利用PMOS实现LED恒流驱动芯片的通断控制

本文介绍了如何利用PMOS和QX7135E33线性LED恒流驱动芯片实现软启动和控制功能。当电源上电时,通过控制PMOS的栅极电压,使得MOS管逐渐导通,实现软开启,确保+5V_OUT稳定输出。同时,通过改变电容C1和电阻R2的值可以调整软启动的时间。在关闭时,电容放电实现软关闭,但可能带来系统不稳定的风险。

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电路原理:

1、QX7135E33为330mA线性LED恒流驱动芯片,无使能端。

2、利用PMOS控制QX7135的电源通断,实现使能功能。

原理说明:

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。电阻R4是为了在 Control 为高阻时,将三极管Q2的基极固定在低电平,不让其浮空。带软开启功能的MOS管电源开关电路

基于MOS管实现的电源开关电路设计

2、当电源 +5V_IN 刚上电时,要求控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻,即关闭三极管Q2,从而关闭MOS管Q1。因 +5V_IN 还不稳定,不能将电源打开向后级电路输出。此时等效电路图如下。

基于MOS管实现的电源开关电路设计

此时电源 +5V_IN 刚上电,使MOS管G极与S极等电势,即Vgs = 0,令Q1关闭。

3、电源 +

<think>嗯,用户需要设计PMOS驱动大功率LED电路方案。用户可能是一位电子工程师或爱好者,正在开发LED照明产品,需要解决功率驱动问题。从专业角度看,这个问题涉及功率器件选型、驱动电路拓扑、热管理和控制逻辑等多个层面。用户明确提到了"大功率"这个关键词,说明不是普小电应用。大功率LED常指1W以上的单颗LED,工作电在350mA到数安培不等。这类设计的关键挑战在于:效率(减少发热)、稳定性(避免热失控)和寿命(防止LED光衰)。我手头有两个相关引用:引用[1]提到FP7153这款同步降压LED驱动IC,内置PMOS和NMOS,支持100%占空比和PWM调光;引用[2]则强调PMOS的低电平驱动特性及短路保护设计。这些信息很有价值,但需要结合基础电路原理进行整合。核心设计要点应该是:1)PMOS作为高端驱动的优势:相比NMOS,PMOS可以直接用低电平驱动(不用电荷泵),简化电路。但要注意PMOS的导电阻常比同规格NMOS大,会导致更大导损耗。2)驱动芯片的选择:像FP7153这类专用IC能解决很多问题——它自带同步降压和双MOS,比分离方案更紧凑。但需要确认其开关频率是否适合大功率应用(高频可减小电感体积但增加损耗)。3)热设计:大电路径的PCB走线宽度、散热铜箔面积都需要计算,PMOSLED都要考虑散热器。特别要注意引用[2]提到的短路保护问题。大功率LED一旦输出短路,如果没有限保护,PMOS会瞬间烧毁。可以在源极串联采样电阻配合比较器实现快速关。用户可能没说出来但实际会遇到的难点:PWM调光时的电过冲问题。当驱动芯片使能端接受PWM信号时,每次开启瞬间电感电会有一个尖峰,可能导致LED色温偏移。解决方案是在反馈环路加小电容滤波。最后想到:其实用户是否需要精度?医疗或工业照明对电稳定性要求极高,这时要选择FB反馈电压更低的芯片(如引用[1]中FP7153的0.1V反馈电压),这样采样电阻功耗更小。</think>以下是关于PMOS驱动大功率LED电路设计及应用方案的专业解析,结合高效能、可靠性与保护机制设计: --- ### **一、PMOS驱动大功率LED核心电路设计** #### **1. 基础拓扑结构** ```text 电源Vin → 电感L → PMOS漏极(D) │ ├→ LED+ → LED- → 电采样电阻Rs → GND │ PMOS源极(S) → 续二极管D1(若未用同步整) ``` **控制逻辑**: - PMOS栅极(G)过驱动IC控制,**低电平导**(PMOS特性) - 采样电阻Rs压降反馈至驱动IC的FB引脚,实现控制 #### **2. 关键元件选型** | **元件** | **选型要求** | **设计要点** | |------------|---------------------------------------|----------------------------------| | **PMOS** | Vds耐压 > 1.5×Vin, Rds(on) < 20mΩ | 优先选择低栅极电荷(Qg)器件 [^2] | | **驱动IC** | 支持同步降压(如FP7153) | FB反馈电压低(如0.1V)以降低Rs损耗 [^1] | | **采样电阻** | 功率余量2倍,精度±1% | Rs = Vfb / I_led(如0.1V/1A=0.1Ω)| | **电感** | 饱和电 > 1.2×I_led, 低DCR | 推荐铁硅铝磁芯(低磁损) | > ✅ **优势**:同步降压拓扑效率 > 90%,支持100%占空比低压差工作 [^1] --- ### **二、关键保护机制设计** 1. **输出短路保护** - 在PMOS源极串联快速熔器 - 驱动IC集成过保护(如FP7153的OCP) ```c // 过保护逻辑伪代码 if (V_rs > V_oc_threshold) { disable_gate_driver(); // 立即关PMOS trigger_fault_flag(); } ``` 2. **热管理设计** - PMOSLED共用散热器,导热垫+螺丝固定 - 驱动IC内置TSD(过热关),典型阈值150℃ 3. **反接保护** ```text 输入串联Schottky二极管 + 并联TVS管 ``` --- ### **三、调光控制实现方案** #### **1. PWM调光** ```text 驱动IC_EN引脚 → 外部PWM信号(0-100kHz) ``` - 响应时间 < 10μs(需低Qg PMOS支持 [^2]) - 避免低频闪烁:PWM频率 > 200Hz #### **2. 模拟调光** - 过改变FB基准电压实现 - 适用场景:无频闪要求的照明设备 --- ### **四、PCB布局优化要点** 1. **功率回路最小化** ```text Vin → 输入电容 → PMOS → Rs → GND ``` - 环路面积 < 1cm²,减少EMI辐射 2. **散热设计** - PMOS下方铺2oz铜箔 + 散热过孔阵列 - LED焊盘预留4×4mm铜区 3. **噪声隔离** - FB采样走线差分对,远离开关节点 - 驱动IC电源端加π型滤波(10μF+0.1μF) --- ### **五、典型应用场景** 1. **车载照明** - 输入电压:9-36VDC,支持冷启动(6V工作) - 防震设计:灌封胶固定电感 2. **工业探照灯** - 驱动多串LED(需独立控制) - IP67防护外壳 + 温散热风扇 3. **便携设备** - 支持锂电池供电(3-4.2V) - 待机功耗 < 10μA(关模式) --- ### **设计验证建议** 1. **动态响应测试** - 阶跃负载(20%-100%)下输出电压波动 < ±5% 2. **热成像测试** - 满负载持续1小时,PMOS结温 < 100℃ 3. **EMC对策** - 开关节点串联磁珠(100Ω@100MHz) - 输入加共模电感(适用于12V以上系统) > ⚠️ **注意**:大功率LED需配合透镜/反光杯光学设计,避免局部过热光衰。 ---
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