(闪存)存储基础知识

闪存的特性:
1.闪存在写之前必须先擦除，不能覆盖写，于是固态硬盘才需要垃圾回收（Garbage Collection，或者叫Recycle）；
2.坏块:
闪存每个块（Block）擦写次数达到一定值后，这个块要么变成坏块，要么存储在上面的数据不可靠；其次闪存出厂时存在坏块。因此需要ECC纠错保护。
固态硬盘固件必须做磨损平衡，让数据平均写在所有块上，而不是盯着几个块拼命写（不然很快固态硬盘就报废了）
3.Read Disturb 读干扰
读干扰影响的是同一个block中的其他page，而非读取的闪存页本身。
当你读取一个闪存页（Page）的时候，闪存块当中未被选取的闪存页的控制极都会加一个正电压，以保证未被选中的MOS管是导通的。这样问题就来了，频繁地在一个MOS管控制极加正电压，就可能导致电子被吸进浮栅极，形成轻微写，从而最终导致比特翻转
4.Program Disturb 写干扰
轻微写导致的，既影响当前的page也影响同一个block的其他page。
5.存储单元之间的耦合
导体之间的耦合电容
6.电荷泄露
长时间不用，电荷泄露

闪存基础结构

闪存的基本存储单元cell， 是一种类NMOS的双层浮栅（Floating Gate）MOS管。

在源极（Source）