BOOST电路分析与计算

        在设计Boost电路时需要考虑电感、电容的参数计算及器件选型,电感值选多大,饱和电流多大,输入输出电容的容值选择多大,电容的ESR等对电路设计的影响。

一、Boost的拓扑结构

二、基本工作原理

        通过MOS管的开通关断,对电感、电容进行充放电,实现输出电压的抬升。1、当MOS管开通时,电感接在电源与地两端,对电感进行充电,电感两端的电压是Vi,同时负载电阻由输出电容放电提供电流;      2、当MOS管关断时,电感电流不能突变,感应出电压,使二极管导通,同时给输出电容充电,给负载供电,此时电感两端的电压为Vo+Vd-Vi,其中Vd为二极管的压降。当MOS管开关频率足够快,控制好电感、电容充放电时间,输出电压即可基本稳定在Vo了。

三、电感电压电流分析

        1、当MOS管开通时,电感两端电压为Vi,根据电感相关公式公式U=L\frac{di}{dt},可知Vi、L为定值时,di/dt为定值,即电流随时间线性增加

        2、当MOS管关断时,电感两端电压为Vo+Vd-Vi,同理知电感电流随时间线性减小。同时在一个周期内,电流增加的值与减小的值应相等。(稳定状态,Vo、Io为定值)

        在电感选型时,要求电感峰值电流要小于饱和电流。电感的电流大到一定程度时,电感的感值会下降,当电感感值下降30%时的电流值为饱和电流。

        如果电感的饱和电流选择过低,电感的电流波形将出现急剧上升的情况(两端电压不变,电感值减小,di/dt增大),或将烧坏电感。

四、占空比计算

        计算的基本原理主要是电感、电容的充放电。因此首先确认MOS管开通、关断的时间,也即计算出占空比。

        电路稳定后,负载电流恒定,Boost电路中电感电流在一个开通、关断周期中增加、减小值相等,可列出相关等式:\frac{Vi}{L}\cdot Ton=\frac{Vo+Vd-Vi}{L}\cdot Toff=dI,即Vi\cdot Ton=\left ( Vo+Vd-Vi \right )\cdot Toff,也就是伏秒原则。

        根据伏秒原则即可计算得出占空比,D=1-\frac{Vi}{Vo+Vd}  ,由MOS管的开关频率可计算得出开通与关断的时间,Ton=\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )\cdot \frac{1}{f}Toff=\frac{Vi}{Vo+Vd}\cdot \frac{1}{f}

        由此可见,占空比与电感量、负载电流无关,仅与输入输出电压有关

五、功率电感选择

        从前面的分析可知,在稳定工作的状态下,电感电流在开通、关断时电流的波形,如下图所示:

        在选择电感时,需要确认电感的平均电流IL与纹波电流\DeltaIL,因为选择的电感的饱和电流要大于电路工作时电感的峰值电流,以保证电路正常工作。

        若电感选择太小,则纹波电流较高,则峰值电流将会更高,需要电感的饱和电流要求很高,同时在过大电流,进行开关切换时,会导致EMI问题更加明显

        若电感选择太大,则纹波电流较小,电路的动态特性较差。如负载由小突然变大,则电路需要较多个开关周期,才能使负载电流达到需求值。在此期间负载电流由输出电容提供,输出电压跌落将较大,可能造成电路故障。

        因此,一般在设计时,让电感的纹波电流在平均电流的20% ~ 40%之间

1、电感平均电流计算

        电路稳定状态下的平均电流可依据能量守恒原理进行计算估计,即输入功率与输出功率相等。输入功率:Pi=Vi*IL,输出功率:Po=Vo*Io,由于存在损耗等因素,以n的转换效率进行计算有:n*Pi=Po,即n*Vi*IL=Vo*Io  。

        若假设仅二极管有损耗,则可依据Po=(Vo+Vd)*Io来计算,因为输出电容不耗电,其平均电流为0,流过负载的电流均流过二极管,所以二极管的平均电流也是Io。

        则电感的平均电流为:IL=\frac{Vo+Vd}{Vi}\cdot Io  。

2、电感纹波电流计算

        电感电流的波形前面已分析过,可直接根据MOS管开通时电流波形进行计算,其增加量\Delta IL=Vi\cdot \frac{Ton}{L}=\frac{Vi}{f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right ),结合前面计算出的电感平均电流公式,可计算出电感值的范围为:L=\frac{Vi}{\left ( 0.2\sim ~0.4 \right )\cdot f\cdot Io}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )\cdot \frac{Vi}{Vo+Vd}  。

六、输入滤波电容选择

        输入电源默认来自远方,是无法提供快速变化的电流的,所以才有输入滤波电容存在的必要。开关频率为几百K赫兹,周期为几个us,在这个短周期内可默认电源输入的电流是恒定的,Boost电路的动态电流由输入滤波电容提供。

        输入滤波电容是用来控制输入电压纹波\Delta Vi的,可根据\Delta Vi得出输入滤波电容Ci的大小。电容上面纹波的变化可分为两个部分:1、电容充放电的电荷变化,引起的电压变化,可用Q=CUq公式进行计算,Uq即为电压的变化。    2、另一个是电容有等效串联电阻ESR,电容充放电时电流流过,产生压降,这里用Uesr表示。

        根据上述分析,输入电压纹波为:\Delta Vi=Uq+Uesr 。

1、电容电荷量变化引起的压降Uq

        该节点的电流有3个,输入、电感、电容,根据基尔霍夫电流定律,输入电流稳定为IL,电感电流波形、电容波形分析如下:

