NAND Flash驱动编写

1 开发环境 ：S3C2440  GCC编译    

2 NAND Flash型号：K9F2G08U0C

3 芯片介绍：内存大小为256M*8=2GB，每页由2K数据+64字节OOB组成。    

4 芯片引脚介绍：

        

由上图我们可以知道：    

发命令操作：     选中芯片，CLE设为高电平 ，  在DATA0~DATA7上输出命令值，发出一个写脉冲。

发地址操作 ：     选中芯片 ， ALE设为高电平，在DATA0~DATA7上输出地址值， 发出一个写脉冲。    

发数据操作：    选中芯片， ALE,CLE设为低电平，在DATA0~DATA7上输出数据值， 发出一个写脉冲

读数据操作：   选中芯片， 发出读脉冲，读DATA0~DATA7的数据。    

5 相关的时序：    

写命令时序：    

    

写地址时序：    

    

写数据命令：    

    

读数据命名：            

6 S3C2440内部自带NAND Flash寄存器。因此我们操作NAND Flash时，可以不必关心上述时序等操作。        

由于SRAM和NOR Flash价格高且存储小。因此该芯片当设置在NAND Flash启动时，芯片内部会自动加低地址的4KB空间，复制到芯片内部的 Steppingstone'的内部SRAM缓冲区中。     下为NAND 控制器框图。       

    

NAND Flash 输入命令，或地址的时序如下图所示。    

    

关于NAND Flash 读取/写入数据的时序。    

关于NAND Flash的主要涉及寄存器有：            

  控制寄存器，NFCONT，命令寄存器 NFCMMD，地址寄存器：NFADDR，数据寄存器：NFDATA。