受控源
受控电压源:
电压控制电压源:Voltage Controlled Voltage Source,即VCVS
电流控制电压源:Current Controlled Voltage Source,即CCVS
受控电流源:
电压控制电流源:Voltage Controlled Current Source,即VCCS
电流控制电流源:Current Controlled Current Source,即CCCS
电压源与电流源:
current source与ac current source有什么区别
Current source(电流源)是一种电子元件或电路,它可以提供稳定的电流输出。而AC current source(交流电流源)是一种电子元件或电路,它可以提供交流电流输出,即输出的电流在时间上会随着正弦波形式变化。因此,两者的主要区别在于输出的电流形式不同。
NMOS
看完这篇,请不要再说不懂MOSFET!
科普之FET、MOSFET、MESFET、MODFET有何区别?
在NMOS(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)中,引脚G、D、S和Bulk分别代表以下含义:
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G:G代表栅极(Gate)。栅极是用于控制NMOS的导通和截止的引脚。通过在栅极上施加不同的电压,可以改变栅极和源极之间的电场,从而控制NMOS的导电状态。
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D:D代表漏极(Drain)。漏极是NMOS的输出端,也是电流流出的地方。
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S:S代表源极(Source)。源极是NMOS的输入端,也是电流流入的地方。
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Bulk:Bulk代表衬底(Substrate)。衬底是NMOS的基底或底部引脚,通常与源极相连,并与地(GND)相连。
这些引脚在NMOS的工作中起着重要的作用,通过控制栅极电压和施加适当的电压差(如VGS和VDS),可以调节NMOS的导通和截止状态,从而实现电路的功能。
在电路中,VGS和VDS是指以下两个电路元件的电压:
VGS:VGS代表栅极-源极电压(Gate-Source Voltage)。它是指应用在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅极和源极之间的电压差。VGS决定了MOSFET的导通状态和工作特性。
VDS:VDS代表漏极-源极电压(Drain-Source Voltage)。它是指应用在MOSFET的漏极和源极之间的电压差。VDS决定了MOSFET的工作区域和输出特性。
这些电压参数对于MOSFET的工作非常重要,因为它们直接影响着MOSFET的导通和截止状态,以及输出电流和电压的关系。在设计和分析MOSFET电路时,VGS和VDS是需要注意和考虑的重要参数。