28-Nand Flash电路设计

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NAND FLASH电路设计

1、NAND FLASH介绍

Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

NAND Flash需要通过专门的NFI（NAND Flash Interface）与Host端进行通信，如下图所示：

NAND Flash Interface

2、NAND FLASH存储单元分类及对比

NAND Flash根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和 TLC（Triple-Level Cell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC可以存储1个比特，MLC可以存储2个比特，TLC 则可以存储3个比特。

NAND Flash的一个存储单元内部，是通过不同的电压等级，来表示其所存储的信息的。在SLC中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示0和1两个状态，即1个比特。在MLC中，存储单元的电压则被分为4个等级，分别表示00 01 10 11 四个状态，即2个比特位。同理，在TLC中，存储单元的电压被分为 8个等级，存储3个比特信息。

NAND Flash 的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。

3、嵌入式设备上eMMC逐步取代nand flash？

4、Nand Flash优点

1. 高密度存储     2. 快速读写速度   3. 低功耗     4. 可靠性

闪存通常包括NOR和NAND两种类型。

NOR闪存是由Intel公司开发的，是一种随机访问设备，具有专用的地址和数据线，以字节的方式进行读写，允许对存储器当中的任何位置进行访问，这使得NOR闪存是传统的只读存储器（ROM）的一种很好的替代方案，比如计算机的BIOS芯片。

NAND闪存则没有专用的地址线，不能直接寻址，是通过一个间接的、类似I/O的接口来发送命令和地址来进行控制的，这就意味着NAND闪存只能够以页的方式进行访问。

5、NAND FLASH介绍（注意区分X8和X16的 赛普拉斯和镁光有区别的！！！）以赛普拉斯为例

5.1、NAND  flash命名规范

5.2、Nand flash封装

6、Nand Flash框图

在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令；

当ALE为高电平时传输的是地址；

当CLE为高电平时传输的是命令；

当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据；

7、NAND FLASH管脚定义

电源线

管脚符号	类型	描述
VCC	Supply	Power Supply The VCC supplies the power for all the operations (Read, Program, Erase)
VSS	Supply	Ground

信号线

管脚符号	类型	描述
IO[7:0](X8) IO[15:8](X16)	I/O	Inputs/Outputs：The I/O pins are used for command input, address input, data input, and data output. The I/O pins float to High-Z when the device is deselected or the outputs are disabled 输入/输出。I/O管脚用于命令输入、地址输入、数据输入和数据输出。 当取消选择设备或禁用输出时，I/O引脚浮动到高阻态。
CLE		Command Latch Enable：This input activates the latching of the I/O inputs inside the Command Register on the rising edge of Write Enable (WE#) 命令锁存使能。这个输入激活了写使能上升边缘的命令寄存器内的I/O输入的锁存。
ALE		Address Latch Enable：This input activates the latching of the I/O inputs inside the Address Register on the rising edge of Write Enable (WE#) 地址锁存使能。这个输入激活了写使能上升边缘的地址寄存器内的I/O输入的锁存。
CE#		Chip Enable：This input controls the selection of the device。When the device is not busy CE# low selects the memory 芯片使能。这个输入控制设备的选择。当设备不忙时，CE为低时选择内存。
RE#		Read Enable：The RE# input is the serial data-out control, and when active drives the data onto the I/O bus。 读使能。读输入是串行数据输出控制，当活动驱动数据到I/O总线。
WE#		Write Enable：This input latches Command, Address and Data。The I/O inputs are latched on the rising edge of WE#。 写使能。这个输入锁存命令，地址和数据。I/O 输入被锁定在我们写的上升边缘。
WP#		Write Protect：The WP# pin, when low, provides hardware protection against undesired data modification  (program / erase)。 写保护。WP#引脚为低，提供硬件保护，以防止不需要的数据修改(编程/擦除)。
R/B#		Ready/Busy：The Ready/Busy output is an Open Drain pin that signals the state of the memory。 就绪/忙输出是一个开漏引脚，用于显示内存状态。

8、NAND FLASH硬件电路设计要点（★）

9、硬件实战设计 （★）

9.1   全志H3-Nand Flash硬件电路实战

9.2   ZYNQ -Nand Flash硬件电路实战（尤其要注意！！！）

9.3   HI3798 -Nand Flash硬件电路实战

9.4   Nand Flash硬件电路实战

10、拓展 

1、Nand Flash硬件特性详解(推荐)

2、Nand Flash原理

详细内容参考视频讲解