Winbond/华邦 W25Q80DVSSIG 3V 8M-位串行闪存 双通道和四通道 SPI NOR FLASH 存储器

1.概述
W25Q80DV (8M位)串行闪存为具有有限功能的系统提供了存储解决方案空间、引脚和电源。25Q 系列提供远超普通串行的灵活性和性能闪存设备。它们非常适合将代码重影到RAM,直接从双/四通道SPI执行代码(XIP)并存储语音、文本和数据。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，具有关断时消耗电流低至1μA.所有设备均采用节省空间的封装。
W25Q80DV阵列分为4,096个可编程页面，每个页面256字节。最多256字节可以一次编程。页面可以以16个为一组(4KB 扇区擦除).128 个为-组进行擦除(32KB块擦除)。256 个组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)。The W25Q80DV分别有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区允许更大的在需要数据和参数存储的应用中具有灵活性。(请参阅图 2。
该W25Q80DV支持标准串行外设接口(SPI) 和高性能双/四路输出以及双路/四路I/OSPI:串行时钟、片式选择、串行数据1/O00 (DI) . 1/O1 .(DO) . I/02 (/WP) 和1/O3 (/H0LD) 。支持高达104MHz的SPI时钟频率，允许双通道I/O的等效时钟速率为208MHz (104MHzx2) ，四通道I/O的等效时钟速率为416MHz (104MHz x 4)使用快速读取双/四I/O指令时。这些传输速率可以优于标准异步8位和16位并行闪存。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护，具有顶部、底部或补码阵列控制，可提供进一步的控制灵活性。此外，该器件还支持64位JEDEC标准制造商和器件标识唯一序列号。

2.特点
口SpiFlash存储器系列
口具有4KB扇区的灵活架构
- W25Q80DV: 8M位/1M节(1,048,576)
-均匀扇区/块擦除(4/32/64-KB)
-每页可编程256字节
-在0.8ms<编程1至256字节
标准SPI: CLK，/CS，DI， DO, /WP, /Hold
-擦除/程序暂停和恢复.
-双SPI: CLK. /CS. IO。IO、/WP. Hold
-超过100,000次擦除/写入周期
四通道SPI: CLK. /CS. IO。IO、IO. IO;
-数据保留时间超过20年
-统一-的4KB扇区，32KB和64KB块
口最高性能串行闪存
口低功耗、宽温度范围
- 104MHz双/四通道SPI时钟
-2.7至3.6V单电源供电
- 208/41 6MHz等效双/四通道SPI
-<1μA关断(典型值)
- 50MB/S连续数据传输速率
=书省空阑的包装(田:
口软件和硬件写保护
- 8引脚S0IC 150mil/208mil, VSOP 150mil
-8焊盘WSON 6x5-mm, USON 2x3-mm
-对全部或部分内存进行写保护
- 8针PDIP 300-mil
-使用/WP引脚启用禁用保护
-8引脚WLCSP
-顶部或底部阵列保护
-联系华邦获取KGD和其他选项
注1.有些套餐类型是特殊订单,
请联系华邦订购
信息。