存储器（上）——主存储器，ROM，RAM

一、存储器概述

1.存储器分类

1）按存储介质分类

1））半导体存储器 TTL，MOS 易失

2））磁表面存储器 磁头、磁载体 非易失

3））磁芯存储器    硬磁材料、环状元件 非易失

4））光盘存储器    激光、磁光材料 非易失

2）按存取方式分类

1））存取时间与物理地址无关（随机访问）

随机存储器  在程序执行过程中可读可写

只读存储器 在程序的执行过程中只读

2））存取时间与物理地址有关（串行访问）

顺序存取存储器 磁带

直接存取存储器 磁盘

3）按在计算机中的作用分类

2.存储器的层次结构

1）存储器三个主要的特性关系   

2）缓存——主存层次和主存——辅存层次

缓存——主存层次主要解决速度问题

主存——辅存层次主要解决容量问题

二、主存储器

1.概述

1）主存的基本组成

2）主存与CPU的联系

3）主存中存储单元地址的分配（大小端）

4）主存的技术指标

2.半导体存储芯片简介

1）半导体存储芯片的基本结构

 

存储芯片片选线的作用：

2）半导体存储方式译码驱动方式

（1）线选法

特点：应用线性数组

缺点：对容量大的芯片不合适

（2）重合法

特点：布局为二维的队列，集成比较高

3.随机存取存储器（RAM）

1)静态RAM(SRAM)

保存0和1的原理是什么？

        静态RAM（SRAM）保存0和1的原理是利用存储在触发器中的电荷状态来表示不同的比特值（0或1）。

 

基本单元电路的构成是什么？

        静态RAM的基本单元电路是由一对互补的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成的双稳态触发器。

 

对单元电路如何读出和写入？

        对单元电路的读出是通过对访问线施加相应的控制信号，将存储的数据传递到输出线上；写入操作则通过对相应的位线施加适当的控制信号，改变存储单元中的电荷状态来实现。

 

典型芯片的结构是什么样子的？

        典型的SRAM芯片结构包括存储阵列、地址译码器、输入/输出线路和控制逻辑等部分。

 

静态RAM芯片的如何进行读出和写入操作？

        静态RAM芯片的读出操作是通过将地址信号传递到地址译码器，选中要读取的存储单元，然后将存储单元中的数据传递到输出线上；写入操作是通过将数据和地址信号传递到相应的位线和字线，并施加适当的控制信号来改变存储单元中的电荷状态。

 

 

2)动态RAM(DRAM)

 

保存0和1的原理是什么？

        动态RAM（DRAM）保存0和1的原理是利用电容器存储电荷来表示不同的比特值（0或1），电容器的充放电状态决定了存储的数据。

基本单元电路的构成是什么？

        动态RAM的基本单元电路是由一个存储电容器和一个访问晶体管构成。

对单元电路如何读出和写入？        

        对单元电路的读出是通过访问晶体管将存储电容器的电荷状态传递到输出线上；写入操作是通过对访问晶体管施加适当的控制信号，改变存储电容器的电荷状态来实现。

典型芯片的结构是什么样子的？

        典型的DRAM芯片结构包括存储阵列、行地址译码器、列地址译码器、输入/输出线路和控制逻辑等部分。

动态RAM芯片的如何进行读出和写入操作？

        动态RAM的读出操作是通过选通行地址和列地址，将存储电容器的电荷状态传递到输出线上；写入操作是通过选通行地址和列地址，并施加适当的控制信号，改变存储电容器的电荷状态来实现。

动态RAM为什么要刷新，刷新方法？

        动态RAM需要刷新是因为存储在电容器中的电荷会逐渐泄漏，导致数据丢失。刷新方法通常是周期性地读出所有存储单元，并重新写入相同的数据，以补充电容器中的电荷，保持数据的有效性。

3)动态RAM和静态RAM的比较

4)动态RAM刷新

刷新与行地址有关

1））集中式刷新（存取周期为0.5微秒）

2））分散刷新（存取周期为1微秒）

 

3））分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）

4.只读存储器（ROM）

掩膜ROM(MROM)

        行列选择线交叉处有MOS管为“1”

        行列选择线交叉处无MOS管为“0”

PROM(一次性编程)

熔丝断    为0

熔丝未断 为1

EPROM(多次性编程)

 

EEPROM(多次性编程)

        电可擦写

        局部擦写

        全部擦写

Flash Memony(闪速型存储器)

EPROM                    价格便宜 集成度高

EEPROM                  电可擦洗重写

比 EEPROM快          具备 RAM 功能

5.存储器与CPU的连接(重点)

存储器容量的扩展（位扩展，字扩展，同时扩展）

相同的片选，同时被选中，每个芯片读取/写入的时候读取/写入4位数据，合在一起就是8位数据。

用24译码器来选择第几组芯片，24译码器在A10和A11地址线

 

存储器和CPU的连接

基本方法：

（1）地址线的连接

        通过地址线找到存储单元

（2）数据线的连接

        CPU数据线的条数可能比存储器数据线条数多，此时需要位扩展

（3）读/写命令线的连接

        CPU给出读写命令，连接到对应存储器

（4）片选线的连接

        地址空间落在哪一个或哪几个地址芯片上（重要）

（5）合理选择存储芯片（ROM,RAM）

        保存系统程序，配置信息的地方——ROM

        用户程序区，系统程序运行的区域——RAM

        芯片数量尽可能少，片选逻辑尽可能简单

（6）其他  时序，负载

6.提高访存速度的措施

采用高速器件

采用层次结构Cache-主存

调整主存结构

 

 

 

 

 

 

 

 

高性能存储芯片

(1) SDRAM (同步 DRAM)

        在系统时钟的控制下进行读出和写入

CPU 无须等待

(2) RDRAM

        由 Rambus 开发，主要解决 存储器带宽 问题

(3) 带 Cache 的 DRAM

        在 DRAM 的芯片内 集成 了一个由 SRAM 组成的

        Cache ，有利于 猝发式读取