随 着嵌入式系统越来越广泛的应用,嵌入式系统中的数据存储和数据管理已经成为一个重要的研究课题。Flash存储器具有速度快、成本低等很多优点,因此在嵌 入式系统中的应用也越来越多。为了合理地管理存储数据,进行数据共享,Flash的设计在ARM嵌入式系统中对数据存储和数据管理尤为重要。
1实例说明
在嵌入式设备中,有两种程序运行方式:一种是将程序加载到SDRAM中运行,另一种是程序直接在其所在的ROM/Flash存储器中运行。一种 比较常用的运行程序的方法是将该Flash存储器作为一个硬盘使用,当程序需要运行时,首先将其加载到SDRAM存储器中,在SDRAM中运行。通常相对 于:ROM而言,SDRAM访问速度较快,数据总线较宽,程序存SDRAM中的运行速度比在Flash中的运行速度要快。
ARM 中的存储模块示意图如图7-1所示。
其中,各功能模块的含义如下。
(1)系统初始化——进行系统的最小初始化,包括初始化系统时钟、系统的中断向量表、SDRAM及一些其他的重要I/O端口。
(2)映像文件下载——通过一定的方式,得到新的目标程序的映像文件,将该文件保存到系统的SDRAM中。要完成这部分工作,ARM嵌入式设备需要与外部的主机建立某种通道,大部分系统都是使用串行口,也可以使用以太网口或者并行口进行通信。
(2)Flash写入——根据不同的Flash存储器,选择合适的操作命令,将新的目标程序的映像文件写入到目标系统的Flash存储器中,实现Flash存储器操作的功能模块。
在本实例里,Flash用于存放程序代码、常量表和一些存系统掉电后需要保存的用户数据等。
2 Flash原理
2.1 Nand-Flash与Nor-Flash区别
Flash主要分为Nor-Flash和Nand-Flash两类,下面对二者进行较为详细的比较。
1. 性能比较
Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前都必须先执行擦除操作。Nand- Flash器件执行擦除操作十分简单;而Nor-Flash则要求在进行擦除前,先将目标块内所有的位都写为0。擦除:Nor-Flash器件时是以 64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为1~5s;擦除Nand-Flash器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只 需要4ms。
执行擦除操作时,块尺寸的不同进一步拉大了Nor-Flash和Nand-Flash之间的性能差距。统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其 是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于Nor-Flash的单元中进行。因此,当选择存储解决方案时,必须权衡以下的各项因素。
?Nor-Flash的读取速度比Nand-Flash稍快一些。
?Nand-Flash的写入速度比Nor-Flash快很多。
?Nand-Flash的擦除速度远比Nor-Flash快。
?大多数写入操作需要先进行擦除操作。
?Nand-Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
2. 接口差别
Not-Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。
Nand-Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 Nand-Flash的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地,基于Nand-Flash的存储器就可以取代硬盘或其他 块设备。
3. 容量和成本
Nand-Flash的单元尺寸几乎是Nor-Flash器件的一半。由于生产过程更为简单,NaIld-Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
Nor-Flash占据了大部分容量为1~16MB的内存市场,而Nand-Flash只是用在8~128MB的产品当中。
4. 可靠性和耐用性
采用Flash介质时,一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF(平均无故障时间)的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较Nor-Flash和Nand-Flash的可靠性。
(1) 寿命(耐用性)
在Nand-Flash闪存中,每个块的最大擦写次数是100万次,而Nor-Flash的擦写次数是10万次。Nand-Flash存储器除 了具有10:1的块擦除周期优势外,典型的Nand-Flash块尺寸要比Nor-Flash器件小8位,每个Nand-Flash存储器块在给定时间内 的删除次数要少一些。
(2) 位交换
所有的Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(Nand-Flash发生的次数要比 Nor-Flash多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障就可能导致系统停 机。如果只是报告有问题,则多读几次就可能解决。
