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【简介】如何编写linux下nand flash驱动
【简介】如何编写linux下nand flash驱动
Version: V0.1
Time:10/06/2008
Author
:green-waste@163.com
【编写驱动之前要了解的知识】
1.
硬件方面:
【Flash
的种类】
Flash主要分nand flash和nor flash
除了网上最流行的这个解释之外:
我再多说几句,nor的成本相对高,比较适合应用于存储少量的代码。
Nand flash相对成本低,因此可以用来存储大量的数据,其在嵌入式系统中的作用,相当于PC上的硬盘,用于存储大量数据。
Nor flash,有类似于dram之类的地址总线,因此可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对nor flash进行访问,而nand flash没有这类的总线,只有IO接口,只能通过IO接口发送命令和地址,对nand flash内部数据进行访问。相比之下,nor flash就像是并行访问,nand flash就是串行访问,所以相对来说,前者的速度更快些。
但是由于物理制程/制造方面的原因,导致nor 和nand在一些具体操作方面的特性不同:
Nand
和
Nor Flash
的区别
|
NOR
|
NAND
|
(备注)
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接口
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总线
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I/O接口
|
这个两者最大的区别
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单个cell
大小
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大
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小
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单个Cell
成本
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高
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低
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读耗时
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快
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慢
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单字节的编程时间
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快
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慢
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多字节的编程时间
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慢
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快
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擦除时间
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慢
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快
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功耗
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高
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低,但是需要额外的RAM
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是否可以执行代码
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是
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不行, 但是一些新的芯片,可以在第一页之外执行一些小的loader
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即是否允许,
芯片内执行(XIP, eXecute In Place)
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位反转Bit twiddling
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几乎无限制
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1-3次,也称作 “部分页编程限制”
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也就是数据错误了?
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在芯片出厂时候是否允许坏块
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不允许
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允许
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【Nand Flash
的种类】
具体再分,又可以分为
1)Bare NAND chips:裸片,单独的nand 芯片
2)SmartMediaCards: =裸片+一层薄塑料,常用于数码相机和MP3播放器中。之所以称smart,是由于其软件smart,而不是硬件本身有啥smart之处。^_^
3)DiskOnChip:裸片+glue logic,glue logic=硬件ECC产生器+用于静态的nand 芯片控制的寄存器+直接访问一小片地址窗口,那块地址中包含了引导代码的stub桩,其可以从nand flash中拷贝真正的引导代码。
【Nand flash
的特点】
Nand flash的操作,和其他一些常见的设备,如硬盘等,不同,其有自己特殊的方式。
其特殊就在于:
1.Nand flash的最小单位是页page,而不是其他很多设备所说的位bit。
2.写入数据之前必须先进行擦除erase操作
3.写的时候,最小单位是页page,对也进行写操作,也称作“页编程”,page programming
