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一：介绍
在本文中，我们将介绍相反的问题：我们有一个3.3V输出，我们需要驱动一个5V系统。
这是一个非常典型的情况，我们有一个3.3V系统（例如大多数32位系统，如STM32），我们需要将数据发送到较旧的5V系统，如51单片机。 首先，我们需要考虑我们正在连接哪种5V系统。特别是，我们需要知道：- 低电平和高电平输入和输出电压。
- 输入电流
事实上，5V TTL和5V CMOS输入具有不同的逻辑电平，因此我们将提出的一些解决方案对于某些输入是足够的，但这些解决方案无法可靠地用于其他输入类型。
图1：3.3 V CMOS输出、5 V TTL输入和5 V CMOS输入的逻辑电平
将3.3V输出接口至5V输入的主要方式有：
直接连接
使用 74HCTxx 栅极（或其他 5V TTL 输入兼容系列）
使用二极管偏移
电阻偏移
双极型晶体管/场效应管逆变器
系列晶体管
双极型晶体管系列
电平转换器 IC
光耦合器/隔离器
1、直接连接
这是最简单的方法。此解决方案“几乎总是”有效，但有一些重要的警告。
图2：3.3V CMOS和5V TTL器件之间可以直接连接
但是，实际的阈值水平可能会随着温度和老化而变化：在两个逻辑电平区域之间操作是不安全的。任何噪声或干扰都可能在输出端产生毛刺。如果您的系统必须可靠地工作，那么您需要其他解决方案，如下所示。 此外，在驱动接近逻辑电平阈值的数字非迟滞输入时应小心，因为会发生电流消耗。事实上，考虑简单的CMOS逆变器，如下所示：当输入电压接近VDD/2时，两个MOSFET都处于ON状态，因此直流路径电流将从VDD流向GND。
上图是
CMOS逆变器的内部电路。如果“IN”信号处的电压接近VDD/2，则两个MOSFET都将处于ON状态，并且电流将在VDD和GND之间流动
优势：
无需其他组件
简单
劣势：
降低噪声裕量，容易收到干扰
仅与某些逻辑族可靠地工作
2、使用逻辑门电路
74HCTxx 系列是具有 TTL 兼容逻辑电平的 CMOS 器件（具有 TTL 兼容输入电平的所有其他 5V 逻辑系列也可以正常工作）。特别是，输入高压电平为2V，远低于CMOS高输出电压。通过在系统之间插入任何具有TTL兼容输入电平的逻辑门（请参阅下面的示例），就可以实现合适的电压电平转换器。
优势：
快
可与 CMOS 和 TTL 器件配合使用
只需要一个电源。
劣势：
需要一个外部 IC（可能还需要其去耦电容等器件）
3：使用二极管偏移
通过直接连接到5V CMOS输入，我们看到主要问题是3.3V输出的高电平输出电压，该输出电压不足以仅处于安全区域（最多3.3V，而最小值为3.5V）。相反，低电平CMOS输入的最大电压是VDD的30%，即5V系统中为1.5V。因此，如果我们能在CMOS输出上增加小的偏移，那就太好了。出于这个原因，可以简单地使用二极管和上拉电阻。 但是，通过这种方式，电流将流入我们3.3V系统的输出保护二极管。这种电流应尽可能小，以避免损坏3.3V系统。
在测试过程中需要注意，即使在3.3V系统为高电平状态下，3.3V系统也会有电流流入。这可能会导致 3.3V 设备上出现问题。
更好的解决方案是使用额外的二极管。由于新二极管直接连接到3.3V电源轨（它不必通过我们的IC），因此电流将流向电源。
为了解决这个问题，有一个简单的解决方案是放置第二个电阻，它至少吸收流入D2的电流（约1V / R1。因此，R2 应为 R1 的 3.3 倍或更低）。
上图中加上R2，其值最多比R1大3.3倍，这样才能确保流入D2的电流将“耗散”，并且不会增加3.3V电压。 上拉电阻的值应计算在内，以便：- 它足够低，可以给我们所需的速度。
- 它比输入阻抗小得多（尽管在CMOS器件中，这不是一个大问题）。
- 它足够大，不会使CMOS输出电压过载，特别是在低电平下。对于那些具有相对较高输出阻抗的CMOS输出（CD40xx系列）来说，这尤其是一个问题。
- 它足够大，以避免过多的电流流入3.3V电源轨。
- 它足够大，可以将电流消耗保持在可接受的水平。
优势：
便宜
劣势：
比其他解决方案慢得多。
需要仔细选择电阻值：避免损坏，获得正常的速度，并将高低压保持在正确的范围内。
相对较高的电流消耗。