位反转的问题更多见于Nand-Flash闪存,Nand-Flash的供应商建议使用Nand-Flash闪存时,同时使用EDC/ECC算法。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,则必须使用EDC/ECC(纠错码)系统以确保可靠性。
(3) 坏块处理
Nand-Flash器件中的坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。Nand-Flash器件 需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,则将导致高故障率。
5. 易用性
可以非常直接地使用基于Nor-Flash的闪存,像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,Nand- Flash要复杂得多,各种Nand-Flash器件的存取方法因厂家而异。在使用Nand-Flash器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操 作。向Nand-Flash器件写入信息需要相当的技巧,因为设计人员绝不能向坏块写入,这就意味着在Nand-Flash器件上自始至终都必须进行虚拟 映射。
6. 软件支持
在Nor-Flash器件上运行代码不需要任何的软件支持。在Nand-Flash器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是闪存技术驱 动程序(Memory Technology Devices,MTD)。Nand-Flash和Nor-Flash器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD,但使用Nor-Flash器件时,所需要 的MTD要相对少一些。许多厂商都提供用于Nor-Flash器件的更高级的软件,在Linux系统中采用JFFS驱动,这在后文中将具体讲述。
2.2 Flash驱动
对于Flash芯片的驱动,Linux提供了完善的驱动程序,只需要在内核配置里面选择好相应的类型即可。
在Linux中通过MTD子系统提供的抽象设备机制,来实现对Flash设备的管理控制和数据读写。MTD设备是一类特殊的存储设备,如常用的Flash芯片、CFI卡等。MTD同时提供通过字符设备方式和块设备方式来管理控制MTD设备的机制。
MTD核心层分为:用户模块接口层、MTD抽象层和MTD设备驱动模块层。MTD核心层通过设备驱动模块实现对存储设备的物理访问功能,通过用户模块提供用户空间直接访问的接口。
MTD的设备驱动模块层负责驱动Flash硬件,只需实现实际设备上的访问控制,与内核交互的复杂工作则由MTD抽象层完成。其中也对 Nand-Flash的驱动进行了抽象,还实现了错误检测与纠错(ECC)和坏块处理等用户模块层提供从用户空间直接访问的接口,上层应用只需通过MTD 抽象层提供的字符设备方式或块设备方式来访问MTD抽象设备,然后通过MTD的内部机制把这些请求交给实际的驱动模块去执行。MTD抽象层定义了抽象的 MTD设备结构,对于具体设备的驱动模块,需要设计好公共函数的实际内容,并在检测到实际设备后注册一个MTD设备,然后就可通过MTD提供的字符设备访 问方式或块设备访问方式直接使用具体的硬件设备。
MTD程序编写在以后的章节里会详细介绍。
3硬件电路设计
在系统中使用了两种Flash芯片,其中Nor-Flash主要用于存放系统代码,而Nand-Flash主要用于存放用户信息。
3.1 Nor-FIash的设计
系统所用的Nor-Flash芯片是Intel公司的E28F128J3 Flash,如图7-2所示。128Mbit的存储空间由128个128KB(131072字节)的擦除块组成。擦除块是相互独立的,每一块的擦除操作都 可以在1s内完成。每一块可以独立地被擦除100000次。这些块可以分别设定为是可锁的或是非可锁的,由一个锁定位来控制。还有一个128bit的保护 寄存器可以复用。
该 Flash采用25根地址线和16位数据线,可以通过nBYTE这个信号来选择是8位还是16位方式访问。该系统是采用16位方式访问的,因此该信号线接 高电平,同时A0地址线不起作用,一同接高。nOE/nWE是读写信号,由EP7312的读写控制线直接控制。Flash的片选信号有3个,它们组合后的 结果如表7-1所示。
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42584727.jpg)
系统中将CEl、CE2信号接高,CE0由ARM的CS0片选线来控制。
3.2 Nand-Flash的设计
系统中所采用的Nand-Flash芯片是Samsung公司的K9F2808U。该器件存储容量为16M×8位,除此之外还有512KX 8位的空闲存储区。该器件采用TSSOP48封装,工作电压为2.7~3.6V。8位I/O端口采用地址、数据和命令复用的方法,这样既可减少引脚数,又 可使接口电路简捷。
由于ARM系统没有Nand-Flash控制所需要的CLE、ALE信号,因此需要利用ARM的通用GPIO口。具体的连接电路如图7-3所示。