4.擦除的最小单位是块block
5.由于物理特性,容易出错,所以无论是读还是写,都要采取检测和校验,即EDC。
6.nand flash出厂时候,就有一定坏的块block,成为换块,并且做了一定标记。
7.nand flash中有个额外的空间,叫做spare area/oob
【spare area/oob
】
Nand由于最初硬件设计时候考虑到,额外的错误校验等需要空间,专门对应每个页,额外设计了叫做spare area空区域,在其他地方,比如jffs2文件系统中,也叫做oob(out of band)数据。
其具体用途,总结起来有:
1. 标记是否是坏快
2. 存储ECC数据
3. 存储一些和文件系统相关的数据,如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息
【常见Nand Flash
的大小及参数】
常见的nand flash 的大小,由最开始的小于256M,到现在的常见的1G,2G,甚至更大。
以前的nand flash的
Pagesize页大小,多为512B+16B的oob,block大小为64*(512B+16B)=32KB+1KB
现在目前市场上见到的,绝大多数,都是新的nand falsh,其Pagesize页大小多为2KB+64B的oob,block大小多为64pages页=64*(2K+64B)=128KB+4KB,一个nand flash中的芯片,一般含有4096个块,比如samsung的K9F4G08U0M,所以这个nand flash大小就是
4096 Blocks = 4096 * 64 *(2K+64B)=512MB
即:
1 Page = (2K + 64)Bytes
1 Block = (2K + 64)B x 64 Pages
= (128K + 4K) Bytes
1 Device = (2K+64)B x 64Pages x 4,096 Blocks
= 4,224 Mbits =512MB
【Nand flash
工作原理】
所谓工作原理,其实也就是对应对其如何操作的。
还是以上面提到的samsung的K9F4G08U0M的nand flash为例,简单描述如下:
1.nand flash定义了一些引脚,使得你可以发送命令过去,实现对nand flash的操控:
![](http://img.blog.163.com/photo/7EwS1_SdEOgK5rTdPUNSpQ==/3955567847715587538.jpg)
上面这些引脚,需要解释的主要是
CLE,使能,只有使能有效,你才能进行后续的操作。只能选中了这个nand芯片,才能进行后续的读写。
ALE,在发送地址时,要锁住地址总线,才可以操作。
RE,WE,在读写之前,要对应的引脚有效,才可以进行读写的。
其他见解释皆可。
所有如上的引脚,都是驱动中,通过发送命令,具体内部控制逻辑去实现的。
而驱动开发者要关心的,是何时去发送对应的命令。具体想要实现一操作,要何时发送什么命令才能实现,要继续看下面的datasheet中的解释:
如果想要对nand flash操作,就要根据datasheet中的规范进行,比如对页的写操作/写编程要根据这个顺序去操作:
![](http://img.blog.163.com/photo/CbPfa3zDbG3LAxwdbje9LA==/3955567847715587543.jpg)
其具体的细节,包含了哪些操作,可以看这个时序图:
![](http://img.blog.163.com/photo/RtWcqaj51NKTB1vr6-N8iQ==/3955567847715587521.jpg)
从上图可以看出来,要先发80h的命令,再继续后面的操作。
这里的80h命令的含义,参考这个图表:
![](http://img.blog.163.com/photo/Ml7S4p9y0NmrqmkZk9GszQ==/1707990158681028201.jpg)
从这个图表,可以看到,80h就是page program的第一个命令。
而时序图中的先两个col列地址,后三个row行地址,是根据下面这个图得来的:
![](http://img.blog.163.com/photo/dWbAM50eVPaRuLWwcPzpPQ==/1707990158681028206.jpg)
此时才能定位到你所要操作的页,才能进行写操作。
再多说几句,上图表示了,如果想要对这个nand flash操作,读或写,需要进行3次列地址和三次的行地址,才能定位到你所要操作的地方,才能读写。同时显示了,每次每个位,对应代表的地址位。
此处的2个列地址和3个行地址,是由硬件设计决定的。
老的nand flash由于每个页只有512B,所以,最后的操作,只需要1个列地址和3个行地址就可以定位了。感兴趣的可以去网上下载samsung一些老的nand flash,可以对比着看,更明白些。
而每个操作,比如上面的写操作,都是需要一定时间的,其具体硬件操作所需的时间,见这个图:
![](http://img.blog.163.com/photo/NSuasahM6Bc2gb3-SiN1og==/3955567847715587559.jpg)
此处可以看到,写一个页,即页编程,一般需要200us,最大需要700us,所以驱动开发者在开发的时候,要知道这个细节,要等待对应的时间,再去判断,是否写操作顺利完成了,才能接下来继续后面其他的操作的。
上述的具体代码实现,可以去看
drivers/mtd/nand/nand_base.c中的nand_command_lp()函数中的代码:
/* Command latch cycle */
//
对命令锁存,然后才能发送命令
chip->cmd_ctrl(mtd, command & 0xff,
NAND_NCE | NAND_CLE | NAND_CTRL_CHANGE);
if (column != -1 || page_addr != -1) {
int ctrl = NAND_CTRL_CHANGE | NAND_NCE | NAND_ALE;
//
先发送2
次col
地址,构成整个列地址
/* Serially input address */
if (column != -1) {
/* Adjust columns for 16 bit buswidth */
if (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)
column >>= 1;
chip->cmd_ctrl(mtd, column, ctrl);
ctrl &= ~NAND_CTRL_CHANGE;
chip->cmd_ctrl(mtd, column >> 8, ctrl);
}
//
再发送3
次row
地址,构成整个行地址
if (page_addr != -1) {
chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr, ctrl);
chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 8,
NAND_NCE | NAND_ALE);
/* One more address cycle for devices > 128MiB */
if (chip->chipsize > (128 << 20))
chip->cmd_ctrl(mtd, page_addr >> 16,
NAND_NCE | NAND_ALE);
}
}
这样就可以定位到我们要操作的位置,进行操作了。
2.
