NAND Flash驱动程序设计

一 NAND Flash概括

NAND Flash充当硬盘的角色，NAND Flash主要分为以下两类，
SLC(single level cell):单层式存储
MLC(multi level cell):多层式存储
MLC对比SLC
SLC访问速度一般比MLC快三倍以上 SLC可以进行十万次的擦写，MLC可以进行一万次，MLC功耗比SLC高15%左右
访问方式内存采用的是统一编址，NAND Flash采用的是独立编址，第一传地址给CPU控制器，第二传命令给控制器，第三传数据给控制器

二 NAND Flash驱动设计_读

根据NAND Flash的芯片手册，可以看出页读中I/Ox的编码步骤

首先发送命令00h,然后发送地址，发送地址先发送列地址，后发送行地址。其次发送命令0x30,等待RnB信号，最后读取数据。除此之外，还需要加入一些通用步骤，选中NAND Flash芯片，清除RnB信号，在最后需要取消选中NAND Flash芯片。所以基本步骤是
1 选中芯片
2 清除RnB
3 发出命令
4 发出列地址
5 发出行地址
6 发出命令
7 等待RnB信号
8 读数据
9 取消片选

如何选中NAND Flash芯片

选中NAND Flash芯片，就是往NFCONT这个寄存器中第一位写入0。

void select_ship(void)
{
    NFCONT &= ~(1<<1); 
}

如何发送命令

NFCMMD（八位）寄存器就是存放发送给NAND Flash的命令的，命令本身传进来后送到NFCMMD寄存器中。

void nand_cmd(unsigned char cmd)
{
    NFCMMD = cmd;   
}

如何发送地址

NFADDR（八位）往这个寄存器中写入地址，按页读没有偏移，所以列地址为0，有两个列地址都为0。有三个行地址。由READ OPERATION时序图中看出有两个列地址和三个行地址。