IRF系列场效应管参数表

最新推荐文章于 2025-03-28 14:25:11 发布
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版权
大电流场效应管500a_常用大功率场效应管参数
weixin_42400621的博客
12-24 2576
型号耐压(V)电流(A)功率(W)型号耐压(V)电流(A)功率(W)2SK53480051002SK104590051502SK53890031002SK108180071252SK557500121002SK108280061252SK560500151002SK1119100041002SK56550091252SK1120100081502SK5668003782SK1198800375...
IRF系列场效应管大全
08-02
IRF系列场效应管大全，可以查询场效应管的基本参数。
场效应管IRF640参数，封装资料
07-12
场效应管IRF640资料，包含电压参数，电流参数，外形参数，各类封装尺寸，电路应用图等。
IRF1407PBF TO-220AB N沟道 75V 130A 场效应管
最新发布
v18566276929的博客
03-28 1203
这款 HEXFET® 功率 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的条形平面设计，采用了最新的加工技术，以实现每单位硅面积的极低导通电阻。该 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 175℃的结温工作范围、快速的开关速度以及更高的重复雪崩击穿额定值。\(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 0V 到 60V。电气特性（除非另有说明，均在结温\(T_J\) = 25℃ 时测定）参考温度 25℃，\(I_D\) = 1mA。本征导通时间可忽略（导通主要由\(L_S\)
场效应管大全
02-25
这是维修电子配件的型号名称，对一些想维修电子的人有一定的帮助。
场效应管的主要参数
effort0806222的博客
01-17 5658
场效应管的主要参数 　　1)夹断电压，U(GS)使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称夹断电压 (此参数是对耗尽型而言)。 　　2 )饱和漏电流I(DSS)，当栅压为零时，漏极电流的饱和值。 　　3)直流输人电阻R(GS)，对于结型场效应管是指栅源PN结在一定反压下的反向电阻，可达10(7)Ω以上。对绝缘栅场效应管是指氧化层绝缘电阻。 　　4)跨导gm，它是漏电流的变化量和引起这个变化量的
IRF系列场效应管技术参数与应用大全
IRF系列场效应管大全是一份详细介绍了IRF系列场效应管的文档。IRF系列场效应管是应用广泛的功率半导体器件，主要用于放大和开关电子信号，特别是用于电源管理，电机控制和汽车电子等领域。 场效应管（Field-Effect ...
元器件应用中的IRF系列V-MOS大功率场效应管
11-22
在本文中，我们将深入探讨IRF系列V-MOS场效应管的主要特性参数，以及如何在实际应用中考虑这些参数。 首先，IRF系列V-MOS场效应管的核心特性之一是其额定电压（Vds），这是指源极到漏极的最大耐压。这个参数决定了...
参考资料-IRF场效应管（IRF）.zip
01-16
其中，IRF系列的场效应管多为MOSFET，常见的有N沟道和P沟道两种类型，分别在不同的应用场合发挥重要作用。 3. **结构与工作原理**：MOSFET由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）组成。在IRF场效应管中，...
IRF场效应管参数解读与应用
在了解IRF系列场效应管的基本概念之后，我们具体来分析一下这些参数： 1. 漏极电流Id：指的是在规定条件下，FET可以安全承受的最大连续电流值。 2. 栅极阈值电压Vgs(th)：是指FET从关闭状态到开启状态所需的最小...
IRF系列高压MOS管
04-25
IRF系列高压MOS管,高压MOS管----IRF系列包括大部分mos的耐压耐流和功率
IRF450的详细参数
05-13
IRF450资料撒谎的疯狂拉升房价卡上飞机快撒
IRF830技术参数
07-23
MOS FET晶体场效应管IRF830技术参数，希望对大家有用
IRF530PBF-VB一种N沟道TO220封装MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
01-06 526
1. **功率放大器模块：** 由于其高电流和低导通电阻，IRF530PBF-VB常用于音频功率放大器模块，提供强大的输出能力。3. **电机控制模块：** 在直流电机驱动中，IRF530PBF-VB可用于电机控制模块，帮助实现精确的电机速度和方向控制。2. **开关电源模块：** 在开关电源中，IRF530PBF-VB可以用作开关管，帮助有效地控制电源输出，提高系统的能效。1. **电压注意事项：** 确保在规定的电压范围内操作，不要超过最大额定电压（100V）。**使用注意事项：**
IRF830A-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-26 277
主要参数包括额定电压为600V，额定电流为8A，RDS(ON)为780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为3V，封装类型为TO220。型号：IRF830A丝印：VBM16R08品牌：VBsemi参数：- 频道类型：N沟道- 额定电压：600V- 额定电流：8A- RDS(ON)：780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V- 门源电压范围：±20V- 门源阈值电压：3V- 封装类型：TO220。
IRFB4115GPBF-VB一款N沟道TO220封装MOSFET应用分析
VBsemi_MOSFET的博客
01-10 499
其特点包括150V的额定电压，100A的额定电流，低导通电阻等，使其适用于高功率的功率电子应用。在这些模块中，它可以用于高功率的开关调节、电流控制等功能，提供高功率的电能转换和控制。- 遵循适当的焊接和安装标准，以确保可靠的电气连接和机械强度。- 在电源开关模块中，可用于高功率的开关电源的调节和控制。- 在电力逆变模块中，可用于高功率的直流到交流的电能转换。- 在电机驱动模块中，可用于高功率电机的驱动和控制。- 注意器件的静电敏感性，采取适当的防护措施。- 类型：N-Channel沟道。
IRF530NPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-01 973
总之，IRF530NPBF MOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。型号 IRF530NPBF丝印 VBM1101M品牌 VBsemi参数说明 - MOSFET类型 N沟道- 额定电压(VDS) 100V - 额定电流(ID) 18A - 开通电阻(RDS(ON)) 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth) 2~4V - 封装类型 TO220。
IRFP4668PBF TO-247 N沟道MOS管200V130A 规格参数资料
q2355705587的博客
07-06 2227
3. **导通电阻 (Rds(on))**：这是 MOSFET 在导通状态下的电阻，通常在 Vgs = 10V 时测量。4. **栅极至源极电压 (Vgs)**：这是控制 MOSFET 导通和关断的电压。5. **阈值电压 (Vgs(th))**：这是使 MOSFET 开始导通所需的最小栅极电压。7. **输入电容 (Ciss)**：这是 MOSFET 的寄生电容之一，影响开关速度和抗噪声能力。6. **栅极电荷 (Qg)**：这是栅极电容充电和放电所需的电量，影响开关速度和开关损耗。
k2677场效应管参数引脚_常用功率场效应管参数大全
weixin_42521424的博客
12-23 2146
型号参数IRFP25423A250V200WIRFP26046A200V280WIRFP26438A250V280WIRFP34010A400V180WIRFP25033A200V190WIRFP35016A400V180WIRFP36023A400V280WIRFP45014A500V180WIRFP46020A500V280WIRFP3710IRFu120I...
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