始化,也就是应用一束与基态|g>到自旋能级跃迁|s>共振的强控制光将所有原子转移至基态形成透明窗口。在信号光进入存储介质以后关闭控制光,介质的透明窗口消失,探测光被介质吸收并以相干态的形式存储在自旋能级上。在存储一段时间后,再次将控制光打开,探测光则从自旋能级重新回到基态并辐射出光子。2013年,德国达姆施塔特工业大学T.Halfmann团队[20]在Pr3+:Y2SiO5晶体中实现了基于EIT的存储,存储时间超过了1 min。EIT存储协议的缺点在于透明窗口的带宽在兆赫兹量级,难以实现比透明窗口带宽更大的宽带存储。
1.2 原子频率梳协议(AFC)
AFC由瑞士日内瓦大学N. Gisin团队[21]于2009年提出。与EIT不同,AFC最大的优势在于可以充分利用具有非均匀展宽的原子系综,实现宽带以及多模式存储。通过使用泵浦激光对原子系综的非均匀展宽做频率选择性光学泵浦,形成一系列频率间隔为Δ的梳状结构,不需要的原子从基态|g>的泵浦到激发态|e>后进一步退相干演化到辅助能级|aux>上。当与原子系综的跃迁能级共振的信号光子进入到所制备的AFC中被吸收后,生成Dicke态,具体如下。
ψ |ψ>=1N ∑jNcjei2πδjte-iκzj|g1…ej…gN>
(1)
其中,N为原子数,|gj>和|ej>代表原子j的基态和激发态