存储技术学习笔记——SSD

想到哪儿学到哪儿更新到哪儿

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一、NAND闪存

（一）存储单元

Flash的基本存储单元是 - 浮栅晶体管。中间的Floating Gate被绝缘层包围着，电子易进难出，通过对Floating Gate充放电子，来对晶体管进行写入和擦除。写入数据时，因为需要通过加压的方式对存储单元进行电子填充，所以速度略慢。

（二）NAND flash的擦除、读、写

• 擦除
  在衬底施加电压足够长的时间，把电子从浮栅中吸出来，擦除之后，整个block的数据都变成了1。由于一个block共用一个衬底，所以在擦除时，一次擦除一个block，即擦除的单位为block。

• 写
  写的过程是对浮栅充电子，也称为编程。写之前需要先进行擦除，由于擦除之后，数据都变成了1，所以需要对要写入0的浮栅进行充电。

• 读
  读取的时候，对晶体管施加一个低电压，如果浮栅中没有电子，那么管子就是导通的，读到1；如果浮栅中有电子，管子不导通，读到0。读取数据时，因为是否有电子会影响到管子的导通性，所以可以利用电流感应浮栅里电子捕获量的多寡，靠感应强度转换成二进制的0与1。

   Block是擦除的基