RAM和ROM

1）随机存取存储器RAM

RAM也称读/写存储器，即CPU在运行过程中能随时进行数据的读出和写入。RAM中存放的信息在关闭电源时会全部丢失，所以，RAM是易失性存储器，只 能用来存放暂时性的输入/输出数据、中间运算结果和用户程序，也常用它来与外存交换信息或用作堆栈。通常人们所说的微机内存容量就是指RAM存储器的容 量。

按照RAM存储器存储信息电路原理的不同，RAM可分为静态RAM和动态RAM两种。

①静态RAM（Static RAM）简称SRAM，其特点是：基本存储电路一般由MOS晶体管触发器组成，每个触发器可存放一位二进制的0或1。只要不断电，所存信息就不会丢失。因 此，SRAM工作速度快、稳定可靠，不需要外加刷新电路，使用方便。但它的基本存储电路所需的晶体管多（最多的需要6个），因而集成度不易做得很高，功耗 也较大。一般SRAM常用作微型系统的高速缓冲存储器（Cache）。

②动态RAM（Dynamic RAM）简称DRAM。DRAM的基本存储电路是以MOS晶体管的栅极和衬底间的电容来存储二进制信息。由于电容总会存在泄漏现象，时间长了DRAM内存 储的信息会自动消失。为维持DRAM所存信息不变，需要定时地对DRAM进行刷新（Refresh），即对电容补充电荷。因此，集成度可以做得很高，成本 低、功耗少，但它需外加刷新电路。DRAM的工作速度比SRAM慢得多，一般微型机系统中的内存储器多采用DRAM。

（2）只读存储器ROM

ROM是一种一旦写入信息之后，在程序运行中只能读出而不能写入的固定存储器。断电后，ROM中存储的信息仍保留不变，所以，ROM是非易失性存储器。因 此，微型系统中常用ROM存放固定的程序和数据，如监控程序、操作系统中的BIOS（基本输入/输出系统）、BASIC解释程序或用户需要固化的程序。

按照构成ROM的集成电路内部结构的不同，ROM可分为以下几种：

①掩膜ROM——利用掩膜工艺制造，由存储器生产厂家根据用户要求进行编程，一经制作完成就不能更改其内容。因此，只适合于存储成熟的固定程序和数据，大批量生产时成本较低。

②PROM——可编程ROM（Programable ROM）。该存储器在出厂时器件中没有任何信息，是空白存储器，由用户根据需要，利用特殊的方法写入程序和数据。但只能写入一次，写入后不能更改。它类似于掩膜ROM，适合于小批量生产。

③EPROM——可擦除可编程ROM（Erasable PROM），如Intel2732(4K×8)、2764（8K×8）。该存储器允许用户按照规定的方法和设备进行多次编程，如果编程之后需要修改，可用 紫外线灯制作的抹除器照射约20分钟，即可使存储器全部复原，用户可以再次写入新的内容。这对于工程研制和开发特别方便，应用得比较广泛。

④EEPROM（E2PROM）——电可擦除可编程ROM（Electrically Erasable PROM）。

E2PROM的特点是：能以字节为单位进行擦除和改写，而不像EPROM那样整体地擦除；也不需要把芯片从用户系统中取下来用编程器编程，在用户系统中即可进行改写。随着技术的发展，E2PROM的擦写速度不断加快，容量也将不断提高，将可作为非易失性的RAM使用。