《炬丰科技-半导体工艺》III族氮化物的干法和湿法蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：III族氮化物的干法和湿法蚀刻
编号：JFKJ-21-901
作者：炬丰科技

引言

第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
介绍

在过去的十年中，宽带隙第三族氮化物的合成和生长的成功使得实现广泛的新器件成为可能。ⅲ族氮化物的带隙能量范围从InN的1.9电子伏到GaN的3.4电子伏到AlN的6.2电子伏。使用这些材料，已经证明了在短波长下工作的明亮发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs) [1，2]。事实上，具有寿命大于10，000小时的InGaN/AlGaN活性层的LDs已经被证明使得这些器件的商业化成为必然。氮化镓优异的电子传输特性，加上宽带隙、化学稳定性和AlGaN/GaN异质结构的可用性，也使得ⅲ族氮化物适用于高功率、高温晶体管。已经证明蓝宝石上的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)在大于70 GHz的频率下工作[3]，并且还制造了生长在SiC上的类似HFETs，其功率密度高达6.8w/mm[4]。最近，AlGaN/GaN异质结双极晶体管已经被证明。
这些器件性能的提高取决于外延材料的质量和器件加工技术的发展。特别是，有效的蚀刻技术对于形成氮化镓发光二极管的刻面、定义光电探测器的台面和氟化铪的栅极凹陷至关重要。与传统的ⅲ-ⅴ族半导体相比，ⅲ族氮化物具有较高的键能。InN的键能为7.7电子伏/原子，GaN为8.9电子伏/原子，AlN为11.5电子伏/原子&#x