CUBEMX STM32L4系列内部flash读写

最新推荐文章于 2023-12-09 15:17:34 发布
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分类专栏： 笔记
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本文链接：https://blog.csdn.net/guoguo123a/article/details/120995171
版权

1、使用的芯片flash是256k，地址从0x08000000开始，到0x08040000，做测试用，从0x08030000开始。写之前必须要擦除那一整页，才能成功写入数据。每页2k，地址偏移0x30000，即第96页，具体配置如下图
变量配置
擦除和读写函数
程序中从96页开始，擦除了2页，所以两页都可以写。

guoguo123a
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专栏目录
STM32L4闪存(FLASH)及读写保护介绍.pdf
09-15
STM32L4闪存(FLASH)及读写保护介绍
STM32L4xx_读写内部FLASH.rar
10-19
STM32L4xx读写内部FLASH，本人使用STM32L452RET6芯片，使用LL库已调通，由于都是寄存器配置，使用HAL库时修改定义后也是可用； 2019/11/20 后期调了STM32L471VETx芯片，发现擦页不能用，最终找到问题是FLASH页码不连号，只用修改擦页函数的页码号就可以成功擦页，就不再上传了（不适用STM32L4x1系列，需要修改擦页函数）；
STM32L431内部flash读写 示例代码
qq455680582的博客
07-07 1471
flash读写 STM32L431
STM32L431内部flash读写参考代码
久久的学习之路
01-24 2284
分享一下STM32L431内部flash读写的代码（实测可行）： /** 注意地址的选取尽量选在FLASH的末尾，放置被用户代码覆盖 */ /** * 说明 : 往ST的FLASH写入指定长度的数据（由于是单页写入，写入的字节不能超过4K字节） * 参数 : addr, 写入的起始地址（保证双字对齐） * ptr, 数据存放地址（注意是uint64_t类型，即一次写入8字节） * ndword, 写入的Dword数（注意双字数） * 返回 : 成功返回.
（实测可用）STM32L431RCT6开发板-实验12 SPI Flash读写实验
zhej2014的博客
12-13 2336
1、开发板资源简介 （1）开发板主芯片型号：STM32L431RCT6 （2）开发板主芯片封装：LQFP-64_10x10x05P （3）开发板主芯片内核：ARM® Cortex®-M4 （4）开发板主芯片主频：80MHz （5）开发板主芯片Flash大小：256KB （6）开发板主芯片RAM大小：64KB
图文介绍STM32L4读写内部flash
王纯配的博客
12-10 6134
型号：STM32L431KBU6； 改型号内存 = 128KB，起始地址 = 0x0800_0000;只有63页； 在L4的user manual手册的第三章详细介绍了FLASH的操作细节，我挑一些重要的信息； flash擦除方式有两种： 1、Page erase—以页位单位擦除，1页=2K，每次最少擦除1页； 2、Mass erase—擦除整个flash； 比较重要的信息是flash的写操作只能是双字（double word，64bit），写完第一个字，再写第二个字。 下面贴..
stm32L4的flash读写问题 CUBEMX
杨飞的博客
06-07 5592
CB系列flash是128K，起始地址一般是0x08000000 考虑到前面要放代码 可以选在0x0801FC00，还差1K到边缘，即最后一页 一般来说： HAL_FLASH_Unlock(); //擦除 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError); //解锁 HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_.
【STM32】HAL库Flash读写操作及配置
网易独家音乐人Mike Zhou的博客
01-07 4037
【STM32】HAL库Flash读写操作及配置
【STM32芯片加密保护+FLASH只读保护】
pengrunxin的博客
12-09 3200
利用STM32内部有一个96bit的产品唯一ID，在出厂被固化在芯片中，是不能修改的，而且每个芯片不同，可以作为芯片的身份标识特点，对ID进行加密存放FLASH及外部存储芯片AT24C16里面，进行加密保护。：STM32芯片程序正常是能直接读取的，别人一copy读取flash内容，复制你硬件电路，烧录进入就能轻而易举实现不劳而获。所以，如果我们使用的是STM32F4系列的芯片，就可以从0x1FFF7A10地址读取3个32bit的数据，获取它的唯一ID。
【STM32CubeIDE】 stm32f103的内部Flash读写，double数值读写
07-14
在STM32F103的内部Flash读写操作中，理解其工作原理和注意事项至关重要。Flash存储器是微控制器中非易失性的存储区域，用来存放程序代码和一些关键数据。与RAM不同，Flash存储器在断电后仍能保持数据，但它的读写...
STM32CubeMX 的STM32L4系列最新的HAL库
09-03
使用STM32CubeMX和最新的HAL库，开发者可以充分利用STM32L4系列的高性能和低功耗特性，开发出高效、可靠的嵌入式应用。这个资源对于那些正在或计划使用STM32L4系列的开发者来说，无疑是一份宝贵的资料。