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42729293.jpg)
?命令锁存使能(CLE),使输入的命令发送到命令寄存器。当变为高电平时,在WE上升沿命令通过I/O口锁存到命令寄存器。
?地址锁存使能(ALE),控制地址输入到片内的地址寄存器中,地址是在WE的上升沿被锁存的。
?片选使能(CE),用于器件的选择控制。在读操作、CE变为高电平时,器件返回到 备用状态;然而,当器件在写操作或擦除操作过程中保持忙状态时,CE的变高将被忽略,不会返回到备用状态。
?写使能(WE),用于控制把命令、地址和数据在它的上升沿写入到I/O端口;而在 读操作时必须保持高电平。
?读使能(RE),控制把数据放到I/O总线上,在它的下降沿tREA时间后数据有效;同时使内部的列地址自动加1。
?I/O端口,用于命令、地址和数据的输入及读操作时的数据输出。当芯片未选中时, I/O口为高阻态。
?工写保护(WP),禁止写操作和擦除操作。当它有效时,内部的高压生成器将会复位。
?准备/忙(R/B),反映当前器件的状态。低电平时,表示写操作或擦除操作以及随机读正进行中;当它变为高电平时,表示这些操作已经完成。它采用了开漏输出结构,在芯片未选中时不会保持高阻态。
3.3 Nor-F1ash/Nand-FIash跳线选择
由于ARM提供了Nand-Flash Boot-loader技术和可选择的多种启动方式,因此硬件设计中同时设计了Nor-Flash和Nand-Flash,通过跳线选择启动方式,如图7-4所示。
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42838168.jpg)
4软件设计
Flash 存储器的支撑软件包括基本的读/写/擦除操作和上层的闪存管理软件,采用的嵌入式Linux操作系统中通过MTD子系统提供的抽象设备机制,来实现对Flash设备的管理控制和数据读写。
4.1 FIash数据存储操作流程
向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令,就可对Flash存储器进行烧写、擦除等操作,但操作必须按照一定的顺序,否则就会导致Flash存 储器复位而使操作命令无法完成。编程指令只能使“1”变为“0”,而擦除命令可使“0”变为“1”,因此正确的操作顺序是先擦除,后编程,当Flash存 储器被擦除以后,读出的内容应全为0xFF。
对Flash操作的程序流程如图7-5所示。
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42185250.jpg)
系统启动后,对系统关键设备(包括ARM、sI)RAM、N0r-Flash和Nand-Flash等)进行初始化操作,然后启动Boot-loader,将Nand-Flash上的Linux内核读入SDRAM执行。
初始化时,除了对Flash内部寄存器进行初始化设置外,还需要设置ARM的寄存器。
4.2程序代码说明
对Flash存储器的烧写、整片擦除、按扇区擦除及其他操作,都可以通过编程实现(见如下代码)。对于编写连续烧写Flash存储器多个存储单元的 程序,只需循环执行即可,但应在对每个单元烧写命令发出后进行检测,保证前一个单元烧写结束后再进行下一个存储单元的烧写,当然也可采用延时等待的方法进 行连续的烧写。
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42412626.jpg)
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42538200.jpg)
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42987595.jpg)
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42980399.jpg)
![](http://blog.eccn.com/UploadFiles/2007-4/42285006.jpg)
在读取Flash的时候不一定读取一个block,可以按照实际需要的地址读取;但是在写的时候一次需要擦除一个扇区,然后再写入。读取子程序设定了一次读取一个扇区,目的是为了按需要更改后再写入。
5实例总结
ARM与Flash存储器的接口电路设计与调试,以及对Flash存储器的编程与擦除是ARM系统设计中的一项重要部分,Flash存储器通常装载着嵌入 式系统的Boot-loader程序和操作系统的核心代码,因此Flash的稳定与否直接决定整个系统能否运作。
本章讲述了两种Flash芯片——Nor-Flash和Nand-Flash的特点、软硬件设计,在对Flash的编程中,需要注意以下三个方面。
?在Flash编程之前应先擦除Flash,对Flash进行擦除过程将持续一段时间(视不同的Flash芯片而定,具体的可以查找Flash芯片典型擦除时间,一般为20s左右),擦除后Flash的数据为全FF。
?对Flash编程的过程,将持续很长时间,通常编程50KB的文件需要15分钟左右(视不同的Flash芯片、上位机和操作系统而定)。
?擦除Flash操作不可恢复,对Flash编程需使用“初始化配置”,如关闭看门狗、关闭系统对Flash空间的缓冲、设置对Flash空间的操作时序等。