vasp 结构优化、静态计算、能带计算、态密度计算

接上一篇结构优化后，进行静态计算（scf）。

静态计算

使用命令将结构优化的文件夹（opt）复制为静态计算的文件夹（scf）

cp -r opt scf

打开scf文件夹，将生成的CONTCAR替换POSCAR

cp CONTCAR POSCAR

修改INCAR,只需修改 ISTART = 1 ; ICHARG =1；IBRION = -1； NSW =0

然后保存，提交任务；计算结束后可通过查看CHGCAR （用vesta）分析电荷密度。

DOS（态密度）：

在静态计算基础上，进行态密度计算；

复制scf文件夹命名为dos

cp -r scf dos

 修改INCAR文件：ISTART = 1 ; ICHARG =11；添加 NEDOS=1000;

提交任务。之后通过vaspkit生成DOS图(前提需要将vaspkit复制到该文件夹下)

 运行vaspkit

./vaspkit

 vaspkit > 11>115  (115生成pdos分态密度,111只生成tdos总态密度)

 示范115：vaspkit > 11>115后需要选择所需的原子以及轨道（注：轨道与INCAR中的LORBIT设置有关，设置为10为spf轨道，11会细致到sx sy sz px 等）

就先输入原子 回车 再输入轨道：

eg ： Mn 

           s

选择完之后再点击回车就会生成dat文件，下载用Origin打开.

band计算：

在静态计算基础上，进行态密度计算；

复制scf文件夹命名为band

用vaspkit产生HSE计算需要的KPOINTS文件，vaspkit ——> 303(体相材料Si)产生包含高对称点信息的KPATH.in

将KPATH.in替换KPOINTS

cp KPATH.in KPOINTS

修改Incar 

 ISTART = 1 ; ICHARG =11；添加 NBAND=120;ISYM =-1;LREAL =Auto; LPETIM = .FALSE.

提交任务

使用vaspkit>21>211生成band.dat,下载用Origin打开.