OLED光学理论计算和相关材料选择考量

jxxl_1314

于 2023-07-30 19:09:48 发布

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分类专栏： OLED 文章标签：学习

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文章详细探讨了顶发射有机发光二极管（OLED）的光学特性，包括微腔结构对谱线强度和半峰宽的影响，以及如何通过调整结构参数提高色纯度和显示效果。同时，讨论了传输层、发光层、包覆层和半透明阴极的材料选择和设计策略，以实现高效率的器件性能。

摘要由CSDN通过智能技术生成

该篇文章是一篇名字为“Technical status of top-emission organic light-emitting diodes”的OLED综述文章的学习笔记。

1、OLED光学理论计算

顶发射OLED结构阳极由底部的高反射阳极和上面的半透明半反射阴极构建微腔结构，在发光层发射出来的光线经过传输到达阳极表面，在经过阳极反射的光线和发光层直接向上传输的光线可以产生相干作用，从而可以产生相干增强的效果。这一结构类似于Fabry-Perot微腔结构，可以采用相关模型进行理论计算。后来平面结构中的偶极发射采用电磁模型来进行计算。基于这些模型，相关模拟软件有SimOLED, setfos, FEM和FDTD软件。（相关理论模型和各个模拟软件相关的文章下次解读）。

（1）顶发射OLED输出谱线强度：当做Fabry-Perot共振模型进行计算，公式如下：

其中|Enc(λ)|^2是内部谱线强度，λ是发生波长，R是电极发射率（R1阳极和R2阴极）， $\Phi$ 是电极的相位移，θ是发射角度，z是阳极和发光层之间的距离，L是两个电极之间的距离，相关示意图如下所示。

（2）谱线半峰宽（the full width at half maximum,FWHM）计算公式：

其中Lcav两个电极之间的微腔长度，该公式显示采用长腔长和高反射率电极可以获得低的FWHM,即窄的谱线，微腔强度越强。下图显示的是Ir(ppy)3在有微腔和无微腔作用下的发射光谱，在有微腔作用下，FWHM变窄。

FWHM变窄可以提高色纯度，提高显示色域，但是同时会导致视角变差。如下图所示，随着微腔作用增强，视角特性偏离朗伯体视角特性越多。

(3) 光学损失计算方法：

其中u是平面内波矢成分，γ是发射偶极的内量子效率，K（u）是每单位波矢u的功率耗散密度；

内量子效率可以使用下式进行计算：其中 $\Gamma _{r}$ 和 $\Gamma _{nr}$ 是发射偶极子的辐射和非辐射衰减速率；

K(u) 可以采用下式进行计算：计算任意取向偶极子的横磁波和横电波模式的偶极耦合。

这三个部分包括在总能量密度中水平和垂直方向横磁波和横电波的偶极耦合，这些不同波模式将会产生不同的光学现象。总的辐射能量可以分为四个部分：空气/介质波导模式，吸收损失，表面等离子和远场辐射，Furno等人在【53】引文中报道了详细的能量密度计算方法。下图给出一个顶发射结构下的能量分布谱线，从图中可以看出TE和TM具有不同的损失机制，TE在波导模式下具有很强的辐射能量，TM在表面等离子损失具有很强的辐射能量，因此可以进行相关损失的控制来制备高效率的顶发射OLED。

（4）外量子效率计算：考虑珀塞尔效应（Purcell effect）

Purcell effect是量子系统的自发辐射速率受其环境的影响而增强的现象，该效应在发生在发射物体在电极附近产生自发辐射。顶发射OLED由于具有复杂的干涉条件和两个电极都是金属，需要考虑Purcell效应。

一般的外量子效率（EQE）计算公式如下所示：其中quantum static是发射物体中单重态和三重态的比例， $n_{cb}$ 是电子和空穴的辐射复合效率， $I_{OC}\left ( \lambda \right )$ 是外耦合效率。

