位扩展
问题:用1K×4位存储芯片组成1K×8位的存储器
如2114芯片为1K×4位存储芯片,那么使用2片即可组成1K×8位的存储器。
1K,共需要10根地址线,2114分别连接上。
4位,所以每个芯片只有4根数据线。D7-D4连接第一个2114,D3-D0连接第二个芯片。
这样就组成1K×8位的存储器。
比如地址线为00…00(10个零),那么第一个2114对应存储单元输出4位,第二个2114对应存储单元输出4位,这样就是8位数据。
字扩展
问题:用1K×8位存储芯片组成2K×8位的存储器
1K,需要10根地址线,芯片分别连接
8位,8根数据线,芯片分别连接
再用一根地址线,连接第一个片选CS,第二个连接片选时要连接非门取反。
CS低电平有效,所以当A10为0时,选中第一个芯片;为1时,经过非门第二个芯片有效。
这样00000000000…01111111111,范围内的地址就是第一个芯片,10000000000…11111111111范围内的地址为第二个芯片。这样2K的地址就分到了两个芯片中。
比如,10000000001,A10为1,第一个片选无效,A10经过非门,选中第二个芯片,那么对应存储单元的8位进行读写操作。
字、位同时扩展
问题:1K×4位存储芯片组成4K×8位的存储器
先1K×4位扩展为1K×8位,需要1K×4位芯片两个
1K,10根地址线,两个芯片分别连接
8位,D7-D4连接第一个芯片,D3-D0连接第二个芯片。
这样1K×8位就扩展好了
1K×8位扩展为4K×8位,需要4组。其中每组都是由两个1K×4位扩展得到的1K×8位。
4K,需要12根地址线,A11,A10作为片选,00、01、10、11分别选中第一、二、三、四组。
00 0000000000…00 1111111111第一组
01 0000000000…01 1111111111第二组
10 0000000000…10 1111111111第三组
11 0000000000… 11 1111111111第四组
这样就把4K地址分到了每组,每组1K。
比如是10 1111111110,那么就选中第三组,然后读写8位。