需要 2 到 4 个附加组件。
噪声裕量差。
需要一个低阻抗驱动输出。
需要相对较高的输入阻抗
4：电阻偏移
我们也可以使用电阻分压器引入失调。 这种简单的解决方案比二极管偏移更便宜（但速度稍慢），并且仍然存在电流流入输出引脚的问题。
当输出为3.3V时，添加R3将允许将来自5V的任何电流分流至地（而不是通过输出引脚分流至3.3V。
当输出为0时，电压将为5V *（R2/（R1+R2）），即1V，低于1.5V阈值。当输出为3.3V时，电压将为5V * （R2/（R1+R2）） + 3.3V * （R1/（R1+R2）） = 3.64V。通过调整R1/R2比率可以实现更好的高电平值，但必须考虑到，当输出为0V时，电压应小于1.5V。 注意：我们分别以0和3.3V作为CMOS输出电压，当输出分别为低电平和高电平时。虽然高电平电压没有问题（除非R3太低）（因为它被R1 + R2拉起），但低电平电压将根据流入输出的电流而增加。优势：
比二极管偏移量便宜。
劣势：
比二极管失调解决方案慢，特别是在高到低的过渡中，因为电流流过R1和R2，相对于二极管，R1和R2的阻抗要高得多。
需要仔细选择电阻值，以避免损坏，获得适当的速度，并将高低压保持在正确的范围内。
相对较高的电流消耗。
需要 2 到 3 个附加组件。
噪声裕量差。
需要一个低阻抗驱动输出。
需要相对较高的输入阻抗。
5、三极管或MOS管转换
如果可以接受或需要反相信号，则可以使用简单的MOSFET/BJT。否则，可以使用其他阶段。
上图中是简单的三极管的反相器。级联两个将允许实现直接信号，而不是反相信号。
优势：
相对于二极管偏移，尺寸要简单得多。
更好的噪声裕量，因为低电平和高电平都接近电源轨。
劣势
需要 2/3 个外部组件。
它是反相的。
相对较慢的由低变为高的时间。
相对于MOSFET实现，BJT实现实际上相对较慢，因为BJT关断特性相对较慢。
当MOSFET/BJT处于导通状态时，消耗相对较高。
需要相对较高的输入阻抗
6、MOS管转换
上图的工作原理很简单。当输出为3.3V时，MOSFET将处于关断状态，因为VGS=0V，因此输出由上拉电阻保持在5V。如果输出为低电平，则 VGS 为 3.3V。假设MOSFET具有逻辑电平阈值（当VGS = 2.5V时应完全导通），MOSFET将导通，将低电平值传递至5V输入。
优势：
双向
相对简单的解决方案。
它不会使输入反相，就像通用源配置中的单个 MOSFET/BJT 一样。
劣势：
需要 2 个外部元件
相对较慢。
需要一个低阻抗驱动输出以避免过载。
功耗相对较高。
需要相对较高的输入阻抗。
7、三极管转换
优势：
双向
相对简单的解决方案。
它不会使输入反相，就像通用源配置中的单个 MOSFET/BJT 一样。
劣势：
需要 3 个外部组件。
相对较慢。
需要一个低阻抗驱动输出以避免过载。
功耗相对较高。
需要相对较高的输入阻抗。
BJT饱和集电极至发射极电压（VCESAT）被添加到低电平输出电压中。不过，一般不印象使用。
8：使用电平转换IC
专用电平转换器 IC（如 74LVC1T245）将满足您所需的一切需求，与分立式解决方案相比具有更好的性能，但价格要高得多。 有许多变体，例如具有不同速度（和价格）的更多通道（74LVC8T245，74LVC16T245）或不同的逻辑系列（74ALVT162245）。当您需要高性能 3.3V 至 5V 电平转换（通常在高速总线、时钟等中）时，请使用此解决方案。
优势：
快速（即使不如直接连接快，因为增加了一个小的延迟）。
高噪声裕量
劣势：
需要一个电平转换器，可能还需要 2 个去耦电容器（每个电源域一个）。
贵。
9、使用隔离器件
该解决方案是“任何电压到任何电压”的转换器，因此它也可用于3.3V到5V的转换。有 4 种配置，具体取决于您的要求。
您可以使用基于电容式、巨磁阻或磁耦合的更新器件，而不是使用标准光隔离器，即使这些器件通常要昂贵得多。
优势：
电气绝缘。
更好的安全性。
“任何电压到任何电压”转换。
您可以选择反转信号。
劣势：
通常速度较慢，除非使用高速隔离器。
相对昂贵。
相当笨重的设备。
高功耗。
输出和输入阻抗有一些限制。
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