VASP虚晶计算

虚晶计算（或称为虚晶体计算）是一种在固体材料研究中常用的模拟方法，旨在分析晶体中缺陷、杂质或其他非理想行为对其性质的影响。这种计算通常在第一性原理框架下进行，使用如 VASP（Vienna Ab-initio Simulation Package）等软件工具。

原理：

1. 有效原子模型：在合金或带有掺杂的材料中，原子并不是一个元素的纯粹排列，而是在晶体中以一定比例混合的不同元素。VCA通过构造一个“虚晶体”来表示这种混合，其组成是根据实际合金的成分来定的。
2. 环境平均：VCA假设物质的电子结构可以视为所有原子种类的平均，在晶格的每个位置都可以视为一个具有平均性质的原子。这项假设使得计算变得更加简单，因为实际计算只需处理一种“虚原子”。
3. 使用有效势函数：通过调整势函数（如赝势或Kohn-Sham势）来反映原子的平均态。不同的元素或原子成分会通过一定的数学方式结合在一起，使得最终得到的结果能代表原子混合的影響。

在文献中看了一些用CASTEP进行虚晶计算的例子，而VASP中的虚晶计算则比较少，因此这里我对自己最近做的虚晶计算心得做一点总结，供大家参考，有不对的地方希望大家可以在评论区指教。

#虚晶计算适合什么性质的计算
虚晶计算主要还是针对微固溶体系(固溶度达不到利用SQS方法的适用)力学性能的计算，包括体模量、剪切模量、弹性模量、杨氏模量等；也看到过虚晶计算分析能带、态密度等的文章，个人认为这个时候要对可靠性进行精细验证，尤其是对元素性质的相似性要求更高。

#虚晶计算主要事项
主要是元素性质越接近越好，最好是同一主族或者相邻元素，更应关注变化趋势而并非绝对值；此外要注意赝势文件的选择，以PBE赝势为例，包括是否考虑半芯态电子，选择标准赝势还是sv或pv可能也会导致差异，至少对多体系的时候赝势选择要保持一致；

#虚晶计算参数
INCAR中加入VCA = 0.5 0.5，表示原子占据对应位置的概率均为50%；POSCAR可以参考以下格式：其他部分不需要设置。

POSCAR:
New structure
1.0
3.6150000095 0.0000000000 0.0000000000
0.0000000000 3.6150000095 0.0000000000
0.0000000000 0.0000000000 3.6150000095
A B
4 4
Direct
0.000000000 0.000000000 0.000000000
-0.000000000 0.500000000 0.500000000
0.500000000 -0.000000000 0.500000000
0.500000000 0.500000000 0.000000000
0.000000000 0.000000000 0.000000000
-0.000000000 0.500000000 0.500000000
0.500000000 -0.000000000 0.500000000
0.500000000 0.500000000 0.000000000