目录
4.2：数据手册举例图：（不同的类型的二极管数据手册是有差异的）
5.3 TVS二极管（Transient Voltage Suppressors）
TVS的选型：TVS工作原理是什么？高手是怎么选型的？超注重这些！ (weibo.com)（超级详细）
1.半导体：
导电性能介于导体与绝缘体之间的材料称为半导体，常见半导体材料有硅、锗等1.1特性
掺杂性：向纯净半导体中掺入少量某些物质，半导体导电性大大增强
热敏性：温度上升，导电性增强
光敏性：光线照射半导体，导电性显著增强1.2 类型
本征半导体：纯净的半导体，导电能力很弱
N型半导体：向纯净半导体掺入五价杂质（核外有5个电子的物质，如：磷）后，半导体携带的电子数偏多
P型半导体：向纯净半导体掺入三价杂质（如：硼）后，半导体携带的电子数偏少，空穴（看作是正电荷）偏多
2.二极管的概念：
2.1二极管的原理
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止。 二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常见的半导体有硅（Si）和锗（Ge）。二极管由半导体的材料制成，有硅二极管和锗二极管之分。
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。
扩散电流：
扩散电流是由于载流子浓度梯度引起的电流。在半导体中，不同区域的载流子浓度可能存在差异，这种差异会导致载流子从高浓度区域向低浓度区域扩散。扩散电流的大小与载流子浓度梯度成正比，与载流子的迁移率（即载流子在电场作用下移动的速度）和扩散系数（描述扩散快慢的物理量）有关。在PN结中，当PN结处于正向偏置时，P区的空穴会向N区扩散，N区的电子会向P区扩散，这种扩散运动会在PN结附近形成扩散电流。漂移电流：
漂移电流是载流子在电场作用下定向移动所形成的电流。在半导体中，当存在外加电场时，载流子会受到电场力的作用而定向移动，从而形成漂移电流。漂移电流的大小与电场强度、载流子浓度和载流子的迁移率有关。在PN结中，当外加电压使得PN结处于正向或反向偏置时，除了扩散电流外，还会存在由电场引起的漂移电流。然而，在PN结的正向偏置情况下，扩散电流通常远大于漂移电流，因此漂移电流的贡献往往被忽略。但在反向偏置下，漂移电流成为主要的电流成分，尤其是在反向击穿时。需要注意的是，扩散电流和漂移电流并不是完全独立的两种电流
2.2二极管的伏安特性曲线：
正向特性(外加正向电压）：
室温下，硅管工作压降为0.5V，锗管工作压降为0.1V
流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
反向特性(外加正向电压)：
由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。
当反向电压增加到某一数值ＶBR（反向击穿电压）时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。
2.3二极管受到温度的影响：
温度升高：正向特性左移，导通电压降低，正向电流急剧增大
反向特性下移，反向电流增大
3.二极管击穿：
二极管击穿分为电击穿与热击穿，其中电击穿过程是可逆的，热击穿是任何时候都需要避免的。
3.1电击穿:
雪崩击穿：
随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子—空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子—空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。
齐纳击穿：
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子—空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
两者的区别:
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V的击穿以雪崩击穿为主。
两者的区别对于稳压管来说，主要是：
电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。
稳压管的原理决定了它的反应速度是不可能很快的速度要求高的场合都用二极管＋ 基准电压。如果只是要做保护，用TVS稳压管主要用于稳压，通过的电流越小越好。
3.2：热击穿
在使用二极管的过程中，如由于反向电流和反向电压过大，使得PN结功耗变大，超过PN结的允许功耗，温度上升直到过热使PN结击穿的现象叫热击穿。
热击穿后二极管将发生永久性损坏。
4.二极管数据手册中的重要参数
4.1：可供学习参考视频或文章：
1.030.《解构》二极管1.30 稳压二极管的数据手册中各项参数的解读_哔哩哔哩_bilibili（4分02秒开始）
2.稳压二极管：稳压二极管数据手册参数补充_zener voltage-CSDN博客（其中下图的伏安特性曲线是这个部分的参照图）
3.肖基特二极管：数据手册Datasheet解读-肖特基二极管笔记_二极管的data sheet-CSDN博客
- 整流过程：当交流电通过整流二极管时，由于二极管的单向导电性，它只会允许在交流电波形的一半（通常是正半周）以上导通，而另一半（负半周）则被阻挡。这样，交流电的负半周被消除，而正半周则通过二极管形成脉动直流电。
- 整流效果：经过整流二极管处理后的电流，虽然仍然是脉动的，但已经不再是交流电，而是具有单向性的直流电。这种直流电可以通过后续的滤波电路进一步平滑，以得到更稳定的直流电源。
- 全波整流和半波整流
数据手册的学习视频：030.《解构》二极管1.30 稳压二极管的数据手册中各项参数的解读_哔哩哔哩_bilibili（4分02秒开始）
