hlke2022-CSDN博客

摘要在总化学物质供给量不变的情况下，具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗，这是环境友好的，并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄间距同时放置在相同的湿清洁浴中时，与具有相等间距的晶片排列相比，在窄间距处颗粒去除效率显著降低。为了防止湿法清洗过程降低清洗性能，必须仔细考虑晶片在湿法清洗槽中的放置。有趣的是，湿清洁浴中供给流速的模拟与不同晶片间距的实际颗粒去除率的实验数据相关。我们认识到晶片间距和化学品供应方式是控制湿浴清洁效率的重

2022-05-19 11:20:37 195

原创《华林科纳--半导体工艺》RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响

关键词——区域合作协定、供应链1、供应链2、QDR摘要在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中RCA湿化学处理的特性基于SC-1和QDR的处理时间、温度、浓度和兆频超声波功率。提出了一种通过增加湿法清洗化学过程的变量来改进晶片表面制备的方法。介绍华林科纳对SC-1和QDR的加工时间、温度、浓度和兆频超声波功率的影响进行了广泛的研究。这些

2022-05-19 11:15:44 243

原创晶圆厂越来越担心这个问题

贝恩公司 (Bain & Co) 专门从事芯片技术的合伙人Peter Hanbury表示，今年某些行业领域的痛苦可能会有所缓解。随着生产老一代芯片的新工厂上线，而这些老一代芯片一直是汽车制造商和其他公司的难题，供应他说，那里的限制可能会解除，尽管他预计作为更先进电子产品核心的尖端芯片的供应将保持紧张。ASML控股 NV 是一家荷兰公司，生产一些世界上最尖端和最昂贵的芯片制造设备，其首席执行官彼得·温宁克最近表示，预计需求将在“很长一段时间内”超过供应。该公司正在与供应商合作，看看是否可以制造更多.

2022-05-06 13:39:03 235

原创超导材料突破或将极大改变芯片行业

如果 20 世纪是半导体的世纪，那么 21 世纪可以成为超导体的世纪。代尔夫特理工大学研究团队负责人 Mazhar Ali 教授在超导材料领域的突破发表在《自然》杂志上。超导体是一类提供无损耗导电性的材料。研究表明，超导体也可以被制成只在一个方向上传输电流——这在以前被认为是不可能的。这一发现最终可能使电子产品不仅效率更高，而且性能提高数百倍，甚至可能开启太赫兹时代。超导体是在没有任何电阻的情况下承载电流的材料。这意味着（在所有条件相同的情况下）信号不会失去完整性，并且不会以热量的形式损失能量——不管.

2022-05-06 13:31:16 774

原创标准清洗槽中的质量参数的监控方法

高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制，以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量，同时提高生产率和盈利能力。硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此，表面准备是获得干净、镜面抛光、未受损硅表面的关键步骤。化学清洗是一种行之有效的方法，用于去除晶圆表面的污染物。最常见的工艺是RCA清洗，通过两个连续的标准溶液清洗晶圆。标准清洁1 SC1浴(或氨过氧化物混合物APM)由NH4OH和H2O2组成。标准清洁2 SC2浴由盐酸和H2O2制成。有效清洗晶片的关键因素是清

2022-05-05 15:50:16 243

原创马兰戈尼晶圆干燥系统

文章编号：HLKN-22-0407-2晶片干洗系统，更详细地说，是一种能够提高对晶片干燥效率的马兰戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系统。上述干燥剂系统将低表面张力的异丙醇蒸气喷射到晶片的表面，使存在于上述晶片表面的去离子水干燥，干洗系统配备充有去离子水的壳体及充有异丙醇的液罐，壳体内内置晶片，所述液罐设有产生异丙醇蒸气的泡泡器，壳体的上部安装有内置第一散流器的引擎盖，所以壳体的两侧部分别安装有第二和第三散流器。第一至第三散流器收纳所述异丙醇蒸气，分别向晶片的上部及两侧部喷射，异丙醇蒸气由来自氮

