[单片机芯片]CH32V003实现Flash模拟EEPROM的过程分享

今天分享的是CH32V003实现Flash模拟EEPROM的过程，其中遇到很多坑。现在分享给大家，避免再次踩坑！！！
首先我一开始是想直接移植正点原子的stmflash，虽然是基于STM32的，但是移植到ch32v003，其实没什么困难的，玩过沁恒微ch32的同学应该都知道，ch32的很多库函数名字很多跟STM32标准库是同名的，这给我们的移植工作带来了极大的便利！！

一、CH32V003内部闪存组织结构芯片内部闪存组织结构如下：

上述主存储器区域用于用户的应用程序存储，以 1K 字节（16 页）单位进行写保护划分；除了“厂商配置字”区域出厂锁定，用户不可访问，其他区域在一定条件下用户可操作。

二、编程与擦除方式

• 标准编程：此方式是默认编程方式（兼容方式）。这种模式下 CPU 以单次 2 字节方式执行编程，单次 1K 字节执行擦除及整片擦除操作。

• 快速编程：此方式采用页操作方式（推荐）。经过特定序列解锁后，执行单次 64 字节的编程及64 字节擦除、1K 字节擦除及整片擦除。

我们理解闪存组织结构、编程擦除方式基本是可以进行移植过程的，因为Flash寄存器相关的寄存器我们基本可以通过库函数实现，而且官方SDK提供了操作上述标准编程和快速实例。
三、踩坑经历1
本人不太想重复造轮子，所以我到GitHub上希望能找到开源公用的Flash模拟EEPROM的开源软件。
下图这是我找到的两个开源软件：

我看第二个eeprom_in_flash,我看到有两个Star，加上它是支持STM32、GD32、CH32的。
下面是这个开源软件的一些介绍：
 

我根据移植要求把EE_ErasePart，EE_ProgramWord，EE_ReadWord实现了，并改了几个宏定义；然而验证一下；我发现EEPROM_Init跑进去都卡在了读Flash那里。我调试了一下，然而实在花时间我放弃了


四、移植正点原子的stmflashstmflash是真香！

1. STMFLASH_Write写Flash函数的移植，这里我们直接复制粘贴，

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)

{

    u32 secpos;    //扇区地址

    u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)

    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)

    u16 i;

    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址

    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址

    FLASH_Unlock();                     //解锁

    offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;     //实际偏移地址.

    secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;         //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6

    secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;     //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)

    secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;     //扇区剩余空间大小

    if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围

    while(1)

    {

        STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容

        for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据

        {

            if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除

        }

        if(i<secremain)//需要擦除

        {

            FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区

            for(i=0;i<secremain;i++)//复制

            {

                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];

            }

            STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区

        }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.

        if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了

        else//写入未结束

        {

            secpos++;               //扇区地址增1

            secoff=0;               //偏移位置为0

            pBuffer+=secremain;     //指针偏移

            WriteAddr+=(secremain*2);   //写地址偏移

            NumToWrite-=secremain;  //字节(16位)数递减

            if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完

            else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了

        }

    };

    FLASH_Lock();//上锁

}

因为CH32V003的Flash库函数名字和STM32的一样，所以不要修改直接用，但是需要修改一下，页大小，因为我们的ch32v003，页大小是64byte，还有flash大小是16K

//用户根据自己的需要设置

#define STM32_FLASH_SIZE 16             //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)



//FLASH起始地址

#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000     //STM32 FLASH的起始地址

#define STM_SECTOR_SIZE 64 //字节

2. STMFLASH_Read读Flash函数的移植，这里我们直接复制粘贴，

//读取指定地址的半字(16位数据)

//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)

//返回值:对应数据.

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)

{

    return *(vu16*)faddr;

}



//从指定地址开始读出指定长度的数据

//ReadAddr:起始地址

//pBuffer:数据指针

//NumToWrite:半字(16位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)

{

    u16 i;

    for(i=0;i<NumToRead;i++)

    {

        pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.

        ReadAddr+=2;//偏移2个字节.

    }

}

3.下载验证
下面是我写的测试代码

    u16 Temp=0xA5;

    STMFLASH_Write(LAST_PAGE_ADDR,(u16*)&Temp,1);

    printf("Temp1=%x\r\n",Temp);

    Temp=0;

    STMFLASH_Read(LAST_PAGE_ADDR,(u16*)&Temp,1);

    printf("Temp2=%x\r\n",Temp);

    Temp=0x5A;

    STMFLASH_Write(LAST_PAGE_ADDR+2,(u16*)&Temp,1);

    printf("Temp1=%x\r\n",Temp);

    Temp=0;

    STMFLASH_Read(LAST_PAGE_ADDR+2,(u16*)&Temp,1);

    printf("Temp2=%x\r\n",Temp);

最终测试如下，可以看到写入的和读出的一致。

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作者：lilijin1995
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