4.2：数据手册举例图：（不同的类型的二极管数据手册是有差异的）
最大整流电流IF，也被称为二极管的额定工作电流，是指在二极管长时间工作过程中，所允许通过的最大正向平均电流值。当实际流过二极管的电流超过这个最大整流电流时，二极管可能会因为过热而损坏。值得注意的是，二极管的最大整流电流受到其PN结面积以及散热条件的影响。PN结面积越大，通常意味着二极管能承受的电流越大；同时，良好的散热条件也有助于提高二极管承受电流的能力，防止过热损坏。
最高反向工作电压UR：是指二极管在正常工作状态下，其两端所能承受的最高反向电压值。这个值通常被设定为反向击穿电压的一半，以确保二极管在反向电压作用下能够安全稳定地工作，避免因反向电压过高而发生击穿损坏。
最大反向工作电流IR：是指在二极管两端施加最高反向工作电压时，通过该二极管的反向电流值。这个电流值越小，说明二极管的单向导电性能越优越，即它在正向导通时能有效传导电流，而在反向截止时则能更有效地阻止电流通过。这是衡量二极管性能优劣的一个重要指标。
最高工作频率fM：是指二极管在保持正常工作状态时所能承受的最高信号频率。当施加给二极管的信号频率超过这个最高工作频率时，二极管将无法正常工作，可能会导致信号失真或性能下降。最高工作频率的大小通常受到二极管PN结面积的影响，具体表现为PN结面积越大，其最高工作频率往往越低。这是因为大面积的PN结在高频信号下更难以迅速响应和恢复，从而限制了二极管的高频性能
4.3：封装图和原理图，丝印（判断正负）：
还是有很多非贴片类型的，以下列出的都是贴片封装
两个引脚的
三个引脚的
四个引脚
上正下负：
有杠，缺口，箭头指的方向为负极
在非贴片情况下，直插封装，有白色那一端为负极
5.二极管的分类以及各个二极管的作用：
参考文章：全面认识二极管，一篇文章就够了_二极管的原理-CSDN博客
【硬件电路学习笔记】---- 01二极管简介与分类_二极管一三象限-CSDN博客
【电路补习笔记】4、二极管的参数与选型_二极管选型参数-CSDN博客
（整理的笔记还没写完
）
5.1整流二极管：
将交流电整流为直流电。整流二极管正反向电阻相差很大，且反向电阻接近于无穷大。
选用整流二极管时，主要应考虑：最大整流电流IF、最大反向工作电流UR、截止频率fM及反向恢复时间等参数。
5.2肖基特二极管：
在防反接保护电路场合基本都是使用的肖特基二极管，比如：SS34，SS12，B5819W 等。
肖特基二极管又叫势垒二极管，是由金属和半导体接触形成的二极管，其特点为：
优点：
1.反向恢复时间非常短，为ns级别；（因此作为防反接电路）
2.正向导通压降非常低：为0.3-0.5V左右；
缺点：
3.漏电流较大、反向击穿电压比较低；
用途：多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
5.3 TVS二极管（Transient Voltage Suppressors）
(蓝桥考过) 保护电路，防瞬态高压
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。
TVS 有单向与双向之分，单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中，其实双向也可以用于直流电路之中。
TVS管在电路中的常态是反向截止，对电路功能无直接影响。然而，在遭遇瞬间的高能量冲击时，它能够以惊人的速度（最快可达10^-12秒）转变为低阻抗状态，迅速吸收大量电流，并将两端的电压稳定在一个预设的安全值上，有效保护后续电路元件免受瞬态高能量的损害。冲击过后，TVS管自动恢复反向截止状态。因其反向导通时的箝位电压低于电路中其他元件的最高耐受电压，故起到了关键的过电压保护作用。
常见的TVS二极管：SMBJ3.3A，SMBJ5.0A
没有搞懂这个D8的二极管在这里接地是做什么的，哪位佬看到可以解答下 （电感回路吗） Thanks♪(･ω･)ﾉ
TVS的选型：TVS工作原理是什么？高手是怎么选型的？超注重这些！ (weibo.com)（超级详细）
5.4稳压二极管（齐纳二极管，反向击穿二极管）
工作原理：利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 （稳压值=反向击穿电压）
稳压二极管在电路中扮演着稳定电压的关键角色。为了实现其稳压功能，稳压二极管需以反向连接方式接入电路，即其负极连接至电路中的高电位点，而正极则连接至低电位点。当外部施加的电压低于稳压二极管设定的稳压阈值时，该二极管处于非导通状态，此时不具备稳压效果。然而，一旦外加电压超过该稳压值，稳压二极管即发生反向击穿，但其两端电压将稳定地维持在预设的稳压值上，从而保护电路免受过高电压的影响。值得注意的是，为确保稳压二极管的安全运行及实现良好的稳压性能，通常需要在其电路中串联一个限流电阻。（齐纳击穿时可以恢复的，但电流过大会烧毁二极管，所以要有个限流电阻，仿制电流过大）
接下来一部分引自：全面认识二极管，一篇文章就够了_二极管的原理-CSDN博客（感谢佬解决了困惑我已旧的问题）
TVS二极管 与 齐纳二极管
TVS二极管 与 齐纳二极管相同点：
都是利用二极管的击穿原理去工作的。
作为二极管他们的基本特性相同，他们电路符号基本相同：
TVS二极管 与 齐纳二极管不同点：
工作区间不一样：
齐纳二极管 正常工作在 反向击穿区域， TVS二极管 正常工作 在截止区。
保护机制不一样：（对象）
TVS 保护瞬间的 非常高的异常电压，用于保护电路。
稳压管 保护电路中出现的 小波动电压，使得电压平稳，用于稳压电路。
击穿电流不一样：
TVS二极管的击穿电流低，齐纳二极管相对大一点
响应速度不一样：
TVS的响应速度更快，能达到 皮秒的级别（n还是p？）
功率不一样：
TVS的功率较高，齐纳二极管功率相对较低
2万+
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
