FLASH写操作模块设计

对FLASH某页进行写操作通常是以页为单位的，这样能大幅提高效率。一页包含2048+64个存储单元，每个存储单元为1个字节，一般情况下，写入的数据为2048个，64个空闲区用来存储校验信息。

FLASH页写模块内例化了2K的双端口RAM，为其分配2K的MCU地址空间，实现时，MCU先向2K的双端口RAM写入2048个数据，然后给出FLASH地址，接下来向页写命令寄存器发出页写开始指令，FLASH管理模块中寄存器变量flash_write_start变为1并且状态机的状态变为WRITE_STATE，则进入FLASH页写模块。

FLASH页写状态机将双端口RAM中的数据写入FLASH相应的地址空间，并且在地址2049处写入F0，标记该页已经使用过。因为对FLASH页写操作过程中可能会失败，所以需要将失败信息告诉MCU（如果页写失败，MCU按照预先设定好的策略执行，给出新的FLASH页地址，将双端口RAM中已经存放的数据重新进行写入操作）。判断页写操作是否失败的过程是读取FLASH的状态寄存器，实现方法为发出1个读状态寄存器命令70H，然后在flash_rd的下降沿读出I/O上的数据。如果BIT0为0，则页写操作正确，否则失败。

FLASH页写状态机结束后，FLASH页写模块中的寄存器变量flash_write_done变为1， FLASH管理模块状态机的状态变为IDLE，等待接收新的MCU命令。MCU中断管理模块将中断寄存器中和FLASH页写结束及页写失败相关的位置位，同时产生MCU中断信号，通知MCU来查询。

FLASH页写模块的仿真波形图见下图。

为了验证页写功能是否正确，MCU向双端口RAM写入2K个数据，数据内容为从0递增的方式，然后给出页写命令。结束后，把该页中的数据回放出来。通过这个过程，可以验证页写功能是否正确。

图2为页写操作后回放出的数据，可以看出，数据为从0递增方式，进一步验证了页写和回放功能的正确性。