2022-05-05 15:36:54 276

原创光刻胶剥离和光掩模清洁的工艺顺序

文章编号：HLKN-22-0331-2本文一般涉及处理光掩模的领域，具体涉及用于从光掩模上剥离光致抗蚀剂和/或清洗集成电路制造中使用的光掩模的设备和方法。光掩模是涂有金属层的透明陶瓷衬底，该金属层形成电子电路的图案。在集成电路的制造过程中，薄膜通常用于密封光掩模使其免受颗粒污染，从而隔离和保护光掩模表面免受来自光掩模图案焦平面的灰尘或其他颗粒的影响。为了以高成品率生产功能性集成电路，光掩模和薄膜需要无污染。光掩模的污染可能发生在光掩模本身的制造过程中，也可能发生在光掩模的使用过程中集成电路制造过程中的

2022-05-05 15:26:00 245

原创《炬丰科技-半导体工艺》石墨烯基面上的各向异性蚀刻效应

在本文中，讲了一种干法各向异性刻蚀石墨和石墨烯的方法，能够通过调整蚀刻参数，如等离子体强度、温度和持续时间，从边缘控制蚀刻，蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发，蚀刻动力学与甲烷形成一致，这种简单、干净、

2022-04-25 11:41:55 173

原创《炬丰科技-半导体工艺》纳米掩膜蚀刻

在本文中，使用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻方法进行了阵列制作铁氧化物纳米点的生物纳米过程，ICP法是一种很有前途的方法，用于半导体图案化的干蚀刻方法，这种方法的特点是通过安装在反应室顶部的天线线圈使等离子体高度致密。此外···············

2022-04-25 11:37:31 227

原创《炬丰科技-半导体工艺》玻璃薄化蚀刻

本研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案，为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响，阴离子表面活性剂的加入提供了防止由蚀刻反应产生的淤渣粘附的功能，

2022-04-25 11:30:26 573

原创《炬丰科技-半导体工艺》TMAH溶液对硅得选择性刻蚀

当金刚石尖端划伤硅表面时，划伤区域发生晶格变形，形成非晶态层和扭曲结构，以及硅氧化物，由于晶体硅的蚀刻率远高于划伤区域，因此从划伤的痕迹中可以产生突出的山丘或纳米结构，图1显示了蚀刻温度对在10uN的施加载荷下由划痕引起的纳米结构形成的影响。一般来说，在不同的温度下蚀刻30秒会导致小山丘的形成，当温度为25°C时，选择性蚀刻在15分析内形成突出的山丘，而在35°C及以上，5分析时没有选择性蚀刻，结果表明，在相同的蚀刻时间下，温度越高蚀刻速度越快。

2022-04-25 11:26:47 736

原创《炬丰科技-半导体工艺》针对纳米颗粒的多种清洗工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：针对纳米颗粒的多种清洗工艺编号：JFKJ-22-1719作者：华林科纳本文研究了不同清洗方法（离心和透析）对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响，关于透析过程，核磁共振分析表明，经过9个清洗周期后，柠檬酸浓度与第一次离心后测量的浓度相当(约6 104M)相当，但通过动态光散射测定的色散多分散指数增加，x射线光电子能谱结果支持核磁共振的结果，并揭示了纳米颗粒清洗过程后的主要碳氢化合物污染。在这项工作中，使用XPS和其他表征技术，即核磁共振(NMR)、扫

2022-04-25 11:17:30 189

原创《炬丰科技-半导体工艺》湿法加工中掩模对准晶体方向的确定

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿法加工中掩模对准晶体方向的确定编号：JFKJ-21-1697作者：华林科纳引言微流体和光学传感平台通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因为它们具有光学透明性和化学惰性。氢氟酸(HF)溶液是用于深度蚀刻二氧化硅衬底的选择的蚀刻介质，但是由于HF迁移穿过大多数掩模材料的侵蚀性，对于大于1小时的蚀刻时间，处理方案变得复杂和昂贵。我们在此提出蚀刻到超过600微米深的熔融石英中，同时保持衬底没有凹坑并保持适合于生物成像的抛光蚀刻表面。我们使用耐HF的光敏抗蚀剂(HFPR

