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深入理解NAND Flash
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深入理解NAND Flash:闪存特性与实践.
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[NAND Flash] 3D NAND Flash 层数博弈, 从平房到摩天大楼 (2024 更新)
3D NAND 现在发展到多少层了?层数增加除了降低成本以及单个芯片更大容量以外,堆叠层数的增加能带来什么性能上的好处?原创 2024-03-03 17:29:45 · 665 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 7.1] 闪存系统性能优化方向集锦?AC timing? Cache? 多路并发?
内容摘要1.1 优化 AC Timing1.2 优化总线频率使用 Cache Read/Program多路并发技术3.1 多平面(Multi Plane)操作3.2 通道内交错(Interleave)并发3.3 多通道(channel)同时并发今天我们探索一下闪存系统的性能优化.原创 2024-01-30 21:16:03 · 613 阅读 · 2 评论 -
[NAND Flash 6.6] NAND FLASH Multi Plane Program(写)操作_multi plane 为何能提高闪存速度
对单个plane 写, 按这样的话, 要先program plane 0 完成后, 再 program plane 1。 如果我偷偷告诉你, 两个 plane 可以一起 program, 你会不会很开心, 这样可以缩短program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。原创 2024-01-14 22:45:52 · 382 阅读 · 5 评论 -
[NAND Flash 6.6] NAND FLASH Multi Plane Program(写)操作_multi plane 为何能提高闪存速度
对单个plane 写, 按这样的话, 要先program plane 0 完成后, 再 program plane 1。 如果我偷偷告诉你, 两个 plane 可以一起 program, 你会不会很开心, 这样可以缩短program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。原创 2024-01-14 22:42:05 · 222 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 6.5] NAND FLASH 多平面读(Multi Plane Read)时序及原理_闪存交错读时序(Interleave Read)
利用好NAND Flash芯片内部的这些并发单元,可以很好的提升闪存存储的IO性能。只是独立了数据寄存器,共享了操作寄存器,所以,不能很好地做到非常随意的数据并发。的操作可以独立、并发,只不过由于共享对外接口,因此在数据输出时还需要串行化。处于忙状态时,无法对其进行任何操作,在这个阶段,数据从。容量较小, 原理都是一样的,只是换算的地址位数不同。原创 2024-01-14 22:32:56 · 267 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 6.4] NAND FLASH基本读操作及原理_NAND FLASH Read Operation源码实现
`NAND Flash` 引脚功能读操作步骤`NAND Flash`中的特殊硬件结构`NAND Flash` 读写时的数据流向`Read` 操作时序读时序操作过程的解释`Read`操作实战流程设计`NAND Read`源码原创 2024-01-14 22:24:45 · 246 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 6.3] NAND FLASH基本编程(写)操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现
在一个块内,对每一个页进行`Program`的话,必须是顺序的,而不能是随机的。原创 2024-01-14 22:14:32 · 213 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 6.2] NAND 初始化常用命令:复位 (Reset) 和 Read ID 和 Read UID 操作和代码实现
基本上不同厂家的 Read 和 Write 等操作的命令不同,所以上电第一件事就是要通过 Read ID 来区分是美光的或是三星等等的厂家的芯片, 再用特定厂家的指令集进行操作。,用于读取设备的 16 字节 UID。中间复位:有时候,可能芯片上层因为一些流程需要,改变了一些芯片状态, 接下来想还原回去, 就要求电路从初始状态开始执行电路的功能,要对电路进行复位,让它从最初的状态开始运行。指令后,会返回ONFI签名的ASCII编码(“O”= 4Fh,“N”= 4Eh,“F”= 46h,“I”= 49h)。原创 2024-01-14 22:06:55 · 781 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 6.1] 怎么看时序图 | 从时序理解嵌入式 NAND Read 源码实现
其实学嵌入式前期对数据手册一定要多看,看多了你就回知道,什么东西的你重点要看的,什么是和你的编程操作无关的你不需要关心。(就像单片机刚学的时候不也是各种不懂,原因就是我们从没接触过)。不同的芯片操作时序可能不同,读的命令也会有一些差别,但大同小异,学会了本文的方法也完全可以看懂其他的NAND Spec, 不同的NAND 主要是命令号不同。但是上层一点的,比如读写操作的步骤时序(比如读操作,你要片选使能,然后发命令,然后发地址,需要的话还需发一个命令,然后需要等待操作完成,然后再读书数据)。原创 2024-01-14 21:34:56 · 254 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 5.5] PLC NAND 虽来但远
Solidigm公司(前身为 Intel NAND 部门) 展示了全球第一款基于PLC NAND研发的SSD。这也标志着,PLC时代已正式拉开序幕。出于对 PLC 的好奇,本文分享PLC NAND 知识, 聊聊 PLC NAND 的前景。原创 2024-01-14 21:08:17 · 127 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 5.4] QLC 闪存给SSD主控带来了很大的难题?
世界各大主流闪存厂商,如美光、海力士、铠侠和长江存储积极致力于QLC的研发,并相继推出了QLC SSD 产品。随着技术的不断进步,人们普遍担心的QLC擦写寿命少正逐渐被改善。QLC SSD 成本是最大的优势,不指望说替代 TLC SSD, 替代 HDD 指日可待。但因为 PLC NAND 本身的一些劣势, 对 NAND 闪存控制器(主控)带来了很大的挑战。原创 2024-01-14 20:58:41 · 457 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 5.3] QLC NAND 已来未热,是时候该拥抱了?