软件方面:
Linux驱动原理
具体内部很多实现,已经包含在drivers/mtd/nand/nand_base.c中了
【nand flash驱动加载识别nand类型过程】
在驱动加载的时候,会去调用:
nand_get_flash_type()
其中,就会对nand的类型和其他相关参数进行检查。
1) 选中对应设备,如果此时只有一个nand 芯片,则此步可以省略
/* Select the device */
chip->select_chip(mtd, 0);
x
2) 发读命令,去读取设备类型代码
/* Send the command for reading device ID */
chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_READID, 0x00, -1);
3) 判断是哪个厂商的,哪个类型的flash
/* Read manufacturer and device IDs */
*maf_id = chip->read_byte(mtd);
dev_id = chip->read_byte(mtd);
4) 在事先已经定义好的nand flash类型中查找属于何种厂商和型号
/* Lookup the flash id */
for (i = 0; nand_flash_ids[i].name != NULL; i++) {
if (dev_id == nand_flash_ids[i].id) {
type = &nand_flash_ids[i];
break;
}
}
5) 继续判断具体nand flash的各个参数,包括
芯片信息,Pagesize页大小,oobsize即oob的大小,blocksize块大小,buswidth总线宽度是8位还是16位。
如果页大小不是之前老的nand的512B,而是新的nand的2K或更大,则后面对应的发送给nand flash命令的的时候,调用的函数就由nand_command()变成nand_command_lp()了。
后者主要比前者多一发个命令:
chip->cmd_ctrl(mtd, column >> 8, ctrl);
即,多发一个列地址命令。
因为大页面(>2KB)的寻址需要2次column,而小页面(512B)只需要1次的列地址。
具体可以参考nand flash的datasheet。
6) 接着会做一些其他初始化操作,包括最后调用nand_set_defaults()去实现的默认函数的挂载,如果你的nand flash驱动没有实现的话,就是挂载默认的了。
【模块加载原理】
这个内容太大,此处只是简单说说。
驱动加载的功能主要是probe函数实现的,主要去识别设备的类型和各个参数,并且为设备的使用进行正常的初始化。
对应卸载时候执行的remove函数,施放对应的,之前申请的一些资源。
【MTD设备】
在Linux下,将nand Flash等设备归属到MTD设备下进行统一管理。
Mtd,即memory technology deveice,即将nand看出是存储设备来管理。
之所以会这么说和这么做,是因为前面提高的nand flash和普通硬盘等设备的特殊性:
IO接口,最小单位是页,写前需擦除等,导致了,不能像平常对待硬盘等操作一样去操作nand flash,只能采取一些特殊方法,这就诞生了mtd设备的统一抽象层,将nand flash,nor flash和其他类型的flash等设备,统一抽象成mtd设备来管理,根据这些设备的特点,上层实现了常见的操作函数封装,底层具体的内部实现,就需要驱动设计者自己来实现了。
MTD
设备和硬盘设备之前的区别
HARD drives
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MTD device
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连续的扇区
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连续的可擦除块
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扇区都很小(512B,1024B)
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可擦除块比较大 (32KB,128KB)
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主要通过两个操作对其维护操作:读扇区,写扇区
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主要通过三个操作对其维护操作:从擦除块中读,写入擦除块,
擦写可擦除块
|
坏快被重新映射,并且被硬件隐藏起来了(至少是在如今常见的LBA硬盘设备中是如此)
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坏的可擦除块没有被隐藏,软件中要处理对应的坏块问题。
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HDD扇区没有擦写寿命超出的问题。
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可擦除块是有擦除次数限制的,大概是10
4-10
5次.
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【
Linux
下
nand flash
驱动编写步骤简介】
1. 了解硬件的nand flash的各个参数和工作原理
具体参考nand flash的datasheet,主要包括,自己nand flash的厂商,型号等。
Nand flash的页大小,oob大小,块大小,位宽8bit还是16bit。
工作原理,上面已经做了一定描述,不清楚的,可以参考datasheet,多看看,就会明白很多。
2. 按照linux下驱动编写规范编写nand flash驱动,
可以参考其他已经有的驱动,比如内核源码中已经有的
drivers/mtd/nand/s3c2410.c
就是个很好的例子。
自己以其为模板,实现自己板子的nand flash驱动。
其实主要工作就是,实现
static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = {
.probe = s3c2410_nand_probe,
.remove = s3c2410_nand_remove,
.suspend = s3c24xx_nand_suspend,
.resume = s3c24xx_nand_resume,
.driver = {
.name = "s3c2410-nand",
.owner = THIS_MODULE,
},
};
中的
XXX_nand_probe函数
XXX_nand_remove函数
XXX_nand_enable_hwecc,如果支持硬件ecc的话。
对nand flash的读写,这两个函数,实现了对nand的具体操作。
【
Linux
下
Nand Flash
驱动编写简单步骤】
软件和硬件知识,都已经了解的话,由于上层的linux的 mtd框架中,已经完全封装好了,对nand flash的write page,write oob等相关函数的实现,那么剩下的只是相对来说已经是很少量的,关于nand 驱动具体内部操作方面的工作:
1.初始化
先是在nand 芯片初始化的时候,对其
XXX_nand_init_chip()
给对应的芯片chip赋给对应的
XXX_nand_read_buf和XXX_nand_write_buf等函数:
chip->cmd_ctrl = XXX_nand_hwcontrol;
chip->dev_ready = XXX_nand_devready;
chip->read_buf = XXX_nand_read_buf;
chip->write_buf = XXX_nand_write_buf;
以实现后续的对nand芯片的操作。
然后根据ecc类型,赋给对应的ecc的校验与纠错函数:
chip->ecc.hwctl = XXX_nand_enable_hwecc;
chip->ecc.calculate = XXX _nand_calculate_ecc;
3. 实现上面提到的对应的各个函数,关于如何实现,参考一下其他nand驱动,就会理解很多了。
4. 驱动测试,参考具体的 ldd3(Linux Device Driver version 3)的测试相关部分内容。
说得很乱,希望对大家有些帮助。
【MTD设备驱动推荐文章】
关于mtd设备驱动,感兴趣的可以去参考
那里,算是比较详细地介绍了整个流程,方便大家理解整个mtd框架和nand flash驱动。