缓存命中:当程序需要第k+1层的某个数据对象d时,它首先在当前存储在第k层的一个块中查找d,如果d刚好缓存在第k层中,那么就称为缓存命中。
SRAM与DRAM的比较:
SRAM的存取要比DRAM快。由于SRAM具有双稳态特性,因此对诸如光和电噪声这样的干扰不敏感。代价是存储1个bit,SRAM与DRAM相比,使用更多的晶体管(SRAM使用6个,DRAM使用1个),因此密集度低,而且贵,功耗更大。
DRAM芯片中的所有bit被分成d个超单元,每个超单元都由w个bit组成。一个d*W的DRAM共存储了dw bit信息。超单元被组织成一个r行c列的长方形阵列(rc=d),因此,每个超单元有形如(i,j)的地址,i表示行,j表示列。
电路设计者将DRAM组织成二维阵列,而不是线性数组的一个原因是降低芯片上地址引脚的数量。例如,4*4*8 bit的DRAM被组织成一个16个超单元的线性数组,地址为0~15,那么芯片会需要4个(2^4=16)地址引脚而不是2个(2^2=4)。二维陈列组织的缺点是必须分两步发送地址,这增加了访问时间。
多个DRAM芯片组成了一个存储器模块。如包含8个DRAM芯片的存储器,要取出存储器地址A处的一个64位双字,存储控制器将A转换成一个超单元地址(i,j),并将它发送到存储器模块,然后存储器模块再将它发送到存储器模块,然后存储器模块再将i和j广播到每个DRA,M。作为响应,每个DRAM输出它的(i,j)超单元的8位内容,存储器模块中的电路收集这些输出,并把它们合并成一个64位双字,再返回给存储控制器。
PROM:只能被编程一次。
EPROM、EEPROM:可擦写可编程ROM,EPROM能够被擦除和重编程的次数的数量级达1000次,而EEPROM可达10^5次。
存储在ROM设备中的程序通常称为固件。