一、存储器概述
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基础常识:存储器中的最小存储单位是存储位元,而非存储单元,存储单元是由若干个存储位元构成,而存储位元是一段二进制的代码位,存储器是由若干个存储单元构成。
- 分类:
- 存储介质:分为半导体存储器,磁表面存储器,光盘存储器。
- 存储方式:随机存储器,顺序存储器
- 存储内容可变性:可读存储器(ROM),随机读写存储器(RAM)
- 信息易失性:断电后失去信息的存储器叫做易失性存储器(例如RAM),磁性材料的存储器是非易失性存储器(磁带等)
- 系统中的作用:内部存储器,外部存储器等
3. 存储器分级:
分为高速缓冲存储器(cache),主存储器,外存储器。
cache特点:速度快,容量小的半导体存储器。
主存储器特点:与cache相比,存取速度慢但是容量较大,与cache交换数据和指令,主要由MOS半导体存储器组成。
外存储器特点:简称外存,是大容量辅助存储器,容量大,位成本低。
多级存储管理的意义及作用:用cache与cpu的运算速度尽可能的匹配,使其存取速度跟上CPU;使用外存强调大的存储容量,满足计算机的大量数据等存取;而使用主存介于两者之间,选取适当的存取周期和存储容量。
4.相关的技术指标
字存储单元:存放一个机器字的存储单元,相应的地址叫做字地址;
字节存储单元:存放一个字节的存储单元,相应的地址叫做字节地址;
谨记:字节的范围比字要大,一般来说,一个字(1 word)=两个字节(2 byte)=16位二进制数字(16 bit)
存储器带宽 = 存储宽度/存储周期
二、DRAM的刷新
- 集中式刷新:DRAM的所有行在一个刷新周期内都会被刷新。前一段时间读写,后一段时间集中刷新。存在死区,可计算死区时间和概率。
- 分散式刷新:DRAM的每一行的刷新都会被插入到正常的读写操作中。过多次数的读写与刷新,容易损耗硬件
- 异步刷新:是前两种刷新方式的结合,既提高了速度,又增加了硬件寿命。
三、存储器容量的扩充
介绍: 在N * M位芯片中,N代表字存储容量,M为字长位数。其中N应该是2的幂次集,如 N = 1K = 2^10(代表有10根地址线),而M为位数,一般为2,4,8,16。
- 位扩展:例如用1K * 4位芯片扩展成1K * 8位的存储器,可使用位扩展,要求后面的字长位数的商为整数(即8/4为整数)
- 字扩展:例如用1K * 4位芯片扩展成2K * 4位的存储器,可使用字扩展,要求前面的存储容量的商为整数(即2/1为整数)
- 字位扩展:例如用1K * 4位芯片扩展成2K * 8位的存储器,可使用字位扩展,要求前后的商都要为整数(即2/1 和 8/4为整数)
重点:
位扩展的芯片是采用并联方式连接,主要解决带宽不足的问题;
字扩展的芯片是采用串联方式连接,主要解决容量不足的问题。
并联所指的是三并联:读写,控制,数据三种线分别并联,而片选信号是与译码器相连。
字位扩展是先位扩展后字扩展———先确定几个芯片一组,再确定有几组芯片。
例如用1K * 4位芯片扩展成4K * 8位的存储器
先进行位扩展:8/4 = 2 (片)并联
再进行字扩展:4K/1K = 4(组)芯片 ——> 注意这里的四组芯片需要寻址,而4个地址只需要两位译码即可确定,也就是2根线就可以确定地址。
而单个芯片是1K = 2^10B,需要10根数据线确定存储单位地址,所以共需要10+2=12跟线即可。但4K的存储区对应的CPU可提供2^4=16跟地址线。两者不冲突。