STM32G4系列片上FLASH读写函数
01-20
STM32G4系列片上FLASH读写函数，已封装好，具体使用情况见以下链接：https://blog.csdn.net/13011803189/article/details/135625151?spm=1001.2014.3001.5502 说明：可对任意的连续地址进行读写，可跨页读写。写入时...
STM32F103内部FLASH读写
09-26
综上所述，掌握STM32F103的内部Flash读写是嵌入式开发中的基础技能。通过串口指令封装，可以实现远程控制和验证，提高了开发的便利性和效率。在实际应用中，还需要注意保护机制的设置和性能优化，以确保系统的稳定性...
解决STM32因字节对齐问题导致读写Flash失败进入HardFault的问题
狂想家
10-22 4192
背景：项目中使用的MCU是STM32L431，在进行升级时需要往Flash中写数据，其他业务代码都是可以正常读写，但是在写升级数据时进入HardFault_Handler，程序跑飞。 由于项目需要，获取升级包的文件所有结构体采用一字节对齐，解析升级包采用指针偏移的方式。进入Flash未进行擦除操作前的参数如下： 要写入的长度和地址都是没问题的，但是buf指针的在RAM中的地址为0x200053D2，在此状态下擦除和写操作一定会进入HardFault_Handler。计算后发现0x200053D2不是4字
STM32CUBEMX | STM32L431RCT6的内部Flash操作
yongridada的博客
03-22 3458
一、STM32CUBEMX配置 1、选择芯片型号： 2、配置时钟源 1、 如果选择使用外部高速时钟（HSE），则需要在System Core中配置RCC； 2、 如果使用默认内部时钟（HSI），这一步可以略过； 3、配置时钟树 STM32L4的最高主频到80M，所以配置PLL，最后使HCLK = 80Mhz即可： 4、代码生成设置 点击GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程： 二、在MDK中编写、编译、下载用户代码 1、STM32内部Flash及HAL库API 查看所使用芯片的信息，
STM32操作访问flash，包括写入数据到flash和从flash读取数据
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Ace's Blog
10-10 6万+
STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 其中： RAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。 ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失存储空间”。 ROM又包含：EEPROM和flash。 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下（
STM32F103学习笔记（3）——读写内部Flash
Leung的博客
07-13 1万+
一、简介 在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。 STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域，它们的地址分布及大小见下表 主存储器 一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号
stm32的内部flash读写操作(含结构体的保存)
CoolBreeze的博客
05-20 9532
不同的stm32单片机的flash大小不同，这个需要查阅芯片手册或者查看STM32CubeMX软件。 stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，要操作flash时注意不要超出此范围。 Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，和一些用户自定义的保存数据，它断电不丢失。 不同型号的单片机对flash的操作方式略有不同。下面我以自己用到的STML4R9VIT6和STM32L431RCT6为例贴上代码。 ST
matlab下载.pdf
最新发布
07-14
matlab下载下载方式及注意事项
编写一个stm32l431 flash读写代码
03-07
可以回答这个问题。以下是一个简单的示例代码： #include "stm32l431xx.h" void write_flash(uint32_t address, uint32_t data) { // Unlock the flash HAL_FLASH_Unlock(); // Erase the page FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_1, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3); // Write the data HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data); // Lock the flash HAL_FLASH_Lock(); } uint32_t read_flash(uint32_t address) { return *(uint32_t*)address; } 请注意，这只是一个简单的示例代码，实际上，您需要根据您的具体需求进行修改和优化。

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