5、长期记忆忆阻器模拟器的设计与实现

长期记忆忆阻器模拟器的设计与实现

1. 设计目标

目标是创建一个模拟忆阻器模拟器，尽可能接近忆阻器设备，同时与当前技术完全兼容。设计的电路应具备以下优点：
- 与当前的技术水平兼容，仅使用CMOS晶体管实现。
- 除了体偏置所需的电源外，没有任何外部电源。
- 必须是真正的浮动模拟器。

结合之前用于无源模拟器的方法和电荷控制忆阻器模拟器的设计方法，可以设计出满足上述所有要求的电路。这里将重点基于图2.2所示的框图设计一个磁通控制的模拟忆阻器模拟器。

2. 电路描述与操作

2.1 电路结构

提出的电路设计如图2.9所示，该电路具有紧凑的拓扑结构，总共仅由9个CMOS晶体管和一个电容器组成。电容器C采用Poly - Metal1 - Metal2结构实现，电容器C上的电压VC作为内部状态变量，对于模拟扩展忆阻器至关重要。该电容器也可以实现为MOS晶体管的栅极电容，前者电容表现为线性行为，后者则会偏离线性。

2.2 电路特性

该电路可描述为一个两极单元，如同忆阻器设备一样，由外部激励电压信号操作。由于使用了类似二极管桥的结构，无需接地，因此该拓扑是浮动的。此外，操作模拟器电路不需要外部直流偏置，所以它确实是一个两极忆阻器模拟器。通过磁通（电压 - 电压动量的积分）控制其状态（忆阻/忆导）的状态变量是电容器上积分的电荷，显然它是驱动电压VM积分的函数，因此它是一个磁通控制的忆阻器模拟器。

2.3 电路分解

电路可分解为三个不同的基本实体：
- 电压整流器 ：由晶体管Q1、Q2、