伴随着闪存芯片的发展趋势,现如今便宜、大容量的SSD基本上都需要上QLC闪存芯片了。一时间QLC有山雨欲来之势,大容量QLC SSD的普及似乎已经触手可及。虽然现在主流是 TLC NAND(第三代), 但下一代 QLC NAND 已来到我们身边? 明天和还是明年?说不定就成为主流? 带着对 QLC 的好奇心,本文分享QLC NAND 技术, 聊聊 QLC NAND 的趋势。原创 2024-01-06 22:24:16 · 914 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 5.2] SLC、MLC、TLC、QLC、PLC NAND_闪存颗粒类型
NAND FLASH从 SLC -> MLC -> TLC -> QLC-> PLC,每个单元存储的比特数增加,这样晶圆的存储密度会成倍提高,但对应的整卡可写入/擦除次数(P/E Cycle)也降低(意味着寿命也越短),读写性能会越差。最重要的单位GB的成本会更低,芯片的成本是和面积直接相关的。面积越小,一个晶圆切出的Die(片)数目就更多,单Die的成本就降下来了。各大原厂孜孜不倦地提高每个单元的比特数,目的就是为了减少成本,成本才是王道!原创 2024-01-06 22:05:54 · 2553 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 5.1] 闪存芯片物理结构与SLC/MLC/TLC/QLC
闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地,就像机械硬盘的磁盘一样。闪存颗粒flash memory是一种存储介质,重要的区别是一种非易失性存储器,就是断电可以保存写入的数据,以固定大小的区块为单位,不是以单个的字节为单位。原创 2024-01-01 22:09:42 · 1275 阅读 · 1 评论 -
[NAND Flash 4.3] 闪存的物理学原理_NAND Flash 的读、写、擦工作原理
采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。1957 年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1940~)在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现,当增加 PN 结两端的电压时电流反而减少,江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。以上就是从闪存中读取数据的原理,往复杂了说它涉及到MOS管等复杂的半导体知识,但是如果朝简单的方向理解,我们也能轻松理解闪存表达数据的原理。原创 2024-01-01 21:59:04 · 943 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 4.2] Flash 原理 | NOR Flash 和 NAND Flash 闪存详解
智能手机有一个可用的存储空间(如苹果128G),电脑里有一个固态硬盘空间(如联想512G), 这个空间是啥呢? 这个存储空间就是闪存设备(Flash Memory).Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。许多业内人士也分不清NAND Flash 和 NOR Flash 的区别.原创 2024-01-01 21:49:56 · 1231 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 4.1] Flash(闪存)存储器底层原理 | 闪存存储器重要参数
我们已经为存储器注入了灵魂,现在来铸造其肌肉,也就是如何实现注入、擦出电子的过程。注入电子主要有两种过程原理,一种是热电子注入,另外一种是F-N 隧穿原创 2023-12-15 20:51:24 · 1035 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash] 3.3 Flash闪存工艺知识深度解析
Nand Flash Die 是从Wafer身上切割出来,一个Wafer有很多个Die。之后再进行封装,变成一个颗粒。如下图所示,一个封装可以放1/2/4/8/16个Die,分别叫做SDP/DDP/QDP/ODP/HDP。将颗粒和主控、DDR,电阻、电容等一起焊到PCB板上,就形成了存储器产品原创 2023-12-15 20:31:47 · 1308 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿
依公知及经验整理,原创保护,禁止转载。专栏 《全文6200字,2023.12.12更新。原创 2023-12-12 23:15:16 · 4757 阅读 · 6 评论 -
[NAND Flash] 3.1 闪存的组成结构原理与使用挑战
日本东芝最初发明半导体存储芯片时,认为它就像拍照时的闪光一样迅速,因此命名为闪存(Flash)。原创 2023-12-10 17:48:02 · 1089 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 2.3] 闪存芯片国产进程
NAND Flash竞争格局上看,三星、铠侠引领,和西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局,六者合计占比超过95%。中国大陆代表企业主要为长江存储。国产存储的崛起,更像是闪存这个巨大蓝海市场中的“孤勇者”。原创 2023-12-06 22:37:40 · 878 阅读 · 4 评论 -
[NAND Flash 2.2] NAND闪存及控制器的市场趋势 [2023]
消费级&企业级SSD和智能手机仍将是最重要的终端应用系统,它们将成为未来十年闪存控制器市场增长的主要驱动力。就销量而言,企业级SSD代表了增长最快的细分市场,其复合年均增长率为14%,其次是服务器和消费级SSD原创 2023-12-06 22:09:11 · 1023 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash 2.1] NAND Flash 闪存改变了现代生活
生活、工作、休闲及娱乐都会进行信息交换、文件数据的存储以及智能设备的交互等,这也都离不开存储设备,而这些存储设备里最核心的就是NAND闪存技术。“闪存改变世界,记忆下一个未来”,小小的闪存作为上世纪最伟大的发明,它存储着我们过去的精彩视频和照片,也在启迪着未来的发展。如果你是一个数码爱好者,应该对NAND闪存一点都不陌生,如果你是一个数码小白,那么,看完这篇文章,你应该就懂了,为什么说NAND闪存的发明如此重要。原创 2023-12-06 21:49:01 · 1067 阅读 · 0 评论 -
[NAND Flash] 1.1 闪存(NAND Flash) 学习指南
希望它能带少年们入门存储的殿堂,走过我走过的路,避开我填过的坑。我刚入行的时候,也是萌新一个,彷佛大学学的都没有和这相关的,一切都 Reset 归零了。原创 2023-12-10 20:47:39 · 753 阅读 · 2 评论