《炬丰科技-半导体工艺》TMAH溶液对硅得选择性刻蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：TMAH溶液对硅得选择性刻蚀
编号：JFKJ-22-1703
作者：华林科纳
网址：http://www.wetsemi.com/index.html

本文研究了TMAH溶液中摩擦诱导选择性蚀刻的性能受蚀刻温度、刻蚀时间和刮刻载荷的影响，通过对比试验，评价了硅摩擦诱导的选择性蚀刻的机理，各种表面图案的制造被证明与控制尖端痕迹划伤。

蚀刻时间和温度对选择性蚀刻的影响
当金刚石尖端划伤硅表面时，划伤区域发生晶格变形，形成非晶态层和扭曲结构，以及硅氧化物，由于晶体硅的蚀刻率远高于划伤区域，因此从划伤的痕迹中可以产生突出的山丘或纳米结构，图1显示了蚀刻温度对在10uN的施加载荷下由划痕引起的纳米结构形成的影响。一般来说，在不同的温度下蚀刻30秒会导致小山丘的形成，当温度为25°C时，选择性蚀刻在15分析内形成突出的山丘，而在35°C及以上，5分析时没有选择性蚀刻，结果表明，在相同的蚀刻时间下，温度越高蚀刻速度越快。
在不同温度下，山丘高度与不同温度下蚀刻时间的函数，如图2所示。结果表明，在1min范围内，高度随着温度升高到50°C而增加，由于氧化硅和TMAH之间的快速化学反应在高温下，5分钟的蚀刻导致丘的崩溃，和选择性蚀刻没有观察到温度高于50°C。因此，选择性蚀刻持续更长时间，即使低温导致蚀刻率相对较低，结果表明，低温即25°C，促进了可控的选择性蚀刻。
从图1和图2的结果可以看出，在TMAH溶液中选择性蚀刻时间对硅表面突出丘的高度有明显的影响，在25°C时进一步研究了山丘高度的蚀刻时间变化，随着蚀刻时间从