感应加热ZVS制作图解

引用:http://m.elecfans.com/article/774680.html

场管是从电动车控制器里拆到的↓
型号:P75NF75
耐压:75V
最高过流值:75A

18V 1W 稳压管

电感绕好,用1MM粗的漆包线绕20圈即可
在这里插入图片描述

下面是电路图↓(我们要做到电路其实略有修改,这张图仅供参考)

在这里插入图片描述

用铜线做一个加热线圈(5+5圈)
在这里插入图片描述

再加一个电路图:

大功率zvs电路图,1500w zvs电路图,zvs感应加热4管图
在这里插入图片描述

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ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
Multisim是一种电路仿真软件,可用于模拟和分析各种电路设计。ZVS感应加热电路是一种通过零电压切换技术来实现高效能感应加热的电路,可以应用于电磁炉、高频加热设备等。下面我将介绍如何在Multisim中绘制ZVS感应加热电路图。 首先,在Multisim中选择合适的元件来构建电路。ZVS感应加热电路由多个元件组成,包括电源、开关管、变压器、电容器和感应线圈。 其次,将元件从Multisim的库中拖放到电路图中合适的位置。首先放置电源,接下来是变压器,然后是开关管和电容器,最后放置感应线圈。 然后,使用连接线将元件连接起来。确保连接线正确连接到各个元件的引脚上,以确保电路的正确性。 接下来,对于开关管,需要设置它的驱动电路。选择适当的开关管,并添加适当的驱动电路,以确保它能够在零电压切换条件下工作。 最后,进行仿真分析。在Multisim中选择仿真选项,并运行仿真,以检查电路的性能和特性。通过观察波形图和参数数据,可以评估电路的性能,并进行必要的修改和调整。 总结而言,在Multisim中绘制ZVS感应加热电路图需要选择合适的元件,将它们放置在电路图中的合适位置,并正确连接它们。然后,设置开关管的驱动电路,并进行仿真分析以评估电路的性能。这种方法可以帮助我们更好地了解ZVS感应加热电路的工作原理和性能表现。

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