DDR Layout constraint

1. To maximize signal integrity, the use of controlled impedance traces of Z0 = 50 ohms (±10%) characteristic impedance should be considered.  
2. Consider routing high frequency signals on layers adjacent to a common reference plane (i.e. power or ground). 
3. Route each data group (DQS and DQ) on the same layer to match propagation delays and minimize skew. 
4. Route similar signals (i.e. address bus or data bus) on the same layer to match propagation delays and minimize signal –signal skew.
5. Separate low frequency and high frequency signals to minimize crosstalk.
6. Traces should be routed in a daisy chain manner versus a star topology to maintain signal integrity and facilitate a termination connection (if required).
7. Maximize trace spacing to other signal groups:
8. Signals should be routed in a daisy chain topology and preferably on the same layer with no vias.
9. When connecting two or more memories, make the DDR address and control signals about the same length as the DDR clock traces. This will ensure the data setup and hold times are met.
10. To minimize potential timing issues induced by trace routing. The DQ[63:0] and associated DQS[7:0] should have equal trace lengths. The data bus and data strobe should be matched in groups.
11. Use IBIS models and simulation tools to ensure the setup and hold times are met at maximum operating frequency of the DDR SDRAM.

The SSTL_2 I/O standard for DDR SDRAM uses a reference voltage to maintain the DDR signals near their switching levels to increase switching speed.The VREF signal can be generated using a simple resistor divider with 1% or better accuracy.

The VREF voltage signal should meet the following requirements to ensure maximum DDR SDRAM performance:
• Maintain maximum clearance from other nets
• Use a distributed decoupling scheme to minimize ESL and localize transient currents and returns.
• Simplify interface by routing on the top signal trace layer.

The termination voltage supply (VTT) needs to track the DDR SDRAM supply voltage, VDDQ, and it needs to source and sink the load current. Here are some guidelines for VTT layout and implementation:
• Place termination resistors on a top layer VTT (termination voltage supply) which is at the end of the bus.
• Place the VTT generator as close as possible to the termination resistors.
• Its maximum voltage deviation should not exceed 40mV during extreme load transients, from the maximum rated sinking current to the maximum rated sourcing current.