2022-04-13 11:50:06 218

原创《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究编号：JFKJ-21-1695作者：华林科纳引言在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。此外，没有关于KOH和TMAH中底切凸角的不同形状的描述性解释。本文对Si{晶片表面的角底切进行了深入研究。对两种不同类型的蚀刻剂(KOH和TMAH)检查了底切行为。通过分析掩模图案上不同种类

2022-04-13 11:47:37 340

原创《炬丰科技-半导体工艺》HCL处理对多孔硅光电应用的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：HCL处理对多孔硅光电应用的影响编号：JFKJ-21-1693作者：华林科纳引言本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液，导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定PS的孔隙率。有效介质近似方法揭示了折射率随着孔隙率的增加而减小。当样品阳极氧化时，电解液中含有HCl材料表面上Si-H基团的浓度有净下降。在光致发

2022-04-13 11:39:25 301

原创《炬丰科技-半导体工艺》气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除编号：JFKJ-21-1674作者：华林科纳引言在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备。用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅。通过改变晶片温度、室压和气体流速，可以很好地控制氧化物蚀刻速率。已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下，每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度，这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。介绍现代集成电路(IC)制造中最重要

2022-04-07 10:51:45 684

原创《炬丰科技-半导体工艺》晶片表面处理和预清洗的动态

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：晶片表面处理和预清洗的动态编号：JFKJ-21-1677作者：华林科纳引言半导体器件的制造工程已使光电仪器、激光二极管和无线通信设备以及许多其他现代设备成为可能。从巴丁、布里泰因和肖克利1947年在贝尔实验室发明晶体管，到大约十年后基尔比和诺伊斯推出集成电路，半导体器件极大地推动了计算和电子工业的发展。半导体材料，如硅、锗、砷化镓和磷化铟，既不是良好的绝缘体，也不是良好的导体，但它们具有固有的电学性质，因此通过控制杂质的加入，可以改变它们的导电性。由于需要制

2022-04-07 10:45:51 218

原创《炬丰科技-半导体工艺》利用超临界二氧化碳对MEMS进行刻蚀、冲洗和干燥

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：利用超临界二氧化碳对MEMS进行刻蚀、冲洗和干燥编号：JFKJ-21-1675作者：华林科纳引言利用现有的超临界二氧化碳进行蚀刻和干燥的工艺由两阶段工艺组成：在高压干燥器外部利用溶剂对晶片进行蚀刻,然后移动到高压干燥器,利用超临界二氧化碳进行清洗和干燥。利用该工艺在本研究中进行了试验,结果证实,无粘可蚀刻、清洗和干燥,但反复试验结果证实,重现性差。这是因为外部蚀刻后移动到烘干机时,蚀刻用溶剂汽化,结构粘着的问题发生了。本研究旨在改善这一问题,不移动晶片,而是在高

2022-04-07 10:41:40 246

原创《炬丰科技-半导体工艺》通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷

.结果和讨论图4描绘了使用湿臭氧去除聚合物的结果。表2给出了使用湿臭氧去除每种聚合物的速率。主链中含有碳碳双键的聚合物(酚醛清漆树脂、顺式」，4-聚异戊二烯)的去除速率最快。侧链含有碳碳双键的聚合物(PVP, PS)的去除速率比酚醛树脂和顺式--聚异戊二烯慢。但是，没有碳碳双键的聚合物(PMMA, PVC)没有被去除酚醛清漆树脂和顺式聚异戊二烯的主糖应该通过反应分解用湿臭氧。

