类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2994 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
6.2W(Ta),83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
AON741
AOS/万代 AON7418 DFN3X3 30V 46A 6.2W 1个N沟道 场效应管(MOSFET)
最新推荐文章于 2024-05-05 11:37:28 发布