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DDR2Layout指导手册 DDR布线通常是一款硬件产品设计中的一个重要的环节,也正是因为其重要性,网络上也有大把的人在探讨DDR布线规则,有很多同行故弄玄虚,把DDR布线说得很难,我在这里要反其道而行之,讲一讲DDR布线最简规则与过程。 如果不是特别说明,每个步骤中的方法同时适用于DDR1,DDR2和DDR3。PCB设计软件以Cadence Allgro 16.3为例。 第一步,确定拓补结构(仅在多片DDR芯片时有用) 首先要确定DDR的拓补结构,一句话,DDR1/2采用星形结构,DDR3采用菊花链结构。 拓补结构只影响地址线的走线方式,不影响数据线。以下是示意图。 DDR-Topology 星形拓补就是地址线走到两片DDR中间再向两片DDR分别走线,菊花链就是用地址线把两片DDR“串起来”,就像羊肉串,每个DDR都是羊肉串上的一块肉,哈哈,开个玩笑。 YangRouChuan 第二步,元器件摆放 确定了DDR的拓补结构,就可以进行元器件的摆放,有以下几个原则需要遵守: 原则一,考虑拓补结构,仔细查看CPU地址线的位置,使得地址线有利于相应的拓补结构 原则二,地址线上的匹配电阻靠近CPU 原则三,数据线上的匹配电阻靠近DDR 原则四,将DDR芯片摆放并旋转,使得DDR数据线尽量短,也就是,DDR芯片的数据引脚靠近CPU 原则五,如果有VTT端接电阻,将其摆放在地址线可以走到的最远的位置。一般来说,DDR2不需要VTT端接电阻,只有少数CPU需要;DDR3都需要VTT端接电阻。 原则六,DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚 以下是DDR2的元器件摆放示意图(未包括去耦电容),可以很容易看出,地址线可以走到两颗芯片中间然后向两边分,很容易实现星形拓补,同时,数据线会很短。 DDR2-Placement 以下是带有VTT端接电阻的DDR2元器件摆放示意图,在这个例子中,没有串联匹配电阻,VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远距离。 DDR2-Placement-VTT 以下是DDR3元器件摆放示意图,请注意,这里使用的CPU支持双通道DDR3,所以看到有四片(参考设计是8片)DDR3,其实是每两个组成一个通道,地址线沿着图中绿色的走线传递,实现了菊花链拓补。地址线上的VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远的地方。同样地,数据线上的端接电阻也放置在了靠近DDR3芯片的位置,数据线到达CPU的距离很短。同时,可以看到,去耦电容放置在了很靠近DDR3相应电源引脚的地方。 DDR3-Placement 第三步,设置串联匹配电阻的仿真模型 摆放完元器件,建议设置串联匹配电阻的仿真模型,这样对于后续的布线规则的设置是有好处的。 点击AnalyzeSI/EMI SimModel Assignment,如下图。 Model-Assigment 然后会出来Model Assignment的界面,如下图 Model-Assigment-Menu 然后点击需要设置模型的器件,通常就是串联匹配电阻,分配或创建合适的仿真的模型,如果不知道如何创建,请在互联网上搜索或发邮件给正旗通信(Zencheer Studio)。 Model-Assigment-Select 分配好仿真模型之后的网络,使用Show Element命令,可以看到相关的XNET属性,如下图。 XNET-Show-Element 第四步,设置线宽与线距 1. DDR走线线宽与阻抗控制密切相关,经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路,完全有条件针对高速线做单端阻抗控制;但对于混合电路,包含高速数字电路与射频电路,射频电路比数字电路要重要的多,必须对射频信号做50欧姆阻抗控制,同时射频走线不可能太细,否则会引起较大的损耗,所以在混合电路中,本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止,本人设计的混合电路产品中,最高规格的DDRDDR2-800,未作阻抗控制,工作一切正常。 2. DDR的供电走线,建议8mil以上,在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定,我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件,并为所有电源网络分配这一约束条件,如下图。 PWR-10MIL 3. 线距部分主要考虑两方面,一是线-线间距,建议采用2W原则,即线间距是2倍线宽,3W很难满足;二是线-Shape间距,同样建议采用2W原则。对于线间距,也可以在Allegro中建立一种约束条件,为所有DDR走线(XNET)分配这样的约束条件,如下图。 DDR-2W 4. 还有一种可能需要的规则,就是区域规则。Allegro中默认的线宽线距都是5mil,在CPU引脚比较密集的时候,这样的规则是无法满足的,这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距,小线宽的区域规则,如下图。 region-rule 第五步,走线 走线就需要注意的内容比较多,这里只做少许说明。 所有走线尽量短 走线不能有锐角 尽量少打过孔 保证所有走线有完整的参考面,地平面或这电源平面都可以,对于交变信号,地与电源平面是等电位的 尽量避免过孔将参考面打破,不过这在实际中很难做到 走完地址线和数据后,务必将DDR芯片的电源脚,接地脚,去耦电容的电源脚,接地脚全部走完,否则在后面绕等长时会很麻烦的 下图是完成的DDR走线,但尚未绕等长。 DDR-Route-Done 第六步,设置等长规则 对于数据线,DDR1/2与DDR3的规则是一致的:每个BYTE与各自的DQS,DQM等长,即DQ0:7与DQS0,DQM。等长,DQ8:15与DQS1,DQM1等长,以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR2-Data-Rule DDR3数据线等长规则举例 DDR3-Data-Rule 地址线方面的等长,要特别注意,DDR1/2与DDR是很不一样的。 对于DDR1/2,需要设定每条地址到达同一片DDR的距离保持等长,如下图。 