NAND Flash 驱动详解

现在一般用的Nand Flash都是三星的，它们所拥有的引脚（Pin）所对应的功能，简单翻译如下：

1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/号令，输出数据

2. CLE：Command Latch Enable，号令锁存使能，在输入号令之前，要先在模式存放器中，设置CLE使能

3. ALE：Address Latch Enable，地址锁存使能，在输入地址之前，要先在模式存放器中，设置ALE使能

4. CE＃：Chip Enable，芯片使能，在操纵Nand Flash之前，要先选中此芯片，才干操纵

5. RE＃：Read Enable，读使能，在读取数据之前，要先使CE＃有效。

6. WE＃：Write Enable，写使能， 在写取数据之前，要先使WE＃有效。

7. WP＃：Write Protect，写保护

8. R/B＃:Ready/Busy Output，伏贴/忙，首要用于在发送完编程/擦除号令后，检测这些操纵是否完成，忙，默示编程/擦除操纵仍在进行中，伏贴默示操纵完成.

9. Vcc：Power，电源

10. Vss：Ground，接地

11. N.C：Non-Connection，不决义，未连接。

12.DQS：DQS是数据Strobe，源同步时钟，数据的1和0由DQS作为时钟来判断。Data in (Din) 通过开关WE#信号执行：每个cycle，新的byte必须在DQs上准备好。