       电容充/放电的总电荷量为电流乘以时间,从图中分析可得出,电荷量为图中阴影三角形的面积,底为时间T/2,高为纹波电流一半\Delta IL/2,可计算出Q=\frac{1}{2}\cdot \frac{\Delta IL}{2}\cdot \frac{T}{2}=\frac{\Delta IL}{8f}=Ci\cdot Uq ,又\Delta IL=\frac{Vi}{f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right ),则可计算得出Uq为:

                        ​​​​​​​        Uq=\frac{Vi}{8f^{2}\cdot L\cdot Ci}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right ),其中Ci为输入滤波电容容值。

2、电流流过电容ESR造成的压降

        从上图分析,电容电流的峰峰值为\Delta IL,故其引起的ESR总的压降为:        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​   Uesr=\Delta IL\cdot ESR=\frac{Vi}{f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )\cdot ESR

3、输入滤波电容总纹波

        根据前面分析计算得,输入滤波电容总纹波\Delta Vi为:

\Delta Vi=Uq+Uesr=\frac{Vi}{f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )\cdot \left ( ESR+\frac{Vi}{8f\cdot Ci} \right )

4、选型分析

        输入滤波电容造成的纹波主要来自两个部分,与电容的容量值C及等效串联电阻ESR有关,如ESR小的陶瓷电容,C的大小对纹波起主要作用;铝电解则由ESR对纹波起主要作用。

        当C起决定作用时(陶瓷电容),Ci\geq \frac{Vi}{8f^{2}\cdot L\cdot \Delta Vi}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )  ;

        当ESR起决定作用时(铝电解电容),ESR\leq \frac{f\cdot L\cdot \Delta Vi}{Vi}\cdot \frac{Vo+Vd}{Vo+Vd-Vi}  ;

七、输出滤波电容选择

        同样,输出纹波由电容的容值C及等效串联电阻ESR决定。

1、电容电荷量变化引起的压降Uq

        在一个周期内,电容充放电的电荷量是一样的,由于在MOS管开通时,仅由输出电容对负载进行放电,电流为Io,因此可直接计算出放电的电荷量为Q=Io\cdot Ton=\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )\cdot \frac{Io}{f},又Q=CUq,则计算得Uq为:

        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        ​​​​​​​        Uq=\frac{Io}{f\cdot Co}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )

2、电流流过电容ESR造成的压降

        ESR造成的压降,可依据Co的充放电电流波形进行分析计算,在电容放电时,其大小为Io,方向为流出电容;在充电时,其电流为IL+\frac{\Delta IL}{2}-Io,方向为流入电容。

        纹波为ESR两端的电压差,由于充放电方向相反,假设充电为正,放电为负,则有Uesr=(IL+\frac{1}{2}\Delta IL-Io)\cdot ESR-(-Io)\cdot ESR=(IL+\frac{1}{2}\Delta IL)\cdot ESR

又,\Delta IL=\frac{Vi}{f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )IL=\frac{Vo+Vd}{Vi}\cdot Io,故计算出的Uesr为:

Uesr=(\frac{Vo+Vd}{Vi}\cdot Io+\frac{Vi}{2f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right ))\cdot ESR  。

3、输出滤波电容总纹波

        由前面的分析可知,输出滤波电容总纹波 \Delta Vo=Uq+Uesr 为:

\Delta Vo=\frac{Io}{f\cdot Co}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )+(\frac{Vo+Vd}{Vi}\cdot Io+\frac{Vi}{2f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right ))\cdot ESR

4、选型分析

        输出滤波电容造成的纹波与输入滤波电容一样,主要与电容的容量值C及等效串联电阻ESR有关,如ESR小的陶瓷电容,C的大小对纹波起主要作用;铝电解则由ESR对纹波起主要作用。

        当C起决定作用时(陶瓷电容),Co\geq \frac{Io}{f\cdot \Delta Vo}\cdot \left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )  ;

        当ESR起决定作用时(铝电解电容),ESR\leq \frac{\Delta Vo}{\frac{Vo+Vd}{Vi}\cdot Io+\frac{Vi}{2f\cdot L}\cdot\left ( 1-\frac{Vi}{Vo+Vd} \right )}  ;

        从公式中可看出,当使用陶瓷电容时,式中无电感,增大电感值对输出纹波并不起作用

以上仅为个人笔记,详细推导逻辑,可研究下方链接文章。

手撕Boost!Boost公式推导及实验验证

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boost电路是一种常用的升压电路,因其具有高升压性能、功率密度大、效率高等优点,在现代电源设计中被广泛应用。为了更好地设计和优化boost电路计算机仿真技术是一种非常有效的方法,可以在保证电路正常工作的前提下,进行多种试验和改进。boost电路的仿真计算主要分为以下几个方面: 1.开关参数选择:boost电路中的开关管是关键元件之一,选择合适的开关管是保证电路正常工作的重要保证。仿真计算可通过输入开关管的参数,对开关管的开关电压、电流等进行仿真,找出最佳参数。 2.电路参数设计:仿真计算可以通过改变电路中元件的数值,以实现不同的电路功能和性能。例如,改变电感器和电容器的数值可以调整电路输出电压的稳定性和纹波。 3.变换器效率分析:boost电路中的效率是非常重要的,它不仅跟电路的稳定性,还有跟输出功率密度等问题相关。仿真计算可以通过分析变换器效率,找出电路所存在的不足,以便进一步提高效率。 4.电磁兼容分析:boost电路中的频率较高,可能会产生电磁干扰,所以电路的电磁兼容性也是需要考虑的。仿真计算可以通过分析电路干扰情况,找出可能存在的问题,然后通过改进电路设计来降低电磁干扰。 总之,基于计算机仿真技术的boost电路仿真计算,能够有效地提高电路设计的准确度和可靠性,为电源设计和优化提供有力支持。

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