实验目的
理解存储系统进行位扩展、字扩展的基本原理,能利用相关原理解决实验中汉字字库的存储扩展问题,并能够使用正确的字库数据填充。
设计要求
现有如下 ROM 组件,4 片 4K32 位 ROM ,7 片 16K32 位 ROM,请在 Logisim 平台构建 GB2312 汉字编码的 1616 点阵汉字字库,电路输入为汉字区号和位号,电路输出为 8×32 位( 1616=256 位点阵信息),待完成的字库电路输入输出引脚见后图,具体参见工程文件中的 storage.circ 文件,图中左侧是输入引脚,分别对应汉字区位码的区号和位号,中间区域为 8 个 32 位的输出引脚,可一次性提供一个汉字的 256 位点阵显示信息,右侧是实际显示区域,用于观测汉字显示是否正常。待完成字库子电路封装已经完成,请勿修改以免影响后续自动测试功能。
####电路框架
storage.circ
方案设计
- 字扩展:加存储器中字的数量。静态存储器进行字扩展时,将各芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联,而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
- 位扩展:用多个存储器器件对字长进行扩充。位扩展的连接方式是将多片存储器的地址、片选CS、读写控制端R/W相应并联,数据端分别引出。
- 设计思路:根据实验要求,要将4片4K32 位 ROM通过字扩展扩展成一片16K32位ROM,已给电路中地址线的位数是14位,因此将低12位地址通过分线器引出,用来将4片4K32位的ROM并联,数据端D分别与数据线相连。将14位地址线的高两位通过分线器引出连接多路选择器的选择端,四个4K32位ROM的数据端与多路选择器数据端相连,字扩展完成。
- 实验电路图:
实验步骤
- 弄清实验目的,查看实验电路。
- 复习字扩展与位扩展。
- 设计并连接实验电路。
- 测试。
故障与调试
电路连接完成后忘记从参考字库中复制字库。
测试与分析
实验总结
通过本次实验,我对之前学习的字扩展与位扩展进行了复习并加深了理解,本次实验使我受益匪浅。