S3C2440对Nand Flash操作和电路原理
——K9F2G08U0A
S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性:
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我用的开发板是天嵌的TQ2440,板子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A,它是8位的Nand flash。本文只介绍Nand Flash的电路原理和Nand Flash的读、写、擦除等基本操作,暂不涉及Nand Flash启动程序的问题。
Nand Flash的电路连接如图1所示:
图 1 Nand Flash电路原理
上图的左边为K9F2G08U0A与2440的连接图,原理方面就不多介绍,去看看datasheet估计就懂得了,右边的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引脚NCON,GPG13,GPG14和GPG15用来设置Nand Flash的基本信息,Nand控制器通过读取配置引脚的状态获取外接的Nand Flash的配置信息,图2是这四个配置引脚的定义:
图 2 Nand控制配置引脚信息
K9F2G08U0A没有地址或数据总线,只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。K9F2G08U0A主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。K9F2G08U0A的存储阵列如图 3所示:
图 3 K9F2G08U0A内部存储阵列
由上图,我们可以知道:K9F2G08U0A的一页为(2K+64)字节(2K表示的是main区容量, 64表示的是spare区容量),它的一块为64页,而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量,如果只算main区容量则有256M字节(即256M×8位)。
图 4 K9F2G08U0A地址序列
要实现用8个IO口来要访问这么大的容量,如图4所示:K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7;第二个周期访问的地址为A8~A11,它作用在IO0~IO3上,而此时IO4~IO7必须为低电平;第三个周期访问的地址为A12~A19;第四个周期访问的地址为A20~A27;第五个周期访问的地址为A28,它作用在IO0上,而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址,后三个周期传输的是行地址。通过分析可知,列地址是用于寻址页内空间,行地址用于寻址页,如果要直接访问块,则需要从地址A18开始。由于所有的命令、地址和数据全部从8位IO口传输,所以Nand flash定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令(即一个周期)即可,而有的操作则需要两个命令(即两个周期)来实现。K9F2G08U0A的命令说明如图 5所示:
图 5 K9F2G08U0A命令表
为了方便使用,我们宏定义了K9F2G08U0A的常用命令
#define CMD_READ1
#define CMD_READ2
#define CMD_READID
#define CMD_WRITE1
#define CMD_WRITE2
#define CMD_ERASE1
#define CMD_ERASE2
#define CMD_STATUS
#define CMD_RESET
#define CMD_RANDOMREAD1
#define CMD_RANDOMREAD2
#define CMD_RANDOMWRITE
接下来介绍几个Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF(Nand Flash配置寄存器),NFCONT(Nand Flash控制寄存器),NFCMMD(Nand Flash命令集寄存器),NFADDR(Nand Flash地址集寄存器),NFDATA(Nand Flash数据寄存器),NFMECCD0/1(Nand Flash的main区ECC寄存器),NFSECCD(Nand Flash的spare区ECC寄存器),NFSTAT(Nand Flash操作状态寄存器),NFESTAT0/1(Nand Flash的ECC状态寄存器),NFMECC0/1(Nand Flash用于数据的ECC寄存器),以及NFSECC(Nand Flash用于IO的ECC寄存器)。
(2)NFCONT:用来使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引脚信号nFCE、初始化ECC。它还有其他功能,在一般的应用中用不到,比如锁定NAND Flash。
(3)NFCMMD:对于不同型号的Flash,操作命令一般不一样。参考前面介绍的K9F2G08U0A命令序列。
(4)NFADDR:当写这个寄存器时,它将对Flash发出地址信号。只用到低8位来传输,所以需要分次来写入一个完整的32位地址,K9F2G08U0A的地址序列在图4已经做了详细说明。
(5)NFDATA:只用到低8位,读、写此寄存器将启动对NAND Flash的读数据、写数据操作。
(6)NFSTAT:只用到位0,用来检测NAND是否准备好。0:busy,1:ready。
NFCONF寄存器使用TACLS、TWRPH0、TWRPH1这3个参数来控制NAND Flash信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系,它们之间的关系如图6和图7所示:
图6 CLE/ALE时序图
图7 nWE和nRE时序图
下面就开始详细介绍K9F2G08U0A的基本操作,包括复位,读ID,页读、写数据,随意读、写数据,块擦除等。
为了更好地应用ECC和使能Nand Flash片选,我们还需要一些宏定义:
#define NF_nFCE_L()
#define NF_CE_L()
#define NF_nFCE_H()