在微腔模式中，辐射衰减速率 $\Gamma ^{_{r}}$ 变更为考虑微腔效应的有效辐射衰减速率 $\Gamma _{r}^{*}$ ，其等于F(λ）* $\Gamma ^{_{r}}$ ；F（λ）是Purcell因子，与器件解耦中的总能量分布相关，该因子可以表达出顶发射OLED中Purcell效应的影响。类似的，外耦合效率 $I_{OC}\left ( \lambda \right )$ 也会变更为有效的外耦合效率 $I^{_{oc}^{*}}\left ( \lambda \right )$ ，计算公式如下：

因此，当quantum static和 $n_{cb}$ 是常数时，微腔状态下的EQE总结如下：

其中，n= $\Gamma ^{_{nr}}$ / $\Gamma ^{_{r}}$ ，接近于0，由于 $\Gamma ^{_{r}}$ ＞＞ $\Gamma ^{_{nr}}$ ；因此EQE正比于1/F（λ）。

2. 高效率顶发射材料技术

下面将会从传输层（空穴传输层HTL和电子传输层ETL）、发光层（EML）、包覆层（CPL）和半透明阴极来进行相关介绍。

（1）传输层HTL&ETL

为了制备高效率器件HTL和ETL层的厚度必须要考虑，一方面涉及到微腔结构的设计；另一方面涉及到载流子传输平衡，因为有机材料中空穴传输比电子快，因此需要制备厚的HTL和薄的ETL。此外，选择合适传输层材料，其光学性能也需要考虑：首先，在可见光波段不能有吸收，否则会降低色纯度和降低效率；其次，需要材料低折射率材料来获取高效率器件。在顶发射OLED器件中，其阳极和阴极均为金属材料，而在金属和相邻的膜层间会引起表面等离子损失。因为折射率n与介电常数 $\xi$ 关系为 $n\propto \frac{1}{\sqrt{\xi }}$ ，低折射率将会导致高的介电常数，因此会使得表面等离子模式向更小的面内波数移动，这将会改变能量分布。此外，更小的折射率将会降低表面等离子损失。

（2）发光层EML

为了达到高效率，电性和材料特性比如电荷平衡、电荷注入、载流子取向和光致发光量子产率是关键因子。在电性方面的研究，主要是关于寄主类型的变化比如双极性寄主，混合型寄主和复合型寄主。此外，在许多文献中也报道了发射物偶极子取向的影响。同时，发射物的发射谱线也是一个主要因素，窄的发射谱线在微腔作用下，易于获得高的发光效率。

（3）包覆层CPL

顶发射器件中CPL设计主要考虑其厚度和折射率。首先，厚度调节需要与器件的共振波长相匹配，如下图所示，对于B/G/R不同发射波长下，Ag/CPL膜层的透过率，反射率和吸收率谱线，不同的反射和透射现象是由于不同波长下的共振条件不一致所致。为了匹配红光的共振条件，需要制备较厚的CPL膜层。因此，针对不同发光颜色来优化CPL的厚度对于提高器件效率是一个重要因子。

CPL膜层另外一个主要因子是折射率，高的折射率有利于提高器件正向的出光效率（具体可以参考文献78）；尤其是当阴极金属膜层的折射率增加时，这种增加更明显。

（4）半透明阴极

在顶发射器件中，半透明的阴极是一个关键部分。首先需要半透明阴极具备低方阻、高反射和低吸收。此外，阴极还需要具备好的电子注入特性和高稳定性。Mg:Ag（10:1）合金具备好的电子注入特性，高稳定性，和较高的反射率；然而其透过率较低和方阻较高，因为Mg具有较高消光系数和方阻。采用Mg:Ag（1:10）合金具备低方阻和高透过率，但是具有较差的电子注入性能。此外，Mg:Ag(1:10)合金在UV光照射下或者工作状态下，会发生Mg原子迁移到CPL膜层，从而导致差的电子注入特性和效率降低，这种不稳定性会限制其应用。纯金属Ag膜层具有高的电导率和低吸收，但是由于热蒸发中Ag原子在有机层上方会发生聚集而无法获得均匀的薄膜，从而限制其应用。通过添加其它薄金属膜层来获得平滑的形貌，低方阻和良好的电子注入特性，比如CsF/Yb/Ag，Al/Ag，Ge/Ag等），但是由于添加这些膜层将会增加吸收，从而使得器件效率降低。