存储器基础杂谈

一、存储器概述

1. 基础常识：存储器中的最小存储单位是存储位元，而非存储单元，存储单元是由若干个存储位元构成，而存储位元是一段二进制的代码位，存储器是由若干个存储单元构成。

2. 分类：

• 存储介质：分为半导体存储器，磁表面存储器，光盘存储器。
• 存储方式：随机存储器，顺序存储器
• 存储内容可变性：可读存储器（ROM），随机读写存储器（RAM）
• 信息易失性：断电后失去信息的存储器叫做易失性存储器（例如RAM），磁性材料的存储器是非易失性存储器（磁带等）
• 系统中的作用：内部存储器，外部存储器等

   3. 存储器分级：

       分为高速缓冲存储器（cache），主存储器，外存储器。

       cache特点：速度快，容量小的半导体存储器。

       主存储器特点：与cache相比，存取速度慢但是容量较大，与cache交换数据和指令，主要由MOS半导体存储器组成。

       外存储器特点：简称外存，是大容量辅助存储器，容量大，位成本低。

       多级存储管理的意义及作用：用cache与cpu的运算速度尽可能的匹配，使其存取速度跟上CPU；使用外存强调大的存储容量，满足计算机的大量数据等存取；而使用主存介于两者之间，选取适当的存取周期和存储容量。

   4.相关的技术指标

       字存储单元：存放一个机器字的存储单元，相应的地址叫做字地址；

       字节存储单元：存放一个字节的存储单元，相应的地址叫做字节地址；

       谨记：字节的范围比字要大，一般来说，一个字(1 word)=两个字节（2 byte）=16位二进制数字（16 bit）

       存储器带宽  =  存储宽度/存储周期

二、DRAM的刷新

1. 集中式刷新：DRAM的所有行在一个刷新周期内都会被刷新。前一段时间读写，后一段时间集中刷新。存在死区，可计算死区时间和概率。
2. 分散式刷新：DRAM的每一行的刷新都会被插入到正常的读写操作中。过多次数的读写与刷新，容易损耗硬件
3. 异步刷新：是前两种刷新方式的结合，既提高了速度，又增加了硬件寿命。

三、存储器容量的扩充

介绍： 在N * M位芯片中，N代表字存储容量，M为字长位数。其中N应该是2的幂次集，如 N = 1K = 2^10(代表有10根地址线)，而M为位数，一般为2，4，8，16。

1. 位扩展：例如用1K * 4位芯片扩展成1K * 8位的存储器，可使用位扩展，要求后面的字长位数的商为整数（即8/4为整数）
2. 字扩展：例如用1K * 4位芯片扩展成2K * 4位的存储器，可使用字扩展，要求前面的存储容量的商为整数（即2/1为整数）
3. 字位扩展：例如用1K * 4位芯片扩展成2K * 8位的存储器，可使用字位扩展，要求前后的商都要为整数（即2/1 和 8/4为整数）

 重点：

位扩展的芯片是采用并联方式连接，主要解决带宽不足的问题；

字扩展的芯片是采用串联方式连接，主要解决容量不足的问题。

并联所指的是三并联：读写，控制，数据三种线分别并联，而片选信号是与译码器相连。

字位扩展是先位扩展后字扩展———先确定几个芯片一组，再确定有几组芯片。

 

 

例如用1K * 4位芯片扩展成4K * 8位的存储器

先进行位扩展：8/4 = 2 （片）并联

再进行字扩展：4K/1K = 4（组）芯片     ——> 注意这里的四组芯片需要寻址，而4个地址只需要两位译码即可确定，也就是2根线就可以确定地址。

而单个芯片是1K = 2^10B，需要10根数据线确定存储单位地址，所以共需要10+2=12跟线即可。但4K的存储区对应的CPU可提供2^4=16跟地址线。两者不冲突。