#define NF_CE_H()
#define NF_RSTECC()
#define NF_MECC_UnLock()
#define NF_MECC_Lock()
#define NF_SECC_UnLock()
#define NF_SECC_Lock()
NFSTAT是另一个比较重要的寄存器,它的第0位可以用于判断nandflash是否在忙,第2位用于检测RnB引脚信号:
#define NF_WAITRB()
#define NF_CLEAR_RB()
#define NF_DETECT_RB()
NFCMMD,NFADDR和NFDATA分别用于传输命令,地址和数据,为了方便起见,我们可以定义一些宏定义用于完成上述操作:
#define NF_CMD(data)
#define NF_ADDR(addr)
#define NF_RDDATA()
#define NF_RDDATA8()
#define NF_WRDATA(data)
#define NF_WRDATA8(data)
首先,是初始化操作
void rNF_Init(void)
{
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|( TWRPH1<<4)|(0<<0);
rNFCONT =
(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
rNF_Reset();
}
复位操作,写入复位命令
static void rNF_Reset()
{
NF_CE_L();
NF_CLEAR_RB();
NF_CMD(CMD_RESET);
NF_DETECT_RB();
NF_CE_H();
}
读取K9F2G08U0A芯片ID的操作如下:时序图在datasheet的figure18。首先需要写入读ID命令(0x90),然后再写入0x00地址,并等待芯片就绪,就可以读取到一共五个周期的芯片ID,第一个周期为厂商ID,第二个周期为设备ID,第三个周期至第五个周期包括了一些具体的该芯片信息,函数如下
static char rNF_ReadID()
{
}
下面介绍Nand Flash读操作,读操作是以页为单位进行的。如果在读取数据的过程中不进行ECC校验判断,则读操作比较简单,在写入读命令的两个周期之间写入要读取的页地址,然后读取数据即可。如果为了更准确地读取数据,则在读取完数据之后还要进行ECC校验判断,以确定所读取的数据是否正确。
在上文中已经介绍过,Nand Flash的每一页有两区:main区和spare区,main区用于存储正常的数据,spare区用于存储其他附加信息,其中就包括ECC校验码。当我们在写入数据的时候,我们就计算这一页数据的ECC校验码,然后把校验码存储到spare区的特定位置中,在下次读取这一页数据的时候,同样我们也计算ECC校验码,然后与spare区中的ECC校验码比较,如果一致则说明读取的数据正确,如果不一致则不正确。
ECC的算法较为复杂,好在S3C2440能够硬件产生ECC校验码,这样就省去了不少的麻烦事。S3C2440既可以产生main区的ECC校验码,也可以产生spare区的ECC校验码。因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此S3C2440共产生4个字节的main区ECC码和2个字节的spare区ECC码。在这里我们规定,在每一页的spare区的第0个地址到第3个地址存储main区ECC,第4个地址和第5个地址存储spare区ECC。
产生ECC校验码的过程为:在读取或写入哪个区的数据之前,先解锁该区的ECC,以便产生该区的ECC。在读取或写入完数据之后,再锁定该区的ECC,这样系统就会把产生的ECC码保存到相应的寄存器中。main区的ECC保存到NFMECC0/1中(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFMECC0),spare区的ECC保存到NFSECC中。对于读操作来说,我们还要继续读取spare区的相应地址内容,以得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC,并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1(因为K9F2G08U0A是8位IO口,因此这里只用到了NFESTAT0)中的低4位来判断读取的数据是否正确,其中第0位和第1位为main区指示错误,第2位和第3位为spare区指示错误。
下面是一段具体的页读操作程序:
U8 rNF_ReadPage( U32 page_number )
{
NF_RSTECC();
NF_MECC_UnLock();
NF_CMD(CMD_READ1);
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);
NF_CMD(CMD_READ2);
NF_MECC_Lock();
NF_SECC_UnLock();
mecc0=NF_RDDATA();
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rNFMECCD1=((mecc0 & 0xff00
NF_SECC_Lock();
//继续读spare区的4个地址内容,即第2052~2055地址,其中前2个字节为spare区的ECC值
secc=NF_RDDATA();
rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);
NF_nFCE_H();
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66;
else
return 0x44;
}
这段程序是把某一页的内容读取到全局变量数组buffer中。该程序的输入参数直接就为K9F2G08U0A的第几页,例如我们要读取第128064页中的内容,可以调用该程序为:rNF_ReadPage(128064)。由于第128064页是第2001块中的第0页(128064=2001×64+0),所以为了更清楚地表示页与块之间的关系,也可以写为:rNF_ReadPage(2001*64)。