BUCK型开关电源中的损耗与效率的计算

本文探讨了BUCK型开关电源中导通损耗和交流开关损耗的影响,详细计算了在忽略和考虑交流开关损耗时的效率,并提到了肖特基二极管的反向恢复时间对效率的潜在影响。理想的效率计算与实际情况可能存在差异,实际应用中需考虑二极管的选择和开关频率等因素。
摘要由CSDN通过智能技术生成

在BUCK型开关电源中,如果没有损耗,那效率就是100%,但这是不可能的,BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗,导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗(是指完全导通后的损耗,因为导通不是瞬间导通,有个从线性区到非线性区的过程),在MOS管导通时,由于存在导通电阻,那么流过电流就必然存在导通损耗,而肖特基导通损耗是指在MOS管关闭期间,由于电感的电流不能突变加上电感反冲现象,会产生与MOS管导通时的相反电压方向,从而使肖特基导通,流过的电流会在肖特基上产生损耗。由于MOS管在导通的时候,流过其的电流不是瞬间达到最大,此时电流有个从零逐渐上升到最大的过程,此时MOS管漏源(DS)之间的电压也是从Vdc逐渐下降到零,MOS管关闭的时候也存在此情况,只是与打开的时候过程相反,那么在这逐渐的过程中就会产生损耗,这就是交流开关损耗,交流开关损耗包括MOS管打开和关闭损耗,交流开关损耗与开关的频率成正比,因为一开一关的次数越多,损耗自然就大了。

   在忽略交流开关损耗的情况下,假设输入电压Vdc,输出电压为Vo,MOS管导通时间为Ton,关闭时间为Toff,整个周期为T,即T=Ton+Toff。在MOS管导通期间流过的平均电流为Io,由于电感电流不能突变,那么在MOS管关闭期间流过肖特基的平均电流也为Io,在MOS管和肖特基导通期间产生的压差基本为1V,那么导通损耗=P(mos管)+P(肖特基)=1*Io*Ton/T+1*Io*Toff/T=1*Io。那么此时的效率E=

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