内存中DQ,DQS,DM,RDQS这些引脚表示什么

DQS（Bi-directional Data Strobe双向数据控制引脚）

ODT就是将终结电阻移植到了芯片内部，主板上不在有终结电路。ODT的功能与禁止由北桥芯片控制，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS（为8bit位宽芯片增设的专用DQS读取信号，主要用来简化一个模组中同时使用4与8bit位宽芯片时的控制设计）、DQ、DM等。需要不需要该芯片进行终结由北桥控制。

对于突发写入，如果其中有不想存入的数据，仍可以运用DM信号进行屏蔽。DM信号和数据信号同时发出，接收方在DQS的上升与下降沿来判断DM的状态，如果DM为高电平，那么之前从DQS中部选取的数据就被屏蔽了。有人可能会觉得，DM是输入信号，意味着芯片不能发出DM信号给北桥作为屏蔽读取数据的参考。

在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。

1、DQS是内存和内存控制器之间信号同步用的。
由DQ信号发出端发出DQS，信号接收端根据DQS的上、下沿来触发数据的接收。
简单点说，如果是从内存中读取信号，那么主板北桥（内存控制器）根据内存发出的DQS来判断在什么时候接收读出来的数据。如果是写的话，就正好相反，内存根据北桥发出的DQS来触发数据的接收。
DDR2每芯片有一个读、写双向的DQS，DDR3是有读和写两个DQS（2个DQS的好处是，不必等待DQS反向）。

2、DDR的内核时钟只有100M 133M 166M 200M四种，由于几代预读取能力不同，那DDR3举例，它的等效频率就成了800M ---1600M这个应该是它的范围吧?
是的。内核时钟*预读取位数*2=等效时钟频率。