一,这次的设计是一个简单的二级运算放大器
并且第一级是电流镜作为负载的差分方法
第二级放大器是 共源级放大器
保证增益为1000 GBW即60dB以上 相位裕度为60° 负载电容5pF
二,具体的电路图不放在这里,有些设计还需要完善
这里总结自己踩过的坑
首先就是是否加dummy 加dummy就是保证电路更加的匹配,减少误 差,因为在边缘的管子在刻蚀的时候会受到影响,也是为了保证芯片的可制造性。
三,什么是dummy
其实也就是mos管 但是mos管的四个端口是短接的,也就是除了自身会带来寄生的影响,dummy管本身是没有什么作用的
短接也就是比如在PMOS两端就是 GS两端即栅极与源极接在一起,PMOS的B端(衬底)要接在高电位,
其实放大器的原理图比较好设计,主要就是进行参数的计算在计算的时候,主要就是MOS管的自身的一些参数,比如μox以及Cox,Vth等,这些参数可以先对MOS管做一个DC分析,输出他们的DC工作点时候的参数,记录一下,相同类型的管子可以多看几个计算一下平均值,注意管子要工作在饱和区。
设计版图的时候,电流镜负载采用的是ABBA型的排列,主要栅极的连接,以及dummy的短接,差分对输入采用的是共质心匹配,主要间距。
如果在layout xl环境下 开启option里面的DRC,如下图,就是在你走线,放管的时候自动提醒你的间距或者是最小面积,也不一定因为,我最后在DRC的时候还是出现了提醒金属con面积不够的错误。
如下图设置
DRC跟LVS的时候都出现了一个错误就是
首先也是进行了百度搜索,ofcourse不太能看懂,但是大概的意思就是我的layout版图里面其他的view,也就是我调用了mos管,当时的我不太能明白怎么去解决,下了决心,问老师吧,会快点,之后经过师兄的帮助,解决了这个问题,主要就是自己应该i调用了器件,但是太小了,或者是太远了,我们都没找到,,最后经过把版图复制到另一个另一个layout里面lvs终于开始工作了,虽然有错误。
lvs的错误 有一个是不同层金属连接,没打孔,这个也是比较容易发现跟解决,还有一个,如下图
就是连线的不正确,可以发现两个错误是对称的,我其实不太明白什么错误,我就是版图上的NET6 NET7的连线好好看看了,是对的,但是lvs就是一直报错,后来来经过仔细对比原理图,发现是加在电流镜负载的 M4管的dummy我在版图是连在了M3上,好的
找到问题,明白问题,解决问题,
改版图不现实,,因为主要是dummy管的摆放连接不对所以就是该原理图就行了
改完之后 就是dummy接在了M4两边就行了
如下图
之后保存!! 再次进行lvs
笑脸出现了 目前之后初步完成了版图,以及前仿,在在后仿的时候,果然又开始不错的出错了
细节一点,他们的错误一样就是 我设置的端口全部都没有显示出来,这问题我之前碰到过,老师处理了,但是我忘了.....(所以写下来很有必要2333
细节问题如下图:
okk 元旦快乐
下次写上面的解决方式,
主要就是自己先想想解决,之后不行就要多问,师兄他们踩过的,或许你现在正在踩,先谢谢师兄和老师,《王老师也是非常细心的帮助我这个小菜鸟