DDR2-Address-Rule 对于DDR3,地址线的等长往往需要过孔来配合,具体的规则均绑定在过孔上和VTT端接电阻上,如下图。可以看到,CPU的地址线到达过孔的距离等长,过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。 DDR3-Address-Rule 补充一点,很多时候,地址线的等长要求不严格,这一点我还没有尝试过。在本人设计的这些产品中,地址线,数据线都做了25mil的Relative Propagation Delay的等长规则设定。关于等长规则设定的细节在这里不再赘述,有兴趣的话,可以发邮件给正旗通信(Zencheer Studio)。 第七步,绕等长 完成等长规则的设定后,最后一步也是工作量最大的一步:绕等长。 在这一步,我认为只有一点规则需要注意:尽量采用3倍线宽,45度角绕等长,如下图。 Routing-Tunning 绕等长完成后,最好把DDR相关网络锁定,以免误动。 DDR-Layout-Example 到这里,DDR走线就已经完成了,在本人设计过的三,四十种产品中,都是按照上面的规则与过程完成的,DDR2最高规格是DDR2-800,512MB,DDR3最高规格是DDR3-1600,1GB,都可以很稳定的工作,无论性能还是可靠性,都未曾出过问题。 写下你的评论… 发表评论 DDR内存的布线经验 daniel117daniel1172013-12-03 14:32:361395 目前的嵌入式系统中普通使用DDR内存,有些可以支持DDR2内存,这些系统中PCB LAYOUT成为很关键的环节。LAYOUT不好可能造成系统远行不稳定甚至无法跑起来。以下是本人做硬件设计中的一点经... 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DDR走线线宽与阻抗控制密切相关,经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路,完全有条件针对高速线做单端阻抗控制;但对于混合电路,包含高速数字电路与射频电路,射频电路比数字电路要重要的多,必须对射频信号做50欧姆阻抗控制,同时射频走线不可能太细,否则会引起较大的损耗,所以在混合电路中,本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止,本人设计的混合电路产品中,最高规格的DDRDDR2-800,未作阻抗控制,工作一切正常。 2. DDR的供电走线,建议8mil以上,在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定,我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件,并为所有电源网络分配这一约束条件,如下图。 PWR-10MIL 3. 线距部分主要考虑两方面,一是线-线间距,建议采用2W原则,即线间距是2倍线宽,3W很难满足;二是线-Shape间距,同样建议采用2W原则。对于线间距,也可以在Allegro中建立一种约束条件,为所有DDR走线(XNET)分配这样的约束条件,如下图。 DDR-2W 4. 还有一种可能需要的规则,就是区域规则。Allegro中默认的线宽线距都是5mil,在CPU引脚比较密集的时候,这样的规则是无法满足的,这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距,小线宽的区域规则,如下图。 region-rule 第五步,走线 走线就需要注意的内容比较多,这里只做少许说明。 所有走线尽量短 走线不能有锐角 尽量少打过孔 保证所有走线有完整的参考面,地平面或这电源平面都可以,对于交变信号,地与电源平面是等电位的 尽量避免过孔将参考面打破,不过这在实际中很难做到 走完地址线和数据后,务必将DDR芯片的电源脚,接地脚,去耦电容的电源脚,接地脚全部走完,否则在后面绕等长时会很麻烦的 下图是完成的DDR走线,但尚未绕等长。 DDR-Route-Done 第六步,设置等长规则 对于数据线,DDR1/2与DDR3的规则是一致的:每个BYTE与各自的DQS,DQM等长,即DQ0:7与DQS0,DQM。等长,DQ8:15与DQS1,DQM1等长,以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR2-Data-Rule DDR3数据线等长规则举例 DDR3-Data-Rule 地址线方面的等长,要特别注意,DDR1/2与DDR是很不一样的。 对于DDR1/2,需要设定每条地址到达同一片DDR的距离保持等长,如下图。 DDR2-Address-Rule 对于DDR3,地址线的等长往往需要过孔来配合,具体的规则均绑定在过孔上和VTT端接电阻上,如下图。可以看到,CPU的地址线到达过孔的距离等长,过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。 DDR3-Address-Rule 补充一点,很多时候,地址线的等长要求不严格,这一点我还没有尝试过。在本人设计的这些产品中,地址线,数据线都做了25mil的Relative Propagation Delay的等长规则设定。关于等长规则设定的细节在这里不再赘述,有兴趣的话,可以发邮件给正旗通信(Zencheer Studio)。 第七步,绕等长 完成等长规则的设定后,最后一步也是工作量最大的一步:绕等长。 在这一步,我认为只有一点规则需要注意:尽量采用3倍线宽,45度角绕等长,如下图。 Routing-Tunning 绕等长完成后,最好把DDR相关网络锁定,以免误动。 DDR-Layout-Example 到这里,DDR走线就已经完成了,在本人设计过的三,四十种产品中,都是按照上面的规则与过程完成的,DDR2最高规格是DDR2-800,512MB,DDR3最高规格是DDR3-1600,1GB,都可以很稳定的工作,无论性能还是可靠性,都未曾出过问题。 写下你的评论… 发表评论 DDR内存的布线经验 daniel117daniel1172013-12-03 14:32:361395 目前的嵌入式系统中普通使用DDR内存,有些可以支持DDR2内存,这些系统中PCB LAYOUT成为很关键的环节。LAYOUT不好可能造成系统远行不稳定甚至无法跑起来。以下是本人做硬件设计中的一点经... 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