2022-04-07 10:36:14 173

原创《炬丰科技-半导体工艺》用湿法臭氧去除各种化学结构的聚合物

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：非晶碳层的刻蚀特性研究编号：JFKJ-21-1676作者：华林科纳介绍我们通过使用湿臭氧估计具有各种化学结构的聚合物的去除来评估湿臭氧和聚合物的化学反应性。主链中含有碳-碳双键的聚合物(酚醛清漆树脂、顺式-1, 4-聚异戊二烯)的去除速率最快。在侧链中具有碳碳双键的聚合物(PVP, PS)的移除速率比酚醛清漆树脂和顺式4-聚异戊二烯的移除速率慢。没有C-C双键的聚合物(PMMA, PVC)不被除去。我们认为湿臭氧应该很容易与碳碳双键发生反应。酚醛清漆树

2022-04-07 10:25:22 212

原创《炬丰科技-半导体工艺》亚微米沟槽冲洗和清洁

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：亚微米沟槽冲洗和清洁编号：JFKJ-21-1671作者：华林科纳引言表面和亚微米深沟槽的清洗在半导体制造中是一个巨大的挑战。在这项工作中，使用物理数值模拟研究了使用脉动流清洗毯式和图案化晶片。毯式晶片清洗工艺的初步结果与文献中的数值和实验结果吻合良好。毯式和图案化晶片的初步结果表明，振荡流清洗比稳定流清洗更有效，并且振荡流的最佳频率是沟槽尺寸的函数。介绍微污染是大多数大规模生产的超大规模集成电路的产量损失[1]。传统上，晶片

2022-04-02 11:48:24 158

原创《炬丰科技-半导体工艺》多孔硅的冲洗和干燥研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：多孔硅的冲洗和干燥研究编号：JFKJ-21-1673作者：华林科纳引言p+型多孔硅(PS)的显著单晶性质被用于利用高分辨率X射线衍射研究硅晶体从湿态转移到干态的效应:这些效应被多孔硅的大比表面积所强调。硅从氢氟酸溶液通过水中的冲洗阶段转移到空气中具有重要的基础和技术意义，因为这发生在硅的大多数化学处理中。首先，在干燥过程中，PS层收缩观察到，与表面化学变化有关，此外还有一些可逆变形。第二，水中的漂洗阶段根据漂洗持续时间导

2022-04-02 11:28:25 186

原创《炬丰科技-半导体工艺》旋转超声雾化液中新型处理GaAs表面湿法清

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：非晶碳层的刻蚀特性研究编号：JFKJ-21-1649作者：华林科纳引言提出了一种新的GaAs表面湿法清洗工艺。它的设计是为了技术的简单性和在GaAs表面产生的最小损害。它将GaAs清洗与三个条件结合起来，这三个条件包括(1)去除热力学不稳定的物质，和(2)在热清洗后必须完全去除表面氧化层，和(3)必须提供光滑的表面。清洗过程采用旋转超声波雾化技术。首先，通过有机溶剂去除杂质；第二次NH4OH∶H2O 2∶H2O = 1∶1∶10的溶液和

2022-04-02 11:16:01 184

原创《炬丰科技-半导体工艺》氧化铝陶瓷基板上的紫外激光微加工和化学蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氧化铝陶瓷基板上的紫外激光微加工和化学蚀刻编号：JFKJ-21-1635作者：华林科纳引言在这项研究中，使用Nd:YVO4紫外激光器对用作多层微芯片衬底的超薄(125 μm)陶瓷板进行微加工。采用4×4正交设计研究了紫外激光微加工参数(包括激光功率密度、频率、激光扫描速度和传输延迟)对微加工精度和质量(切口宽度和切口侧壁算术平均粗糙度Ra)的影响。在保持高生产效率的同时，为小切口宽度和切口侧壁的最小Ra确定并优化关键工艺参数。随后对激光处理区域进行化学蚀.

2022-04-02 11:05:32 461

原创《炬丰科技-半导体工艺》溢流冲洗效率评价

本文描述了溢流晶片清洗工艺中的流场。该信息被用于一项倡议，其主要目的是减少晶片清洗中的用水量。使用有限元数值技术计算速度场。大部分的水无助于晶片清洗。

2022-04-02 10:51:03 171

原创《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶片上粒子沉积的实验研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体晶片上粒子沉积的实验研究编号：JFKJ-21-976作者：炬丰科技引言半导体晶片上的粒子沉积是集成电路制造中的一个重要问题。随着集成电路的特征尺寸接近亚微米的尺寸，晶片上的颗粒沉积是造成产品损失的主要原因。我们开发了一种用于检测半导体晶片上颗粒沉积的灵敏方法。该方法包括产生单分散荧光气溶胶，在层流室中将已知尺寸的单分散气溶胶沉积在晶片上，并使用荧光技术分析沉积的颗粒。在1.0 pm的颗粒直径以上，单分散的铀标记的油酸气溶胶由振动孔发生器产生。测试晶片是直径

2022-02-10 11:27:29 466

原创《炬丰科技-半导体工艺》SC-1颗粒去除和piranha后漂洗的机理研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：SC-1颗粒去除和piranha后漂洗的机理研究编号：JFKJ-21-930作者：炬丰科技引言SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效，但去除机制仍不清楚。对于去，除重有机污染物，piranha清洗是一个有效的过程；然而，piranha后残留物顽强地粘附在晶片表面，导致颗粒生长现象。已经进行了一系列实验来帮助理解这些过程与硅的相互作用

2022-02-10 11:25:17 387

原创《炬丰科技-半导体工艺》半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体单晶片旋转清洗器中涡流的周期性结构编号：JFKJ-21-894作者：炬丰科技引言近年来，随着集成电路的微细化，半导体制造的清洗方式从被称为“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐渐改变为“单张式”的晶片一次清洗的方式。在半导体的制造中，各工序之间进行晶片的清洗，清洗工序次数多，其时间缩短、高精度化决定半导体的生产性和质量。在单张式清洗中，用超纯水冲洗晶片 ,一边高速旋转，一边从装置上部使干燥的空气流过。在该方式中，逐个处理晶片。上一行程粒子的交错污染少。近年

2022-02-10 11:19:38 738

原创《炬丰科技-半导体工艺》SiGe的蚀刻和沉积控制

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：SiGe的蚀刻和沉积控制编号：JFKJ-21-771作者：炬丰科技摘要嵌入式硅锗在最近的技术节点中被应用于互补金属氧化物半导体中，以提高器件性能并实现扩展。本文发现硅锗表面相对于沟道的位置对功率因数校正阈值电压和器件可变性有显著影响。因此，嵌入式硅锗的凹槽蚀刻和沉积必须得到很好的控制。我们展示了器件对填充工艺的敏感性，并描述了用于优化外延控制的前馈和反馈技术。介绍在进入制造业的最新CMOS技术节点，由于传统的栅极长度和厚度缩放不再提供在较低漏极电压(Vd)下

2022-02-10 11:14:55 337

原创《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论编号：JFKJ-21-1075作者：炬丰科技引言半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距

2022-02-10 11:08:56 328

原创《炬丰科技-半导体工艺》III-V集成光子的制备

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V集成光子的制备编号：JFKJ-21-212作者：炬丰科技摘要本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件，这项工作涵盖了一系列III-V材料以及各种各样的设备。最初，设计，制造和光学表征研究了铝砷化镓波导增强光学非线性耳相互作用。基于我们的研究结果，我们提出了一种新型的AlGaAs集成非线性光学波导。波导是集成光子器件中极具吸引力的元件，因为它们控制光线的空间、光谱和色散特性。集成光子学光子学，也被称为光学，是生成的科学和工程，

2022-02-09 11:56:44 74

原创《炬丰科技-半导体工艺》III族氮化物的干法和湿法蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III族氮化物的干法和湿法蚀刻编号：JFKJ-21-901作者：炬丰科技引言第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展

2022-02-09 11:51:15 1203

空空如也

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